Исследование температурной зависимости работы выхода основных граней монокристалла молибдена

• Автор: Азизова, Далиля
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ташкент
• Количество страниц: 158 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ТКРВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

§1.1. О температурной зависимости работы выхода

электрона

§ 1.2. Современные теории анизотропии ТКРВ . . . 18

§ 1.3. Экспериментальные исследования ТКРВ монокристаллических поверхностей

§ 1.4. Выводы из обзора и постановка задач диссертации

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ РАБОТЫ ВЫХОДА

§ 2.1. Анализ кривой задержки в методе Шелтона . 45

§ 2.2. Обоснование выбора методики

§ 2.3. Конструкция экспериментального прибора

2.3.1. Препарирование монокристаллических

эмиттеров
2.3.2. Экспериментальный прибор
2.3.3. Вакуумные условия
§ 2.4. Анализ чистоты исследованных поверхностей 60
§ 2.5. Электрическая схема измерения
§ 2.6. Юстировка прибора и ее разрешающая способность 71
§ 2.7. Оценка и учет поправок к величине задерживающего потенциала
2.7.1. Поправка на термо э.д.с. между эмиттером
■ и коллектором

2.7.2. Оценка величин возможных падений напряжений 80
ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
§ 3.1. Влияние адсорбции молекул остаточного газа
на коллекторе на кривые задержки
§ 3.2. Исследование ТКРВ контрастных граней вольфрама
3.2.1. Проце,дура и результаты измерений ТКРВ вольфрама
3.2.2. Определение термоэмиссионных параметров исследованных граней монокристалла вольфрама 93
3.2.3. Контроль согласованности полученных результатов
§ 3.3. Исследование ТКРВ основных граней монокристалла молибдена
3.3.1. Исследование влияния состояния поверхности коллектора на результаты измерения ТКРВ
эмиттера
3.3.2. Исследование ТКРВ плотноупакованных граней
(100) и (110) монокристалла молибдена . . 104
3.3.3. Определение термоэмиссионных параметров исследованных граней молибдена I07
§ 3.4. Исследование упругого отражения медленных
электронов от поверхности граней Мо . . . . II3-II4
3.4.1. Методика исследования КУО медленных электронов в приборе типа Шелтона
3.4.2. Энергетическая зависимость КУО медленных электронов от граней монокристалла молибдена II8-I23
ГЛАВА 4. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
§ 4.1. Температурная зависимость работы выхода граней
монокристаллов

§ 4.2. Анализ анизотропии ТКРВ граней монокристалла молибдена с точки зрения современных теорий
§ 4.3. Оценка вклада термогенерации точечных дефектов на поверхности грани в ее ТКРВ . . . 133
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА

рукция экспериментального прибора позволяет замену функций эмиттера и коллектора.
4. Использование автоматической записи кривой задержки за 30 с в условиях сверхвысокого вакуума ( р ^ 1’1СР^ тор) и нагретого до 1500-2100 К эмиттера обеспечивает сохранение состояния чистоты поверхности эмиттера за один цикл эксперимента.
5. Прямолинейность кривых задержки в полулогарифмическом масштабе, свидетельствующее о максвелловском распределении эмиттированных электронов по энергиям, позволяет аналитическое определение температуры эмиттера в каждом цикле измерений.
6. Сравнение зависимостей коллекторного тока от ускоряющего потенциала коллектора в режимах отбора и запирания неупруго отраженных и вторичных электронов позволяет определить величину и энергетическую зависимость коэффициента упругого отражения электронов от поверхности коллектора в области низких энергий.
7. Значения коллекторного тока в ускоряющей области с поправкой на упругое отражение могут быть использованы для точного определения параметров ричардсонова графика - работы выхода эмиттера и постоянной Ричардсона.
8. Вариации угла между направлениями магнитного и электрического поля (в пределах нескольких градусов) позволяют проводить зондирование средней части эмиттера.
9. Исследование кривых задержки при постоянной температуре эмиттера и ряда значений температур коллектора (вплоть до температур, при которых можно пренебречь термоэмиссией) позволяет определить температурную зависимость работы выхода коллектора в области низких температур. Если же эмиттер и кол-