Радиационно-стимулированные процессы агрегации дефектов в ионных кристаллах

• Автор: Экманис, Юрий Арнольдович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Рига
• Количество страниц: 429 c. : ил

I. Введение
Глава II. Радиационные процессы агрегации дефектов
в ионных кристаллах
2.1. Терминология описания процессов агрегации точечных дефектов с образованием макродефектов
2.2. Первичные реакции взаимодействия радиации
с веществом
-2.3. Основные стадии агрегации точечных дефектов
2.3.1. Первичные электронные агрегатные центры -окраски
2.3.2. Коллоидальные центры
2.3.2.1. Коллоидальные центры - агрегаты Г - центров
2.3.2.2. Образование агрегатов атомов металла
2.3.3. Галогенные продукты агрегации
2.4. Экспериментальное изучение агрегатных центров
окраски
2.4.1. Применение оптической абсорбционной спектроскопии для идентификации коллоидальных центров
2.4.2. Электронная микроскопия и элементный анализ
2.4.3. Радиоспектроскопические методы
2.4.4. Химический анализ радиационных продуктов

2.4.5. Радиационное изменение плотности и
объема
2.4.6. Определение запасания энергии
на дефектах решетки
2.5. Теория коалесценции Лифшица-Слезова
2.5.1. Распределение продуктов коалесценции
по размерам
2.5.2. Специфика процессов агрегации в щелочно-галоидных кристаллах
2.6. Описание распределения агрегатных центров
по размерам
2.6.1. Методика получения функции распределения
2.6.2. Применение функции распределения при описании кинетики роста коллоидальных центров
2.7. Выводы главы П
Глава III. Характеристика основных процессов агрегации
точечных радиационных дефектов
3.1. Энергетические факторы, определяющие выход конечных продуктов радиолиза
3.1.1. Влияние поглощенной дозы излучения
3.1.2. Влияние мощности дозы облучения
3.1.3. Роль температуры облучения и отжига радиационных дефектов
3.2. Специфическое влияние вида облучения
3.2.1. Процессы в треках заряженных частиц .,
3.2.2. Влияние нейтронного и реакторного облучения

3.2.3. Электронное и гамма-облучение
3.3. Поверхностные эффекты при агрегации
точечных дефектов
3.4. Влияние примесей на агрегацию радиационных дефектов
3.4.1, Анионные примеси
3.4.2, Влияние двухвалентных катионных
примесей
3.4.3, Примесные коллоидальные центры
3.5. Выводы к главе Ш
Глава IУ.Механизмы агрегации радиационных дефектов
при разложении ионных кристаллов
4.1. Процессы агрегации дырочных продуктов радиолиза
4.1.1. Образование межузельных галогенных кластеров
4.1.2. Взаимодействие между агрегатами электронных и дырочных центров окраски
4.2. Начальные процессы агрегации точечных радиационных дефектов
4.2.1. Понятие зародыша в ионных кристаллах
4.2.2. Кинетика образования зародышей
4.2.3. Роль дорадиационных дефектов
4.3. Кинетика образования коллоидальных центров
в объеме матрицы кристалла
4.3.1. Кинетика насыщения концентрации и радиационный распад коллоидальных центров
- 50 -
О £
предположительно содержат 10-10 отдельных точечных дефектов [218 ] (рис. 2.3, кривая 3). Способы получения таких агрегатов формально мало отличаются от описанных ранее способов создания - Г центров. Единственное существенное отличие это проведение освещения, например, аддитивно окрашенного КС? при повышенных температурах (540-550 К). При этом наблюдается фототер-мическая реакция типа } т#е. укрупнение агрегатов по
сравнению с ранее рассмотренными центрами. Однако при этой температуре реакция обратима, т.е, X-*■ Ь , если прекратить освещение. При облучении такие макроагрегаты возникают даже при температурах, близких к плавлению кристалла (323] , а также при азотных температурах [163 ] . Как правило, в обоих случаях известны только одиночные Г - центры и коллоидальные центры. Естественно возникает вопрос о промежуточных агрегатах. Из-за технических сложностей процессы агрегации электронных центров не изучены методами импульсной спектроскопии, поэтому нет данных о скоростях этих реакций. Наши попытки методом абсорбцион-

ной спектроскопии с временным разрешением Ю“°с обнаружить Г2- - центры не увенчались успехом. Также наши попытки исследования начальных размеров коллоидальных центров методом электронной микроскопии указали на наличие минимальных образований, начиная с ~ 50 5. Такие же размеры были получены Хоббсом и др. Г 213] . Даже примененная нами скоростная фотосъемка при азотных температурах на просвечивающем электронном микроскопе показала, что такие образования появляются за время короче