Люминесцентные и фотоэлектрические свойства пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных

• Автор: Майорова, Татьяна Львовна
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 146 с. : ил.

Глава 1. Свойства кристаллофосфоров на основе СёБ
1.1. Физические и химические свойства сульфида кадмия
1.1.1. Структура решетки и химическая связь
1.1.2. Структурные дефекты. Примеси
1.1.3. Ширина запрещенной зоны. Зависимость
ширины запрещенной зоны от температуры
1.1.4. Электрические свойства. Проводимость, эффективная масса, дрейфовая и холловская подвижность носителей
1.1.5. Оптические свойства. Поглощение и отражение
1.2. Фотолюминесценция сульфида кадмия
1.2.1. Природа центров свечения в кристалофосфорах
на основе СёБ
1.2.2. Природа центров свечения легированного СсШ
1.3. Фотопроводимость пленок сульфида кадмия
1.3.1. Эффект фотопамяти в фотопроводящих слоях СсІЯ
1.3.2. Температурная зависимость фототока
1.3.3. Ловушки и эффекты прилипания
1.4. Методы получения и свойства пленочных структур Сй8:Ме
1.4.1. Характеристика методов получения тонких пленок
1.4.2. Метод пульверизации
1.5. Перспективы использования сульфида кадмия
1.6. Постановка целей и задач исследования
Глава 2. Методика исследования
2.1. Методика получения образцов
2.2. Установка и методика для исследования фотолюминесценции
2.3. Методика обработки экспериментальных результатов.
Разложение спектров стационарной люминесценции

на элементарные составляющие
2.4. Установка и методика для измерения кинетики
фотопроводимости и ТСП
Глава 3. Фотолюминесценция пиролитических пленок СсБ
3.1. Спектры стационарной фотолюминесценции
3.1.1. Фотолюминесценция пиролитических пленок
СйБ, соактивированных галогенами
3.1.2. Спектры фотолюминесценции пленок СйБ на основе комплексов [СйОЫоЬСЬ], [СфЙиоГВггф легированных щелочными металлами
3.2. Зависимость положения максимумов интенсивности полос люминесценции пленок СйБ от состава и условий
получения пленок
3.3. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от условий синтеза пленок Сй8
3.3.1. Зависимость интенсивности люминесценции от концентрации примеси и температуры напыления пленок
3.3.2. Влияние условий синтеза на излучательную рекомбинацию пленок СсЙ, легированных щелочными металлами
3.3.3. Влияние легирования щелочными металлами пленок СбБ
на интенсивность красной полосы фотолюминесценции
3.4. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от длительности воздействия УФ излучением
Выводы
Глава 4. Фотопроводимость пиролитических пленок Сёв
4.1. Спектральные зависимости фотопроводимости
4.2. Кинетика фотопроводимости пленок СйБ
4.2.1. Экспериментальные данные исследования
кинетики фотопроводимости
4.2.2. Механизм запасенной проводимости в пиролитических
пленках CdS
4.3. Исследование уровней локализации электронов методом термостимулированной проводимости
4.4. Зонная энергетическая модель пиролитических пленок сульфида кадмия
Выводы
Заключение
Литература

барьера, обеспечивающего запасенную проводимость. В поликристаллических образцах рекомбинационный барьер может быть расположен на границе кристаллов либо на поверхности образца. Обычными фотоэлектрическими методами определить локализацию барьера довольно трудно. Для этой цели можно применять исследование зависимости поперечной катодопроводимости от энергии электронов [25].
1.3.2. Температурная зависимость фототока
Несмотря на сложность интерпретации явлений, имеющих место при нагревании фотопроводника в темноте, исследования температурной зависимости фототока способны дать информацию о параметрах центров рекомбинации.
Во многих фотопроводниках фототок по существу не зависит от температуры. Это возможно в случае равномерного распределения ловушек по энергиям. Для экспоненциального распределения ловушек вида Пе<ЗЕ = А-ехр(-Е/кТ1)с1Е следует ожидать несколько более быстрого изменения фототока с температурой.
Температурная зависимость фототока Тф может быть представлена следующим образом: 1ф = , (1.3.5)
1+с<г|
где 1о, С - константы, зависящие от внутренних параметров фотопроводника и интенсивности света, Ег - глубина залегания центров рекомбинации, отсчитанная от потолка валентной зоны [25].
Согласно этой формуле, область гашения в координатах 1п———, 1/Т

представляет собой прямую линию. Ее наклон дает глубину залегания центров Ег.