Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах

• Автор: Пашковский, Андрей Борисович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Фрязино
• Количество страниц: 344 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ЧАСТЬ I. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ И ФЛУКТУАВДОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ
ГЛАВА I. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1.1. ВВЕДЕНИЕ
1.2. СИСТЕМА УРАВНЕНИИ ДЛЯ РАСЧЕТА
ДИНАМИКИ ЭЛЕКТРОНОВ В ПТШ
1.3. СИСТЕМА УПРОЩЕННЫХ УРАВНЕНИИ, ОПИСЫВАЮЩИХ
ДИНАМИКУ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
1.4. УРАВНЕНИЕ ПУАССОНА В ПЕРЕМЕННОМ КАНАЛЕ
1.5. УРАВНЕНИЯ ДЛЯ РАСЧЕТА ХАРАКТЕРИСТИК
ПТШ В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ
1.6. РАСЧЕТ ПРОВОДИМОСТИ КАНАЛА ПТШ ПРИ ПРОИЗВОЛЬНОМ
ПРОФИЛЕ ЛЕГИРОВАНИЯ АКТИВНОГО СЛОЯ
1.7. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ОБЕДНЕННОГО СЛОЯ НА ГРАНИЦЕ МЕЖДУ АКТИВНЫМ И БУФЕРНЫМ СЛОЕМ С УЧЕТОМ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
1.8. РАЗНОСТНЫЕ СХЕМЫ ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ РЕШЕНИЯ УРАВНЕНИИ, ОПИСЫВАЮЩИХ ПРОТЕКАНИЕ ТОКА В ТРАНЗИСТОРАХ
1.9. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ГЛАВА 2. НЕЛОКАЛЬНЫЙ РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ
2.1. ВВЕДЕНИЕ
2.2. ВЛИЯНИЕ НЕЛОКАЛЬНЫХ ЭФФЕКТОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ
2..3. ВЛИЯНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ИМПУЛЬСА
НА НЕЛОКАЛЬНЫЙ РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ В ПТШ
2.4. ДИФФУЗИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПТШ С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ
2.5. НЕЛОКАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПТШ, РАБОТАЮЩИХ
В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ
2.6. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ С НЕОДНОРОДНЫМ ПРОФИЛЕМ ЛЕГИРОВАНИЯ
2.7. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПТШ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ
ЗАТВОРОМ ( п+-ПТШ )
2.8. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ
2.9. НЕЛОКАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ГЕТЕРОИНЖЕКТОРОМ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ
2.10. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПТШ ИЗ ФОСФИДА ИНДИЯ
2.11. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ГЛАВА 3. ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
3.1. ВВЕДЕНИЕ
3.2. МОДЕЛЬ НЕКОРРЕЛИРОВАННЫХ ФЛУКТУАЦИЙ
3.3. СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТОМ И ДРУГИМИ МОДЕЛЯМИ
3.4. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ И ПРОФИЛЯ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ НА ДИФФУЗИОННЫЙ ШУМ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
3.4. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ АКТИВНОГО СЛОЯ
НА СВЧ ШУМЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
3.5. ВЛИЯНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА У СВОБОДНОЙ ПОВЕРХНОСТИ АКТИВНОГО СЛОЯ НА ШУМОВЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
3.7. ОЦЕНКА ИЗМЕНЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ОХЛАЖДЕНИИ ДО 77 К
3.8. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРЕДПОСЫЛКИ К СОЗДАНИЮ ТРАНЗИСТОРОВ
С НИЗКОЙ МОДУЛЯЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ
3.9. РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК ПТШ И ПТ ГОЛ С НИЗКОЙ
МОДУЛЯЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ ПРИ
СУБМИКРОННОИ ДЛИНЕ ЗАТВОРА
3.10. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА
3.11 . ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ГЛАВА 4. ПРОДОЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В
ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СЕЛЕКТИВНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ
4.1. ВВЕДЕНИЕ
4.2. МОДЕЛИ ПТ ГОЛ
4.3. ПОПЕРЕЧНЫ! ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ В СРУКТУРЕ МЕТАЛЛ - А1 Ga, As - GaAs С СЕЛЕКТИВНЫМ
X 1-х
ЛЕГИРОВАНИЕМ
4.4. ПОПЕРЕЧНЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-Inn roAln ,QAs/Inn r„Gan .„As
0,52 0,4-8 0,53 0
И МЕТАЛЛ-А1 Ga, As/In Ga, As/GaAs С СЕЛЕКТИВНЫМ
X 1 -x у 1 -у
ЛЕГИРОВАНИЕМ
4.5. ВЛИЯНИЕ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ МЕЯЩУ
СЛОЯМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ ГСЛ
4.6. ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ПРОСТРАНСТВЕННОГО ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ НА СВЧ ШУМЫ А1 Ga, As/GaAs ПТ ГСЛ

4.7. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ.
СТРУКТУРЫ НА ШУМОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ' ГСЛ
4.8. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ В ПРОСТРАНСТВЕННО НЕОДНОРОДНОЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ
4.9. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ ГСЛ
С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ
4.10. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПТ ГСЛ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ
4.11. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ, ИОНИЗОВАННЫХ ПОЛЕМ
ЗАТВОРА НА ВАХ ПТ ГСЛ
4.12. ПОЛЕВАЯ И УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В ПТ ГСЛ
4.13. ИЗМЕРЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
4.14. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

фид индия в полупроводниковой электронике” (г.Кишинев, 1985г.), семинаре "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами" (г.Саратов, 1985 г.), IV, V и VI Всесоюзных конференциях "Флуктуационные явления в физических системах" (г.Пущино, 1985г., г.Паланга, 1988 и 1991г.), I, II и III Всесоюзных совещаниях "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" (г.Паланга, 1987г., 1989г., г.Ярославль, 1988г.), XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г.Кишинев, 1988г.), VII Всесоюзном симпозиуме "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (г.Паланга, 1989г.), XII Всесоюзной научно-технической конференции по твердотельной электронике СВЧ (г.Киев, 1990г.), V Всесоюзной конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. (г.Калуга, 1990г.), семинаре "Горячие электроны в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью", (г.Звенигород, 1990г.), V Международной конференции по сверхрешеткам и гетероструктурам (1991, Berlin, Gerraany), Международном симпозиуме по полупроводниковым приборам (1991, Charlottesville, USA), Международных симпозиумах "НАНОСТРУКТУРЫ: физика и технология"
(St.Petersburg, Russia, 1993 и 1994 г.), IX КНТС по малошумящим устройствам мм. диада зона длин волн (г.Горький, 1984г.), I, II и III Отраслевом семинаре по монолитным схемам (г.Фрязино, 1985, 1987, 1989г.), Республиканской конференции "Математическое моделирование полупроводниковых приборов" (г.Рига, 1988г.).