Исследование нелинейных элементов СВЧ цепей на основе сегнетоэлектриков

• Автор: Никольский, Максим Андреевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 178 с. : ил.

Посвящается памяти бабушки и дедушки Жигулиным Лидии Сааковне и Виктору Васильевичу

Автор выражает благодарность и признательность своему научному руководителю и учителю Вендику Оресту Генриховичу за неиссякаемый запас новых идей, огромный научный опыт и моральную поддержку, которые послужили основой не только для написания диссертации, но и позволили автору накопить значительный научный задел для будущей деятельности, а также: Вендик И.Б., Барыбину A.A., Калиникосу Б. А.,
Козыреву А.Б., Зубко С.П., Гашиновой М.С., Тумаркину A.B. - за ценные замечания и поддержку,
Карманенко С.Ф. - за предоставленные образцы и поддержку, Семенову A.A., Ковшикову Н.Г., Дедык А.И. - за помощь в проведении измерений,
Лапшину A.B., Мелкову A.A., Холодняку Д.И.,
Курбанову А.Х., Плескачеву В.В. - за техническую помощь,
своим родителям Никольским Андрею и Нине - за поддержку, своим жене и дочери Никольским Елене и Полине - за поддержку и терпеливое ожидание, работающего над диссертацией мужа и папы.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Фазированные антенные решетки
1.2. Основные характеристики перестраиваемых СВЧ устройств на основе сегнетоэлектрических материалов
1.3. Физические предпосылки использования сегнетоэлектриков в приборах СВЧ диапазона
1.4. Феноменологическое описание диэлектрического отклика сегнетоэлектрика
1.5. Применение метода частичных емкостей и конформных отображений для расчета емкости слоистой структуры, содержащей сегнетоэлектрик
1.6. СВЧ фазовращатели на сегнетоэлектриках
ГЛАВА 2. ПОТЕРИ НА СВЧ В ЭЛЕКТРОДАХ РАСПРЕДЕЛЕННЫХ И
СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ.
ДОБРОТНОСТЬ ФАЗОВРАЩАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА
2.1. Поглощение СВЧ энергии в сегнетоэлектрическом материале
2.2. Поглощение СВЧ энергии в линии передачи с тонким слоем диэлектрика
2.3. Поглощение СВЧ энергии в сосредоточенном элементе на основе сегнетоэлектрика
2.4. Потери в копланарной линии передачи, содержащей сегнетоэлектрическую пленку
2.5. Потери во внешних цепях фазовращателя на основе сегнетоэлектрика
2.6. Фактор коммутационного качества сегнетоэлектрического компонента 7

используя сегнетоэлектрическую пленку, переменного состава по толщине. Например, подобный эксперимент был успешно реализован в работе [75].

Рис. 1.13. Типичные температурные зависимости
диэлектрической проницаемости для пленок: 1 - чистого ЭгТЮз,
2 - твердого раствора Вао^Бго^ТЮз, 3 - Вао^Эго^ТЮз, 4 -Вао^Бго,2Т1О3, 5 “ ВаТЮз.
Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь объемных образцов типичных представителей сегнетоэлектриков типа титаната стронция БгТЮз - титаната бария ВаТЮ3 довольно сильно зависят от напряженности поля и температуры (рис.1.12 в и рис.1.14), а диэлектрические потери имеют относительно невысокую величину при температуре, лежащей выше температуры, при которой наблюдается максимум диэлектрической проницаемости (Т > Тс), т.е. в парафазе.