Применение метода рентгеноэлектронной спектроскопии для исследования химического строения сложных медных оксидов в сверхпроводящем состоянии

• Автор: Наймушина, Екатерина Александровна
• Шифр специальности: 01.04.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Ижевск
• Количество страниц: 164 с.

ВЕДЕНИЕ
Глава 1. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СЛОЖНЫХ МЕДНЫХ ОКСИДОВ
1.1. Особенности кристаллической структуры сложных медных
оксидов на основе меди
1.2 Электронное строение ВТСП систем У-Ва-Си-О и ВГЗг-Са-Си-О
1.2.1. Теоретические расчеты электронной структуры ВТСП
1.2.2. Анализ электронной структуры ВТСП на основе экспериментальных исследований при комнатной температуре
1.2.2.1. Исследование электронной структуры валентных состояний атомов высокотемпературных сверхпроводников
1.2.2.2. Исследование электронной структуры остовных уровней атомов высокотемпературных сверхпроводников
1.2.2.3. Влияние допирования на электронную структуру ВТСП
ГЛАВА 2. ПРИНЦИПЫ И ВОЗМОЖНОСТИ МЕТОДА РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
2.1. Основные принципы метода РЭС и его возможности
2.2. Электронные спектрометры
2.2.1. Рентгеноэлектронные магнитные спектрометры
ГЛАВА 3. РАЗВИТИЕ МЕТОДА РЭС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СЛОЖНЫХ МЕДНЫХ ОКСИДОВ
3.1. Синтез, структура и свойства ВТСП образцов
3.1.1. Синтез, структура и свойства магнетронных 1-2-3 пленок
3.1.2. Синтез, структура и свойства термообработанной керамики ВТСП систем У-Ва-Си-О и В1-8г-Са-Си-0
3.2. Разработка методики получения спектров высокотемепературных сверхпроводников при температурах ниже критической

3.2.1. Приставка для исследования образцов при низких температурах
3.2.2. Приставка для механической чистки поверхности образцов
3.2.3. Методика очистки поверхности образцов при понижении температуры до 80 К
3.2.4. Устранение эффекта зарядки
3.2.5. Выбор режимов съемки спектров
3.3. Методика идентификации рентгеноэлектронных спектров внутренних
уровней
ГЛАВА 4. РАЗВИТИЕ МЕТОДА РЭС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВТСП СИСТЕМ С ЦЕЛЬЮ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ, К ПЕРЕХОДУ СИСТЕМЫ В СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ СОСТОЯНИЕ
4.1. Определение основных параметров рентгеноэлектронных спектров эталонной ВТСП системы У-Ва-Си-О. чувствительных к понижению температуры системы до температуры жидкого азота
4.1.1 Рентгеноэлектронное исследование влияния температуры на форму рентгеноэлектронных спектров высокотемпературных сверхпроводящих пленок УВа2СизОб.75
4.1.1.1. Исследование рентгеноэлектронных спектров меди при комнатной температуре и температуре жидкого азота
4.1.1.2. Рентгеноэлектронный спектр валентной полосы ВТСП УВа^СизОвл при комнатной температуре и температуре жидкого азота
4.1.1.3. Исследование изменения химической связи атомов бария при понижении температуры ниже температуры сверхпроводящего перехода

4.1.2. Сравнительное рентгеноэлектронное исследование тонкопленочных и поликристаллических объемных образцов УВа2Си307.8
4.1.3. Рентгеноэлектронное исследование влияния содержания кислорода на химическое строение ВТСП Y-Ba Cu-O
4.1.3.1. Исследование рентгеноэлектронных спектров меди в зависимости от содержания кислорода в ШагСщОу.д
4.1.3.2. Исследование влияния содержания кислорода на ближнее окружение атомов бария
4.1.3.3. Исследование рентгеноэлектронных спектров Ois для образцов YBa2CusOx с различным содержанием кислорода (х — 6; 6.75; 6.95)
4.1.4. Влияние допирования на форму рентгеноэлектронных спектров УВагСизОу^
4.2. Создание модели изменения химического строения системы при температурах ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние
4.3. Рентгеноэлектронное исследование изменения сверхпроводящих свойств ВТСП системы Bi-Sr-Ca-Cu-0 в зависимости от состава и температуры
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Рис. 1.11 Рентгеноэлектронные Си2р3/2 спектры металлической меди, СиО, Ма2Си02 и ¥Ва2Си307 [67]