Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Мишнёв, Анатолий Александрович
01.04.04
Кандидатская
1984
Харьков
188 c. : ил
Стоимость:
499 руб.
С ОДЕРЖАНИЕ
ГЛАВА I. ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1.1. Неравновесные электронные процессы в полупроводниковых диодах
1.2. Исходная система уравнений
1.3. Граничные условия для р-п перехода
1.4. Обобщенные граничные условия Хоозера для р-п перехода и контакта металл-полупроводник
1.5. Вольт-амперные характеристики длинных диодов
Задачи диссертационного исследования
ГЛАВА 2. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ЗАВИСИМОСТИ ГРАНИЧНЫХ КОНЦЕНТРАЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ОТ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНЖЕКЦИИ КОНТАКТОВ.
2.1. Свойства вплавных контактов металл-германий
2.2. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р-р+ структур
2.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-м структуры
2.4. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в p-области м-р-м структуры
2.5. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-р+ структуры
2.6. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в р-области м-р-р+ структуры
2.7. Связь между коэффициентами упн и уп , )^рн и
Выводы
ГЛАВА 3. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ
М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНІЕКЦИИ КОНТАКТОВ НА КВАЗИНЕЙТРАЛЬНОСТЬ Р-ОБЛАСТИ.
3.1. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р-р+ структур
3.2. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-м структуры
3.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-р+ структуры
3.4. Связь между коэффициентами упн и Уп , урн
И Хр
Выводы
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ ГЕРМАНИЕВЫХ М-Р-М, М-Р-Р+, М-Ы-М, М-М-Р+
СТРУКТУР С ЗАПОРНЫМИ М-Р И АНТИЗАПОРНЫМИ М-Н КОНТАКТАМИ.
4.1. Постановка задачи и методика эксперимента. . . . ИЗ
4.2. Технология изготовления германиевых структур
4.3. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль средней области германиевых структур
4.4. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-р-м и м-р-р+ структур
4.5. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-п-м и м-п-р+ структур. 152 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Рис. 2.1. Схематическое изображение диодной м-р-м структуры.
1* -1 1+ Ч
к -I к “1
й К »1 р |+ 1 Г*
I'5' г
к -1 к
к„ -1 к
-| !
О £е*т Ср
Рис. 2.2. Схематическое изображение: диодной и-р-рг*- структуры».
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Электрофизические свойства линейно-цепочечного углерода (карбина) | Праздников, Юрий Евгеньевич | 2005 |
Плазменный источник электронов для генерации импульсных пучков в форвакуумной области давлений | Медовник, Александр Владимирович | 2010 |
Спектры магнитных и решеточных возбуждений высокотемпературных сверхпроводников | Иванов, Александр Сергеевич | 2017 |