Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками

• Автор: Брунков, Павел Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 315 с. : ил.

Оглавление
Оглавление
Введение
Глава 1 Емкостная спектроскопия полупроводниковых
гетероструктур с квантовыми ямами
1.1 Физические основы метода емкостной спектроскопии полупроводниковых гетероструктур
1.2 Расчет С-У и Лг(т- УУ характеристик полупроводниковых гетероструктур, с использованием самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера
1.3 Численное решение самосогласованных дифференциальных уравнений Пуассона и Шредингера методом конечных разностей
1.3.1 Пример расчета параметров одиночной квантовой ямы
1.3.2 Примеры расчета С-У и 1Мсу''У характеристик диодов Шоттки, на основе полупроводниковых гетероструктур
1.4 Емкостные измерения полупроводниковых структур
1.4.1 Влияние глубоких уровней на СУ измерения полупроводниковых структур
1.4.2 Спектроскопия полной проводимости
1.4.3 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней
1.5 Анализ экспериментальных С-У и характеристик
диодов Шоттки, на основе полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами
1.5.1 Экспериментальное исследование влияния дефектов с глубокими уровнями и частоты измерительного сигнала емкостного моста на С-У характеристику диодов Шоттки с квантовыми ямами

1.5.2 Анализ экспериментальных С-У характеристик диодов Шоттки на основе полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами
1.6 Заключение к Г лаве
Глава 2 Емкостная спектроскопия полупроводниковых
гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками
2.1 Самоорганизованные квантовые точки ТпАй в матрице ОаАэ.

2.2 Импеданс диода Шоттки, содержащего плоскость самоорганизованных квантовых точек
2.3 Квазистатическая модель для расчета С-У и Мсу-У характеристик диодов Шоттки на основе полупроводниковых гетероструктур с плоскостью самоорганизованных квантовых точек
2.4 Экспериментальное исследование электронной структуры одиночных слоев самоорганизованных КТ 1пА.5/СаА8 с помощью емкостной спектроскопии
2.5 Исследование механизма эмиссии носителей заряда из самоорганизованных КТ 1пАз/СаАз
2.5.1 Спектроскопия полной проводимости структур с самоорганизованными КТ
2.5.2 Нестационарная емкостная спектроскопия структур с самоорганизованными КТ
2.6 Заключение к Г лаве
Глава 3 Фототоковая спектроскопия структур
самоорганизованными КТ 1пАз/СаАз
3.1 Исследование процессов формирования сигнала фототока в структурах с самоорганизованными КТ
3.2 Моделирование сигнала фототока от КТ

3.3 Анализ температурной зависимости сигнала фототока от КТ
3.4 Исследование эффекта спектрального гашения в спектрах фототока структур с самоорганизованными КТ
3.5 Заключение к Г лаве
Глава 4 Емкостная спектроскопия эпитаксиальных слоев
низкотемпературного ваАя с наноразмерными кластерами мышьяка.

4.1 Исследование С-V и Ncv-W характеристик диодов Шоттки, содержащих слой LT-GaAs
4.2 Моделирование С-V и Ncv-W характеристик диодов Шоттки, содержащих слой LT-GaAs
4.3 Заключение к Г лаве
Заключение
Список публикаций, включенных в диссертацию
Список цитированной литературы

Как следует из нашего опыта, устойчивость схождения системы уравнений ухудшается с понижением температуры и с увеличением количества квантоворазмерных состояний в структуре. В этом случае необходимо понижать величину а, что приводит к увеличению количества итераций и, соответственно, времени, необходимого для выполнения вычислений.
На выходе программы получаем форму эффективного потенциала У(г) как функцию напряжения смещения Угеу, приложенного к диоду Шоттки.
Данный алгоритм был реализован в виде пакета программ на языке Турбо Паскаль и Ое!рЫ 5.