Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства

• Автор: Вотинцева, Елена Евгеньевна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 119 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Г ЛАВА 1. Производство монокристаллов кремния для микроэлектроники и факторы, влияющие на параметры материала ( литературный обзор ).
1.1. Современное состояние технологии производства кремния в России. Сопоставление с мировым уровнем.
1.2. Атомные механизмы процессов окисления поверхности пластин кремния и сопровождающие их процессы дефектообразования.
1.3. Механизмы образования спирально неоднородного распределения микродефектов и ОДУ в объёме монокристаллов кремния и факторы, влияющие на его появление.
1.4. Природа высоко- и низкотемпературных термодоноров в кремнии.
1.4.1. Природа низкотемпературных термодоноров в кремнии.
1.4.2. Природа высокотемпературных термодоноров.
ГЛАВА 2. Методики исследования.
2.1. Образцы для исследования.
2.2.Методика проведения высокотемпературного окислительного теста.
2.3.Измерения концентраций оптически активного кислорода и углерода дифференциальным методом в монокристаллическом кремнии.
2.4.Метод термообработки при приложении к образцу градиента температур.

2.5. Измерение удельного электрического сопротивления 4х зондовым методом.
2.6. Определение типа электропроводности образцов методом термозонда.
2.7. Методы выявления нарушенной структуры на кремнии избирательным травлением.
ГЛАВА 3. Анализ производства кремния диаметром 100 мм на установках ‘Редмет- 30 М” в режиме полунепрерывной технологии.
3.1. Исследование концентрационных зависимостей кислорода и углерода в монокристаллах кремния, полученных в ходе полунепрерывной технологии.
3.2. Исследование поведения микроструктуры на бездислокационных монокристаллах кремния 0100мм, полученных в режиме полунепрерывной технологии.
3.3. Сопоставление полунепрерывной технологии , применяемой на западе, и отечественной.
ГЛАВА 4. Влияние исходных ростовых микродефектов на кинетику роста окислительных дефектов упаковки и характер их распределения по глубине.
4.1. Экспериментальные результаты.
4.2. Обсуждение экспериментальных результатов
ГЛАВА 5. Исследование генерации донорных состояний при термообработке кремния в интервале температур 300-660°С.
5.1. Исследование генерации донорных состояний при термообработке кремния в интервале температур 300-500°С.
5.2. Исследования генерации высокотемпературных донорных состояний при температуре Т=660(1С.
6. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
7. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.
Рисунок 2. Схеметическое положение свирл-подобного распределения ОДУ и дислокационных петель в поперечном разрезе слитка для различных монокристаллов, выращенных с четырьмя разными типами фронта кристаллизации, но с одинаковыми скоростями выращивания.
(1) - кольцо ОДУ
(2) - дислокационные петли

0Ау, 10і і

Расстояние от начала слитка.
Рисунок 3. Аксиальное распределение кислорода и ОДУ в монокристалле 81, легированном бором.