Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении

• Автор: Шахурин, Евгений Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 171 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II

§ 1.1.Процесс ЭСД адсорбированных газов с металлической II поверхности.

§ 1.2.Десорбция с поверхности ионных кристаллов

§ 1.3.Дальнейшее развитие представлений о механизме ЭСД.

Глава II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

ВЫБОР ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

§ П.I.Описание экспериментальной установки

П.1.1.Вакуумные условия

П.1.2.0же-спектрометр

П.1.3.Устройства доя высокотемпературного прогрева образцов

П.1.4.Установка доя спектрофотометрического анализа образцов

§ П.2.Выбор объектов исследования
П.2.1.Общие требования
П.2.2.Электронное строение монокристаллов
§ П.3.Методика эксперимента
Глава III. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ЭСД
§ Ш.1.ЭСД с поверхности ЫГ
Ш. 1.1.Изменения, происходящие в Оже-спектре 1_|‘Г при электронном облучении
Ш.1.2.Спектрофотометрический анализ кристалла Ь'Г , облученного электронами
Ш.1.3.Обсуждение результатов
§ Ш.2.ЭСД с поверхности кристаллов ^'Ог и 03
Ш.2.1.ЭСД с поверхности •
Ш.2.2.ЭСД с поверхности А^^з* Ш.2.3.Обсуждение результатов.
§ Ш.З.Электронная бомбардировка поверхности и С| и
Ш.3.1.Экспериментальные результаты.
Ш.З.2.Обсуждение результатов.
§ Ш.4.Взаимодействие электронного пучка с поверхностью
§ Ш.5.Обсуждение результатов.
Ш.5.1.Расчёт сечений ЗСД для исследованных веществ. Ш.5.2.Сопоставление полученных результатов с КР-моделыо ЭСД.
Глава IV. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭСД.
§ ГУ.I.Глубина протекания ЭСД.
ГУ.ГЛ.Экспериментальные результаты.
ГУ.Г.Г.а). А(?203.
ГУЛ.Г.б). 5; 02.
ГУЛ Л.в).Слой 9'| 02 на МдО
ГУЛ.2.Оценка глубины протекания ЭСД.
ГУЛ.2.а). 03 .
ГУЛ.3.Обоснование метод
ГУЛ.4.Механизмы разрушения ЩГК. Поверхностное и объёмное разрушение.
ГУЛ.5.Высоко- и низкоэнергетичные Оже-пики 1пГ . ГУЛ.6.Спектрофотометрический анализ образцов.
§ ГУ.2.Зависимость ЭСД от энергии первичных электронов Ер.
ГУ.2Л.Экспериментальные данные.
ГУ.2.2.Обсуждение результатов.

ГУ Л.2.б).Монокристалл

ІУ.2.2.а)Связь ЭСД с вероятностью ионизации остовных уровней
ІУ.2.2.6).Оже-каскады
1У.2.2.в).0 возможности термодесорбции при электронном облучении
§ ІУ.З.Влияние углеродных включений на ЭСД
ІУ.3.1.Связь между количеством углерода на поверхности и эффективностью ЭСД
ІУ.3.2.Изменение концентрации углерода на поверхности при ее облучении электронами
ІУ.3.3.Обсуждение результатов
Глава V. РАССМОТРЕНИЕ КИНЕТИКИ ЭДЖТРОННО-СТИМУЛИРОВАННОЙ
ДЕСОРБЦИИ
§..УД.Сопоставление полученных результатов с KF-моделью ЭСД
§ У.2.Сравнительная характеристика MGE- и КГ-моделей
§ У.3.Построение диаграммы энергетических уровней аниона на поверхности
§ У.4.Рассмотрение кинетики ЭСД
§ У.5.Некоторые приложения кинетической модели ЭСД
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
Таблица I.
Вещество V м^о Ае103 3|'С б Се Сл С Аг
Энергия Оже-пиков (эВ) 32 (Ы -Г) 41 (Ы-Р) 51 Ш°) 662 (Р) 32 (М^-О) 43 (Мд. )-503 (0) 53 (Ае-0) 64 Ш) 503 (0) 77 (31-0) 89 (31) 503 (0) 85 275 152 181 291 294 272
Д[ ] 3.0 2.2 2.0 1.7 0 Л .