Экологически безопасное плазменное травление кремния и кремнийсодержащих материалов для формирования элементов БИС

• Автор: Рыбачек, Елена Николаевна
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 162 с.

Содержание: Введение
Глава 1. Анализ методов повышения экологической безопасности процессов плазменного травления материалов микроэлектроники.
1.1 Хлорсодержащие газовые смеси для плазмохимических процессов
1.2. Характеристика способов очистки выхлопных
продуктов плазмохимического травления
1.3. Конструктивно- технологические методы повышения экологической безопасности процессов
1.4. Выводы
Глава 2. Анизотропное плазменное травление кремния.
2.1. Парогазовые смеси на основе хлора для травления кремнийсодержащих материалов
2.2. Травление кремния на промышленном оборудовании
2.3. Процессы травление на экспериментальном оборудовании
2.4. Выводы
Глава 3. Конструктивно-технологический комплекс для экологически безопасного травления кремния и
кремнийсодержащих материалов.
3.1. Устройства получения хлора для плазменного травления кремнийсодержащих материалов
3.2. Обезвреживание продуктов плазменного травления в газовых смесях на основе хлора
3.3. Диагностика и контроль состава плазменного разряда и выхлопных газов при плазменном травлении в хлорсодержащих смесях
3.4. Выводы
Глава 4. Исследование и разработка экологически безопасных процессов плазменного травления кремния и кремнийсодержащих материалов для создания БИС.
4.1. Оптимизация конструктивных параметров рабочего реактора установки «Плазма-ТЦ-001»
4.2. Анизотропное травление глубоких канавок в монокристаллической подложке
4.3. Формирование поликремниевых затворов с субмикронными размерами
4.4. Травление слоев поликристаллического кремния, содержащих участки п- и р-типа проводимости, в одном вакуумном цикле
4.5. Выводы
Глава 5. Исследование влияния процессов травления на электрофизические характеристики обрабатываемых структур

5.1 Влияния процесса анизотропного травления канавок в кремниевой подложке на электрофизические свойства
вертикального конденсатора
5.2. Свойства границы раздела кремний-окисел под
поликремниевым затвором
5.3. Исследование влияния процесса сглаживания рельефа контактных окон в диэлектрике на электрофизические
характеристики МОП-транзистора

5.4. Выводы
Заключение
Литература

плазменного разряда процесс разложения ССЦ можно представить следующей схемой:
2пСС14 -» ЗпС12 + (С2С12)п
Получаемый в результате реакции дихлорацетилен, может образовывать полимерные соединения (через стадию образования С6С16 или минуя её). В общем случае в разряде СС14 могут синтезироваться такие устойчивые продукты, как гексахлорэтан, тетрахлорэтан, дихлорацетилен, С3С1х и С4С1у, значительные количества которых могут осаждаться на стенках реактора при температуре 18-22 °С (74,77). При температуре стенок камеры 100-200 °С эти продукты являются газообразными и разлагаются в объёме также с образованием дихлорацетилена и хлора. К тому же все перечисленные выше вещества являются активными по отношению к атмосферному озону и попадание их в воздух крайне не желательно (см. таблицу 1.1). Из стабильных продуктов распада СС14 лишь гексахлорбензол имеет сравнительно небольшое давление паров, поэтому, возможно, что образование белой аморфной пленки происходит с его участием (76).
Характер (75) масс- спектров горения разряда в хлоре
отличается от спектров четыреххлористого углерода тем, что баланс свободных атомов и заряженных частиц в разряде хлора определяется следующими процессами.
С12+ е->СГГЗ- 2е (ионизация молекул)
С1+ е->С1++ 2е (ионизация атомов)
С12+ е-> С1+ СГ (диссоциативное прилипание электронов к молекулам)
СГ+С12+-> ЗС1 (объемная ион- ионная рекомбинация )