Исследование длинных диодных германиевых структур с запорными и антизапорными контактами металл-проводник

• Автор: Мишнёв, Анатолий Александрович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Харьков
• Количество страниц: 188 c. : ил

С ОДЕРЖАНИЕ

ГЛАВА I. ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.

1.1. Неравновесные электронные процессы в полупроводниковых диодах

1.2. Исходная система уравнений

1.3. Граничные условия для р-п перехода

1.4. Обобщенные граничные условия Хоозера для р-п перехода и контакта металл-полупроводник

1.5. Вольт-амперные характеристики длинных диодов

Задачи диссертационного исследования

ГЛАВА 2. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ЗАВИСИМОСТИ ГРАНИЧНЫХ КОНЦЕНТРАЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ОТ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНЖЕКЦИИ КОНТАКТОВ.

2.1. Свойства вплавных контактов металл-германий

2.2. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р-р+ структур
2.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-м структуры
2.4. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в p-области м-р-м структуры
2.5. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-р+ структуры
2.6. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в р-области м-р-р+ структуры

2.7. Связь между коэффициентами упн и уп , )^рн и

Выводы
ГЛАВА 3. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ
М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНІЕКЦИИ КОНТАКТОВ НА КВАЗИНЕЙТРАЛЬНОСТЬ Р-ОБЛАСТИ.
3.1. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р-р+ структур
3.2. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-м структуры
3.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной
м-р-р+ структуры
3.4. Связь между коэффициентами упн и Уп , урн
И Хр
Выводы
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ ГЕРМАНИЕВЫХ М-Р-М, М-Р-Р+, М-Ы-М, М-М-Р+
СТРУКТУР С ЗАПОРНЫМИ М-Р И АНТИЗАПОРНЫМИ М-Н КОНТАКТАМИ.
4.1. Постановка задачи и методика эксперимента. . . . ИЗ
4.2. Технология изготовления германиевых структур
4.3. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль средней области германиевых структур
4.4. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-р-м и м-р-р+ структур

4.5. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-п-м и м-п-р+ структур. 152 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Рис. 2.1. Схематическое изображение диодной м-р-м структуры.
1* -1 1+ Ч
к -I к “1
й К »1 р |+ 1 Г*
I'5' г
к -1 к
к„ -1 к
-| !
О £е*т Ср
Рис. 2.2. Схематическое изображение: диодной и-р-рг*- структуры».