+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Корреляционная природа мотт-пайерлсовского фазового перехода изолятор-металл в диоксиде ванадия

  • Автор:

    Квашенкина, Ольга Евгеньевна

  • Шифр специальности:

    01.04.04

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2013

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    178 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

СОДЕРЖАНИЕ
Ведение
Глава 1. Обзор сведений о механизме фазового перехода изолятор-металл в диоксиде ванадия и о возможностях применения данного материала..
1.1 Анализ состояния вопроса о природе ФПИМ в диоксиде ванадия
1.2 Детали механизма ФПИМ в диоксиде ванадия
1.3 Особенности физических свойств тонких пленок диоксида ванадия
1.4 Обзор литературных данных о практическом применении систем на основе тонких пленок диоксида ванадия
1.5 Формулировка цели и постановка задач исследования
Глава 2. Описание образцов и методики эксперимента
2.1 Синтез образцов (метод лазерной абляции)
2.2 АСМ исследование поверхности пленочных образцов У
2.3 Методики насыщения образцов свободными электронами без нарушения электронейтральности
2.4 Исследование спектров комбинационного рассеяния света (КРС) в УСЬ.
2.5 Установка для экспериментов по снятию петель гистерезиса коэффициента отражения тонких пленок диоксида ванадия
2.6 Установка для изучения спектров отражательной и пропускательной
способностей тонких пленок диоксида ванадия
Глава 3. Разработка и экспериментальное обоснование общей схемы
механизма фазового перехода изолятор-металл в диоксиде ванадия
3.1 Результаты экспериментов
3.1.1 Серия 1: температурный гистерезис оптического коэффициента отражения негидрированных и гидрированных пленок У
3.1.2 Серия 2: Результаты исследования спектрального распределения
коэффициента отражения при различных температурах в негидрированных и гидрированных пленках У
3.1.3 Серия 3: Спектры комбинационного рассеяния света (КРС)
негидрированных и гидрированных пленок У

3.1.4 Серия 4: Спектры коэффициента пропускания негидрированных и гидрированных пленок
3.1.5 Серия 5: исследование частных петель гистерезиса отражательной
способности пленки У
3.2 Обсуждение результатов
3.2.1 Схема процессов, протекающих в У02 при ФПИМ, основанная на рассмотрения спектров отражения
3.2.2 Модель главной петли температурного гистерезиса
3.2.3 Частные петли термического гистерезиса
3.2.4 Интерпретация результатов по исследованию частных петель гистерезиса коэффициента отражения пленки У
3.2.5 Сравнительный анализ термического изменения положения максимума спектров коэффициента отражения гидрированных и негидрированных пленок У
3.2.6 Интерпретация результатов по исследованию спектров комбинационного рассеяния света металлической фазой У
3.2.7 Краткие выводы к главе
Глава 4. Применение полученных результатов
4.1 Устройства визуализации тепловых полей на основе использования среды А1-У02-Д
4.2 Информационные модули на основе термохромных индикаторов, предназначенные для отображения буквенно-цифровой информации в условиях интенсивной внешней освещенности
4.3 Визуализатор оптического излучения
4.4 Возможности улучшения свойств У02-элементов защиты приемных матриц от ослепляющего действия импульсного лазерного излучения ближнего и среднего ИК диапазона
4.5 Возможности улучшения характеристик лазерного затвора при
пассивной синхронизации мод импульсного ИК-лазера
Заключение
Список литературы

По указанным причинам у тонких пленок диоксида ванадия, в отличии от монокристаллов У02, при ФП оптические и электрические свойства меняются с температурой не скачком, а плавно, занимая протяженный температурный интервал [38].
Сказанное иллюстрирует рис. 7. Так, на рис.7а. показано температурное изменение коэффициента отражения тонкопленочного окисно-ванадиевого интерферометра, обусловленное температурной зависимостью оптических констант пленки У02 с характерным для этой зависимости термическим гистерезисом. На рис. 76. представлена петля гистерезиса электропроводности пленок У02. Заметим, что в тонких пленках величина перепада проводимости при фазовом переходе как правило меньше величины перепада проводимости монокристаллов.
В зависимости от типа подложки и условий синтеза пленок варьируется ширина и положение петли гистерезиса физических свойств. Так ширина петли может изменяться от 10 до 40°С, а положение петли может быть сдвинуто от 67° до отрицательных температур по шкале Цельсия. На ветвях петли могут также появляться ступеньки. Причины такого поведения будут изложены в главе III данной диссертационной работы.
рис.7: а - Петля гистерезиса отражательной способности пленки диоксида ванадия; б - Петля гистерезиса электропроводности.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.110, запросов: 967