Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках

• Автор: Панов, Александр Александрович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 172 c. : ил

ГЛАВА I. Краткий обзор работ по фотопроводимости диэлектриков
1.1. Ранние работы по фотопроводимости диэлектриков ц
1.2. Лазерная фотопроводимость диэлектриков
Вывода к главе I
ГЛАВА 2. Экспериментальная установка, условия и методика проведения экспериментов по лазерной фотопроводимости
2.1. Лазерная установка
2.2. Установка для измерений фотопроводимости
2.3. Методика измерений фотопроводимости
2.4. Исследуемые кристаллы
Вывода к главе
ГЛАВА 3, Экспериментальные результаты по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков
3.1. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов
на длине волны 0,27 мкм
3.2. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов
на длине волны 0,35 мкм
3.3. Фотопроводимость кристаллов ВДВ и ДКДР
3.4. Фотопроводимость кристаллов рубина и флюорита
Вывода к главе

ГЛАВА 4. Исследование эффекта фотоувлечения носителей и
нелинейного поглощения излучения в щелочно-галоидных кристаллах при УФ возбуждении
4.1. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочногалоидных кристаллах
4.2. Нелинейное поглощение в щелочно-галоидных кристаллах лазерного излучения на длинах волн 0,35 мкм
и 0,27 мкм
Выводы к главе
ГЛАВА 5. Кинетическая модель фотопроводимости, наблюдаемой
в щелочно-галоидных кристаллах
5.1. Роль "мелких" ловушек в наблвдаемых явлениях лазерной фотопроводимости
5.2. Анализ явлений лазерной фотопроводимости при больших интенсивностях лазерного излучения
5.3. Роль дефектов в наблюдаемых явлениях лазерной
фотопроводимости
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В последнее время вызывают большой интерес явления, обусловленные взаимодействием мощного лазерного излучения с прозрачными твердыми телами. Значение этих явлений для фундаментальной физики твердого тела несомненно, благодаря их связи со многими проблемами, такими, как многофотонные переходы, процессы генерации и рекомбинации неравновесных носителей, образование радиационных дефектов.
С прикладной точки зрения этот интерес связан, в частности, с проблемой лазерного разрушения оптических материалов, используемых в качестве активных и пассивных элементов лазерных установок.
В ряде теоретических и экспериментальных работ последних лет (см., например, /1-7/) были выяснены основные механизмы, приводящие к пробою прозрачных твердых диэлектриков в поле интенсивной электромагнитной волны. Было показано, что в большинстве практически реализуемых случаев за разрушение ответственны поглощающие включения, однако, в наиболее чистых образцах разрушение может быть связано с электронными процессами: ударной и многофотокной ионизацией. Взаимодействие между процессами многофотонного поглощения энергии и механизмами лавинного разрушения в твердых телах обсуждалось, в частности, в работах /8-11/. В недавних работах /12-14/ лазерное разрушение вследствие ударной ионизации (электронной лавины) было экспериментально обнаружено в щелочно-галоидных кристаллах.
В связи с этим детальное исследование электронных процессов, обусловливающих лазерное разрушение и определяющих предельную стойкость оптических материалов к мощному лазерному излучению, представляется весьма актуальным. Сюда относятся
<5, Ом'<-см'<
Рис.3.1. Зависимость 6(3) для образца КС? в области малых интенсивностей; X = 0,27 мкм.