Механизмы люминесценции и безызлучательных процессов в кристаллах галогенидов серебра

• Автор: Смирнов, Михаил Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 200 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ЕЛАВА 1. ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В

ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ

1 Л. Методы установления механизмов свечения кристаллофосфоров

1.2. Экспериментальные исследования механизмов свечения кристаллов галогенидов серебра
1.3. Фотостимулированные преобразования адсорбированных частиц серебра атомно-молекулярной дисперсности и безызлучательные
Ш процессы

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ

АППАРАТУРА

2.1. Метод фотостимулированной вспышки люминесценции

2.2. Выбор условий измерения параметров ФСВЛ

2.3. Автоматический спектральный комплекс для изучения слабых световых потоков люминесценции ионно-ковалентных кристаллов.,69
2.4. Метод создания нанокластеров на поверхности А§С1
2.5. Метод приготовления образцов
** 2.6. Техника и метод установления механизмов свечения
кристаллофосфоров
2.7. Метод исследования механизма уменьшения концентрации
возбуждённых состояний в кристаллах галогенидов серебра
ГЛАВА 3. УСТ АЛОВ ЛЕЇ ІИЕ МЕХАНИЗМОВ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ФОТОЛЮМИІІЕСЦЕ1 шии ОСІ 10ВІ1ЫХ ПОЛОС КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И ИХ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ
3.1. Механизм основной полосы низкотемпературной
• фотолюминесценции кристаллов А§С1
3.2. Механизм низкотемпературной фотолюминесценции кристаллов
твёрдого раствора замещения AgCl0.95I0
3.3. Исследование механизма низкотемпературной фотолюминесценции основных полос кристаллов твёрдого раствора замещения AgBro.6oClo.4o
3.4. Исследование механизма люминесценции кристаллов твёрдого раствора замещения AgBr0.95I0
3.5. Об особенностях люминесцентных свойств чистого бромида серебра
ГЛАВА 4. ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЗМОВ ПРОЦЕССОВ БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОГО РАСПАДА ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ АёС1
4.1. Люминесцентные исследования особенностей процесса темнового уменьшения концентрации электронов, локализованных на глубоких ловушках в кристаллах AgCl
4.2. Исследование действия электрического поля на кинетику уменьшения заселённости глубоких уровней локализации носителей заряда в монокристалле AgCl
ГЛАВА 5. ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ
АДСОРБИРОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ АЕС1 АТОМОВ И МАЛОАТОМНЫХ КЛАСТЕРОВ СЕРЕБРА И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ
5.1. Исследование особенностей процессов безызлучательной рекомбинации электронов и дырок на глубоких ловушках, обусловленных адсорбированными на поверхности кристалла AgCl, атомами и димерами серебра
5.2. Стадия димеризации в низкотемпературном поверхностном фотостимулированном процессе в кристаллах хлористого серебра и безызлучательные процессы
5.3. Исследование начальной стадии фотолиза в микрокристалллах AgCl при комнатной температуре

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

столкновения с атомами инертного газа [150].
Довольно интересные сведения о положении локального уровня адсорбированного атома серебра в запрещенной зоне А§С1 дали фотоэлектрохимические исследования катализа на поверхности хлорида серебра [129]. Согласно этим экспериментам уровень адсорбированного атома расположен на 1,62эВ ниже дна зоны проводимости. Однако данное значение является оценочным и получено косвенными расчетами в ходе решения несколько иных задач.
Наличие в запрещенной зоне кристаллов А^а1 центров локализации неравновесных носителей заряда подтвердил фотоэлектретный эффект [78,151-157]. Изучение фотоэлектретного состояния в кристаллах А§С1 и А^г показало наличие широко спектра глубоких электронных ловушек в запрещенной зоне. Максимум плотности расположен в области 1,8эВ (от дна зоны проводимости) для А$>Вг и 2,ЗэВ для А£С1. Обнаруженные электронные состояния могут иметь как собственную, так и примесную природу, в том числе и серебряную.
Особого внимания заслуживают применения люминесцентных методов [158-162]. Их использование может быть особенно удачным, если исследования проводятся на ионно-ковалентных кристаллах. Для изучения свойств адсорбированных частиц используется не метод спектров стационарной люминесценции, а методы вынужденной люминесценции, которые характеризуются переходом электрона на локальный уровень (после поглощения энергии) и последующим переходом его на центр свечения в результате сообщения ему дополнительной энергии за счет внутренней энергии тела или дополнительного кванта света. Это дает возможность получать информацию о параметрах исследуемых центров локализации электронов.
Использование для изучения свойств адсорбированных частиц металла на поверхности ионно-ковалентных кристаллов метода фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ) оказалось наиболее