Улучшение энергетических параметров сверхкоротких импульсов, формируемых генераторами на основе диодов с накоплением заряда

• Автор: Степкин, Владислав Андреевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 135 с. : ил.

Содержание
Список используемых сокращений
Введение
Глава 1. Исследование процессов в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда в режиме переключения
1.1. Процессы накопления неосновных носителей заряда в полупроводниковой структуре диода
1.2. Параметры диодов с накоплением заряда
1.3. Процессы, протекающие в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов
1.4. Экспериментальное исследование переходных процессов в диодах с накоплением заряда в режиме переключения
1.5. Методика измерения параметров ДНЗ
Выводы
Глава 2. Моделирование диодов с накоплением заряда
2.1. Анализ методов моделирования ДНЗ
2.2. Математическая модель ДНЗ, учитывающая процессы рекомбинации и утечки носителей зарядов в сильнолегированные области полупроводниковой стуктуры
2.3. Моделирование процессов в полупроводниковой структуре ДНЗ при помощи САПР
2.4. Определение модельных параметров ДНЗ по экспериментальным данным
2.5. Определение модельных параметров диода с накоплением заряда 2А609Б
Выводы
Глава 3. Генераторы сверхкоротких импульсов с индуктивным
накопителем энергии
3.1. Схемы генерации СКИ. Процессы, ограничивающие амплитуду и частоту повторения генерируемых СКИ
3.2. Генерация СКИ с длительным накоплением заряда
3.3. Способ генерации СКИ с одновременной накачкой заряда ДНЗ и накоплением магнитной энергии
Выводы
Глава 4. Тестирование стойкости элементной базы к воздействию импульсных помех
4.1. Обратимые отказы, возникающие при воздействии импульсной помехи на МШУ
4.2. Методика автоматизированного тестирования полупроводниковой электронной элементной базы на стойкость к импульсным воздействиям
4.3. Экспериментальное исследование стойкости полевых транзисторов с затвором Шоттки
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы
Список используемых сокращений
АИС - автоматизированный измерительный стенд
ВАХ - вольтамперная характеристика
ВГДЦ - верхняя граница динамического диапазона
ГОСТ - государственный стандарт
ДНЗ - диод с накоплением заряда
ДРВ - диод с резким восстановлением обратного сопротивления
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС — радиоэлектронное средство
САПР - система автоматизированного проектирования
СВЧ - сверхвысокие частоты
СКИ - сверхкороткие импульсы
ЭМС - электромагнитная совместимость
SRD - Step Recovery Diode

Лп = <7«рЗ
(1.6)
где Жрз - протяжённость р - области, Ьп3 - диффузионная длина для электронов в р+ - области, Вп3 - коэффициент диффузии для электронов.
Плотности токов утечки и токов инжекции электронов и дырок Jn и Jp в область собственного полупроводника в установившемся режиме и при отсутствии рекомбинации удовлетворяют уравнениям
Если полупроводник всех трёх областей диода имеет одну и ту же ширину запрещённой зоны, то
В ином случае пусть ширина запрещённой зоны полупроводника в п+, I и р+ областях равна соответственно
'Л, — 1п
(1.7)
(1.8)
Из (1.6) и (1.5) следует, что
(1.9)
Из (1.3) и (1.2) следует, что
(1.10)
Вследствие (1.1):
(1.11)
Вследствие (1.4):
(1.12)
У „і — ис, и ис7
Тогда
иVI = иА + Щ, и ис2 = иу2 + А. (1.13)