Влияние кинетических процессов на электромагнитные свойства мелких частиц сложной структуры и тонких металлических проволок

• Автор: Завитаев, Эдуард Валерьевич
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 276 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение

Глава 1 Анализ современного состояния проблемы

Глава 2 Магнитное дипольное поглощение неоднородной сферической

частицы

2.1 Постановка задачи

2.2 Случай диффузного рассеяния электронов на поверхностях сферической частицы из металла с диэлектрическим ядром
2.3 Случай зеркально-диффузного рассеяния электронов на поверхностях сферической частицы из металла с диэлектрическим ядром

2.4 Магнитное дипольное поглощение биметаллической сферической частицы

Глава 3 Магнитное дипольное поглощение неоднородной цилиндрической частицы

3.1 Постановка задачи

3.2 Случай диффузного рассеяния электронов на поверхностях цилиндрической частицы из металла с диэлектрическим ядром
3.3 Случай зеркально-диффузного рассеяния электронов на поверхностях цилиндрической частицы из металла с диэлектрическим ядром
3.4 Магнитное дипольное поглощение биметаллической цилиндрической частицы
3.5 Магнитное дипольное поглощение неоднородной цилиндрической частицы конечной длины
Глава 4 Электрическое дипольное поглощение неоднородной цилиндрической частицы
4.1 Постановка задачи
4.2 Случай диффузного рассеяния электронов на поверхностях цилиндрической частицы из металла с диэлектрическим ядром
4.3 Случай зеркально-диффузного рассеяния электронов на поверхностях цилиндрической частицы из металла с диэлектрическим ядром
4.4 Электрическое дипольное поглощение биметаллической цилиндрической частицы
Глава 5 Электрическая проводимость тонких металлических проволок
5.1 Постановка задачи
5.2 Случай диффузного рассеяния электронов на внутренней поверхности тонкой цилиндрической проволоки
5.3 Случай зеркально-диффузного рассеяния электронов на внутренней поверхности тонкой цилиндрической проволоки
5.4 Случай диффузного рассеяния электронов на внутренней поверхности тонкой проволоки прямоугольного сечения
Глава 6 Электрическая проводимость тонкой цилиндрической проволоки из металла в продольном магнитном поле
6.1 Постановка задачи
6.2 Случай диффузного рассеяния электронов на внутренней поверхности тонкой цилиндрической проволоки
6.3 Случай зеркально-диффузного рассеяния электронов на внутренней поверхности тонкой цилиндрической проволоки
Заключение
Список литературы

особенностью поведения безразмерного сечения поглощения является сдвиг по фазе для кривых, построенных при различных значениях К, и, сглаживание осцилляций частотной зависимости с увеличением этого отношения (из-за уменьшения объёма металла в частице). При больших частотах внешнего поля (у »1) основной вклад в поглощение вносят электроны, находящиеся в узких слоях металла вблизи отражающих поверхностей внутри частицы (толщина этих слоев 1 ~ Ур / со ). Поэтому при больших частотах сечение поглощение увеличивается с ростом параметра К, несмотря на то, что в этом случае объём металла в частице уменьшается. Дело в том, что при этом становится больше площадь поверхности, на которой происходит рассеяние электронов и, следовательно, объём поглощающего слоя. Максимум безразмерного сечения поглощения при малых х (х « 1) соответствует случаю, когда время пролёта электронов между двумя отражающими поверхностями близко к периоду внешнего электромагнитного поля. Второй рисунок соответствуют случаю фиксированного отношения радиуса ядра к радиусу частицы К, при этом безразмерная обратная длина свободного пробега х разная для каждой кривой. С увеличением радиуса частицы, осцилляции сечения поглощения становятся менее выраженными, что объясняется влиянием объёмных столкновений электронов внутри металлического слоя частицы.
На рис. 2.3 приведены графики зависимости безразмерного сечения поглощения р от безразмерной обратной длины свободного пробега электронов х. Если постоянно отношение радиуса ядра к радиусу частицы К, то безразмерное сечение поглощения уменьшается с уменьшением частоты внешнего поля (кроме узкой области низких частот). С ростом К поглощение на одних и тех же частотах заметно изменяется по величине.
В данной работе, кроме зависимости безразмерного сечения поглощения Р от х и у, добавляется его зависимость от отношения радиуса ядра к радиусу частицы К. Для анализа этой зависимости воспользуемся рис. 2.4,