Нелинейные среды для эффективного отражения при четырехволновом взаимодействии на 10,6 МКМ

• Автор: Мусаев, Мусавер Абдусалам оглы
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 175 c. : ил

ОГДАВЛЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ g

1.1. Обращение волнового фронта оптического излучения: Основные понятия и свойства

1.2. Методы ОВФ в нелинейных средах. Вырожденное четырехволновое взаимодействие

1.3. Механизмы нелинейного взаимодействия и среды для ОВФ ЧВ на длине волны 10,6 мкм

1.3.1 Механизм нелинейности третьего порядка связанной

с. ангармоничностью колебаний осциллятора

1.3.1.1 Ангармонизм движения связанных электронов

в полупроводниках

1.3.1.2. Ангармонизм колебательного движения в молекулярных газах

1.3.2. Нелинейная восприимчивость свободных носителей

в полупроводниках
1.3.3. Генерация свободных носителей
1.3.4. Эффекты насыщения
Глава II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТРАЖЕНИЯ
ПРИ ЧВ ИЗЛУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО С02-ЛАЗЕРА
2.1. Импульсный одномодовый одночастотный лазер
2.2. Приборы и методы измерения параметров излучения импульсных С02- лазеров
2.3. Исследование характеристик одномодового одночас- '
тотного импульсного С02- лазера
2.4. Экспериментальная установка для исследования отражения при ЧВ и методика измерения эффективности отражения
2.5. Исследование отражения при ЧВ в

Глава III. ОТРАЖЕНИЕ ПРИ ЧВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1. Вклад теплового механизма нелинейности в отражение при ЧВ в полупроводниках
3.1.1. Расчет вклада теплового механизма нелинейности
в эффективность отражения при ЧВ
3.1.2. Экспериментальные результаты
3.2. Исследование отражения при ЧВ в М$, Мб и
Са£б
3.2.1. Измерение коэффициента линейного поглощения
3.2.2. Измерение порога разрушения
3.2.3. Измерения констант нелинейного поглощения в
1пЯё и 1пАз>
3.2.4. Расчет эффективности отражения при ЧВ с учетом
линейного и нелинейного поглощения
3.2.5. Зависимость /?. от в образцах 1п$& и
Мб при комнатной температуре
3.2.6. Влияние температуры на /£. при ЧВ в узкозонных полупроводниках
3.3. Нелинейная восприимчивость третьего порядка
вМВ и 1/7$|
ГЛАВА 37. ИССЛЕДОВАНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ В РЕЗОНАНСНЫХ
МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАЗАХ
4.1. Механизмы нелинейности при ЧВ в молекулярных
газах
4.1.1. Исследование отражения при ЧВ в все,
* -у V
4.1.2. Исследование отражения ЧВ в
4.2. Отражение в при нестационарном ЧВ
4.3. Отражение в при стационарном ЧВ

ПРИЛОЖЕНИЕ. Температурная зависимость показателя преломления в
полупроводниках
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Рис,2.2 а,б. Электрические схемы секции низкого давления (а) и секции высокого давления (б) гибридного лазера. Р-разрядники, Ср конденсаторы, сопротивления, I, - катушка индуктивности.