Исследование самодифракции сложных световых пучков в фоторефрактивных кристаллах

• Автор: Мурашко, Иван Викторович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 131 с.

Оглавление
Список сокращений
Введение
1 Основы эффекта фоторефракции
1.1 Введение
1.2 Процесс формирования голографических решеток в ФРК
1.2.1 Фоточувствительные центры в ФРК
1.2.2 Процессы генерации и рекомбинации свободных носителей заряда
1.2.3 Процессы переноса свободных носителей заряда
1.2.4 Процесс формирования поля пространственного заряда
1.2.5 Линейный электрооптический эффект в ФРК
1.2.6 Система уравнений, описывающая процесс формирования голографических решеток в ФРК
1.3 Решение системы уравнений, описывающей процесс формирования поля пространственного заряда
1.3.1 Решение для нулевого порядка малости
1.3.2 Решение для первого порядка малости
1.3.3 Стационарный режим записи

1.4 Двухволновое взаимодействие света в фоторефрактивных
кристаллах
1.4.1 Постановка задачи и вывод основных уравнений
1.4.2 Процессы перекачки энергии при двух-волновом взаимодействии света вФРК
1.4.3 Нестационарные механизмы записи голографических
решеток в ФРК
1.4.4 Фенинг
1.5 Случай примесей двух сортов
1.5.1 Постановка задачи
1.5.2 Решение для первого порядка малости
2 Двойное некогерентное обращающее зеркало
2.1 Введение
2.2 Постановка задачи
2.3 Вывод основных уравнений
2.3.1 Поля падающие на кристалл слева
2.3.2 Поля падающие на кристалл справа
2.3.3 Вывод уравнений для среды
2.3.4 Окончательный вид уравнений
2.4 Численные расчеты модели двойного некогерентного.обращающего зеркала
2.4.1 Динамика генерации в схеме двойного некогерентного
обращающего зеркала
2.4.2 Запись-стирание голографических решеток

3 Полулинейный генератор
3.1 Введение
3.2 Постановка задачи
3.3 Вывод основных уравнений
3.3.1 Поля падающие на кристалл слева
3.3.2 Поля падающие на кристалл справа
3.3.3 Вывод уравнений для среды
3.3.4 Окончательный вид уравнений
3.4 Численные расчеты модели полулинейного генератора
Заключение и выводы
Литература

Обозначение Формула Ед. изм. вщо BaTiOj,
TR _ _ 1 TR - ^RNAn S о От ^1 о: 1 сл 1.0- 10~
Ет у ; г~1 гт- К 0.66 • ю7 0.5 •
Е, V 1 гт,2 ' К 1.0 • 106 0.28 •
Таблица 1.2. Некоторые параметры эволюционного уравнения поля пространственного заряда Esc для материалов В SO и ВаТЮ%, К - волновой вектор
Очень часто рассматривают задачу, в которой внешние поля Eq и Ed малы, так что
Ео С Em, Eq

Ed Ет, Eq
Для этого случая, дЕ
Teff~dt~ = ~ + (Е° + ~ Esc■ (L27)
На основании данных таблицы 1.1 можно подсчитать параметры, которые входят в соотношение 1.26. Результаты представлены в таблице 1.2.
1.3.3. Стационарный режим записи
Особый интерес представляет стационарный режим записи решеток поля пространственного заряда Esc при котором
^ = 0. (1.28) dt
При этом имеет смысл рассмотреть два предельных случая:
• Eq, Ed ^ Ет, Eq