Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия

• Автор: Авакянц, Лев Павлович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 311 с. : ил.

Введение
Основная цель
Научная новизна
Защищаемые положения
Практическая ценность результатов работы
Апробация работы
Публикации
Структура и объем диссертации
1 Основы теории комбинационного рассеянші света и фотоотражения в полупроводниках
1.1 Резонансное комбинационное рассеяние света в
полупроводниках
1.2 Особенности КР в разупорядоченных средах
1.3 КР на связанных фонон-плазмонных модах в полярных
полупроводниках А^В^
1.4 КР на связанных фонон-плазмонных модах в тройных
соединениях на основе ваАз
1.5 Теория фотоотражения полупроводниковых структур
2 Методика эксперимента
2.1 Одноканальный спектрометр КР
2.2 Разностная спектроскопия комбинационного рассеяния света
2.3 Многоканальный спектрометр КР
2.4 Методы регистрации спектров фотоотражения
2.5 Приготовление образцов
3 Спектроскопия КР структурно-разупорядоченного кремния
3.1 КР в структурно-разупорядоченом кремнии при ионной
имплантации
3.2 Количественная оценка степени аморфизации кремния при ионной имплантации методом КР
3.3 Влияние энергии имплантации на профиль структуры приповерхностного слоя кремния
3.4 Колебательный спектр кремния при имплантации дозами, превышающими порог аморфизации
3.5 Восстановление кристаллической структуры имплантированного кремния при лазерном отжиге
3.6 Особенности КР, обусловленные электрон-фононным взаимодействием в ионно-легированном p-Si
3.7 KP в аморфных и поликристаллических пленках кремния
4 Спектры КР и структурное разупорядочение арсенида галлия при ионной имплантации
4.1 КР в GaAs при имплантации ионов Se+ и Si+
4.2 Размерные эффекты в спектрах КР при ионной имплантации арсенида галлия
4.3 Влияние температуры образца при имплантации на структуру имплантированного слоя
5 Связанные фонон-плазмонные моды в легированном GaAs и тройных соединениях на его основе
5.1 КР в имплантированном GaAs после отжига
5.2 Учёт дисперсии и затухания Ландау при КР в п-GaAs
5.3 Рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах в тройных соединениях InxGai_xAs
6 Диагностика электрофизических параметров GaAs методами спектроскопии КР и ФО
6.1 Определение концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок п-GaAs методами КР и ФО

6.2 Компенсация проводимости эпитаксиальных пленок n-GaAs
при имплантации ионами В+, As+, Ga+
6.3 Исследование процесса активации примеси в GaAs при легировании ионами Мп+
6.4 Исследование качества поверхности GaAs, обработанной плазменным травлением
7 Модуляционная спектроскопия электронных состояний в наноструктурах на основе GaAs
7.1 Спектр электронных состояний нелегированных гетероструктур GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами
7.2 ФО в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-связанными квантовыми ямами
7.3 Электронные переходы в одиночных и двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs с модулированным легированием барьеров
7.4 Спектроскопия фотоотражения 5 - легированных n-i-p-i-n структур на основе GaAs
Заключение
Благодарности
Список литературы

Рис. 3 Параметры, ближнего и среднего порядки в непериодических системах: г и Г2, 0 - длины связей и угол между ближайшими соседями; г?, (р - длина связи и двугранный угол между третьими соседями [38].

8' 1 ШО-
е ао-
1
1
«а

Д &гтз (°)
Рис. 4 Зависимость полуширины ТО-полосы в аморфном кремнии от среднего отклонения углов, ковалентных связей от идеальной тетраэдрической координации [38].