Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы

• Автор: Колпаков, Всеволод Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Самара
• Количество страниц: 278 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ
Оглавление

ГЛАВА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАПРАВЛЕННЫХ ПОТОКОВ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ВНЕЭЛЕК-ТРОДНОЙ ПЛАЗМЫ ВЫСОКОВОЛЬТНЫМ ГАЗОВЫМ РАЗРЯДОМ

1.1 Анализ приборов, формирующих низкотемпературную плазму
высоковольтного газового разряда
1.2 Исследование особенностей низкотемпературной внеэлектродной плазмы
1.3 Модификация конструкции высоковольтного газоразрядного прибора
1.4 Новые приборы, формирующие направленные потоки низкотемпературной внеэлектродной плазмы
1.4.1 Многолучевой генератор газоразрядной плазмы
1.4.2 Фокусатор газоразрядной плазмы
Выводы
ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ЭКСПРЕСС - КОНТРОЛЯ И ПОВЫШЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ
2.1 Трибометрический метод и устройство экспресс—контроля чистоты поверхности
2.2 Исследование особенностей трибометрического взаимодействия диэлектрических подложек при экспресс-контроле степени чистоты их поверхности
2.3 Анализ частиц внеэлектродной плазмы, взаимодействующих с поверхностью материала

2.4 Исследование механизма очистки поверхности в направленном потоке внеэлектродной плазмы
2.4.1 Механизм очистки
2.4.2 Модель очистки. Основные выражения
2.4.3 Экспериментальное исследование зависимости степени чистоты поверхности от физических параметров плазмы
2.5 Методика трибометрического экспресс - контроля чистоты поверхности
2.6 Методика финишной очистки поверхности во внеэлектродной плазме

Выводы
ГЛАВА 3 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА АДГЕЗИИ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК ПОСЛЕ БОМБАРДИРОВКИ ИХ ПОВЕРХНОСТИ ИОННО-ЭЛЕКТРОННЫМ ПОТОКОМ
3.1 Механизм увеличения адгезии
3.2 Модель адгезии. Основные выражения
3.3 Экспериментальное исследование влияния на адгезию параметров бомбардировки ионно-электронным потоком
3.4 Методика формирования маскирующих слоев повышенной
адгезионной прочности
Выводы
ГЛАВА 4 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПРОСТРАНСТВЕННОСЕЛЕКТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ВО ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ ПЛАЗМЕ
4.1 Методика подготовки образцов для проведения эксперимента по

травлению материалов во внеэлектродной плазме
4.2 Механизмы плазмохимического и ионно-химического травления материалов во внеэлектродной плазме
4.3 Аналитическое описание метода оценки скорости травления материалов
4.4 Алгоритм и программный комплекс для определения значений параметров режимов травления
4.5 Э кспериментальное исследование механизмов травления материалов во внеэлектродной плазме
4.5.1 Исследование влияния температуры на скорость травления
4.5.1.1 Метод определения температуры поверхности в области её взаимодействия с потоком низкотемпературной плазмы
4.5.1.2 Экспериментальное исследование температурной зависимости скорости травления
4.5.2 Эффект объемной модификации полимеров в направленном потоке низкотемпературной плазмы
4.6 Анализ качества травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов
4.7 Методика формирования микрорельефа методом плазмохимического травления во внеэлектродной плазме
4.8 Методика формирования микрорельефа методом и онно-химического
травления во внеэлектродной плазме
Выводы
ГЛАВА 5 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ДИФФУЗИИ АТОМОВ ПОЛУПРОВОДНИКА В ЖИДКОЙ ФАЗЕ МЕТАЛЛА ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СТРУКТУРЫ АЛЮМИНИЙ-КРЕМНИЙ ПОТОКОМ ВНЕЭЛЕКТРОДНОЙ ПЛАЗМЫ
5.1 Исследование механизма взаимодействия атомов полупроводника с потоком «вакансий» в расплаве при бомбардировке его поверхности

прибора и высоковольтного ввода. Это значительно усложняет эксплуатацию прибора, и, поскольку выгорают дорогостоящие материалы, повышает его стоимость. Таким образом, в настоящем разделе для устранения перечисленных недостатков предлагается модифицировать конструкции изоляции катодного узла, анода-сетки, кабеля электропитания и высоковольтного ввода.
Рисунок 1.8- Схема конструкции ВГП: 1 - корпус, 2 - анодное кольцо,
3 - анод-сетка, 4 - фторопластовая прокладка, 5 - катод,
6 - изолятор катода, 7 - крышка корпуса, 8 - высоковольтный кабель,
9 - контактный колпачок, 10 - высоковольтный ввод,
11 - резиновая прокладка, 12 - дно рабочей камеры