Получение и исследование перестраиваемой генерации на кристаллах LiF:F-2 при мощном лазерном и ламповом возбуждении

• Автор: Морозов, Владимир Петрович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Минск
• Количество страниц: 132 c. : ил

Глава I. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ ВИДИМОГО И БЛИЖНЕГО

ИК - ДИАПАЗОНОВ . .'

§ І.І. Лазеры на растворах органических красителей

и полупроводниковые лазеры

§ 1.2. Перестраиваемые лазеры на основе кристаллов

§ 1.3. Радиационно-окрашенные кристаллы 1/F :

их свойства и перестраиваемые лазеры на их основе

Глава II. СПЕКТРАЛЬНО-ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ГЕНЕРАЦИОННЫЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИСТАЛЛОВ 1/Р:Г^

§ 2.1. Спектрально-люминесцентные характеристики

кристаллов ///”.*ПРИ низких плотностях возбуждения

§ 2.2. Кинетика люминесценции и генерации кристаллов l/P:F~ . Нелинейная зависимость интенсивности -люминесценции F~- ЦО при мощном возбуждении на ^ = 0,694 мкм
§ 2.3. Усилители на кристаллах L/F:F^
§ 2.4. Абсорбционные характеристики кристаллов
Р/Р: F's при высокоинтенсивном возбуждении
§ 2.5. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах Р/Р- Р'~ в несепективном резонаторе при высоких уровнях возбуждения

Глава III. МОЩНЫЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ
ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ
§ 3.1. Генерационные характеристики кристаллов//Л/Г
при различных схемах поперечного возбуждения
§ 3.2. Выбор схемы селективного резонатора
§ 3.3. Высокоэффективный перестраиваемый лазер на
кристалле с моноимпульсной накачкой
Глава ІУ. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ/.//^"
С НАКАЧКОЙ ИМПУЛЬСНЫМИ ЛАМПАМИ
§ 4.1. Усиление и генерация на кристаллах A/F-fJ
при ламповом возбуждении и комнатной температуре
§ 4.2. Спектрально-кинетические и энергетические особенности частотно-периодического режима генерации лазера на кристалле A/F-F/ при ламповой накачке
§ 4.3. Теоретический расчёт параметров генерации
лампового лазера на кристаллах A;F-F£ в условиях широкополосного возбуждения
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Создание новых типов лазеров является одной из непреходящих задач квантовой электроники. Это направление в первую очередь включает разработку и исследование лазерных систем с использованием новых активных сред.
С середины 70-х годов началось интенсивное исследование перестраиваемых лазеров на основе кристаллов с центрами окраски (ЦО), преимущественно щелочногалоидных (ЩГК). Уже первые выполненные в этом направлении работы позволили сделать вывод о том, что лазеры на таких средах могут быть вполне конкурентоспособными по отношению к другим источникам перестраиваемого излучения прежде всего в видимой и ближней ИК-области спектра. Они обладают относительно небольшими порогами генерации: работают как в импульсном, так и
в непрерывном режимах. Возможны высокоэффективное сужение пинии генерации этих лазеров с высокой стабильностью по частоте и по мощности, плавная перестройка длины волны излучения в широком спект -ральном диапазоне /I/.
К началу наших исследований (1980 год) работы по перестраиваемым лазерам на кристаллах с ЦО велись в нескольких группах в Со -ветском Союзе и за рубежом. Следует отметить, что исследования зарубежных учёных до последнего времени относятся, в основном, к лазерам на примесных (/^ (П), р в (П) и т.д.) центрах в ЩГК, эффективно работающих при криогенных температурах /2-4/.
При использовании различных типов ЦО в кристаллических матрицах созданы лазеры, перекрывающие спектральный диапазон 0,67-3,65 мкм /5/. Область плавной перестройки для отдельных лазеров этого типа доходит до 3-4 тыс.см“1 /6/. При возбуждении непрерывными

Рис.2.9.
- Схема устройства пространственной коммутации направлений:
К - кристалл &А- Гд - ЦО, , 5Гг - зеркала резонатора;
3 - затвор.
- Иллюстрация эффективности пространственного ключа: слева -в направлении I, справа - в направлении 2, внизу - при включенной добротности лазера %1р: Р 2 » ввеРху - при выключенной.