+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Разработка методик проектирования преобразователей частоты в интегральном исполнении

  • Автор:

    Сумин, Андрей Михайлович

  • Шифр специальности:

    05.27.01

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2011

  • Место защиты:

    Воронеж

  • Количество страниц:

    116 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

1 ОСНОВНЫЕ АРХИТЕКТУРЫ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЧАСТОТЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
1.1 Кратное и некратное преобразование частоты
1.2 Способы реализации бесфильтровых преобразователей частоты
1.2.1 Варакторные УЧ
1.2.2 Широкодиапазонные преобразователи частоты
1.2.3 Преобразователи частоты на синтезированных нелинейных реактивных элементах
1.3 Современные средства автоматизированного проектирования
1.4 ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
1.5 ЦЕЛЬ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЙ
2 СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ НА ОСНОВЕ СИНТЕЗИРОВАННЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ РЕАКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В СУБМИКРОННОМ БАЗИСЕ
2.1 Разработка методики преобразования частоты входных гармонических колебаний на основе применения синтезированных нелинейных реактивных элементов
2.1.1 Алгоритм коммутации ключа
2.1.2 Схемная реализация алгоритма коммутации ключа
2.1.3 Разработка структурной схемы параметрического умножителя частоты на основе СНРЭ
2.2 Разработка принципиальной электрической схемы параметрического преобразователя частоты гармонических колебаний на примере умножителя с кратностью N=2 на основе синтезированных нелинейных реактивных элементов в субмикронном базисе
2.3 ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ

3 ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ НА ОСНОВЕ СИНТЕЗИРОВАННЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ РЕАКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В САПР CADENCE С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ НОРМАМИ 350 НМ
3.1 Проверка топологии преобразователя частоты на соответствие технологическим требованиям (DRC) и электрическим связям (LVS)
3.2 Коррекция электрической схемы и топологии базовой ячейки преобразователя частоты на основе СНРЭ. Проектирование тестового кристалла
3.3 Экспериментальные исследования преобразователя частоты в технологическом базисе 350 нм
3.4 ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
4 ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЧАСТОТЫ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ
4.1 Разработка методики расчета преобразования частоты
на МОП-транзисторах в субмикронном и глубоко субмикронном базисах
4.1.1 Расчёт сток-затворной характеристики
4.1.2 Основные аналитические соотношения
4.1.3 Алгоритм расчета преобразования частоты на МОП - транзисторе для технологий с субмикронными топологическими нормами
4.1.4 Расчёт постоянной составляющей выходного тока
МОП-транзистора в режиме преобразования частоты
4.1.5 Расчёт переменной составляющей выходного тока
МОП-транзистора в режиме преобразования частоты
4.2 Экспериментальные исследования
4.3 ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЯ

Актуальность задач исследования. Интегральное исполнение, создание сложнофункциональных (СФ) блоков СБИС преобразователей частоты является настоятельной научной и производственной задачей сегодняшнего дня, решение которой невозможно без проведения теоретических исследований различных устройств преобразования частоты на основе исключения колебательных систем. До настоящего времени в мировой практике не найдены решения аналоговых устройств широкополосного преобразования частоты, выполненных в нанотехнологическом процессе. Данная проблема требует также решения вопросов схемотехнического и топологического проектирования СФ блоков в автоматизированных средах.
Среди разнообразного множества преобразователей частоты, в частности умножителей и делителей, современной актуальностью обладают устройства на синтезированной нелинейной базе. Это вызвано отсутствием интегральных компонентов с оптимальными характеристиками в связи с несовершенством элементной базы. Как один из приоритетных и возможных путей в этом направлении - использование синтезированных нелинейных реактивных элементов (СНРЭ), выполненных на основе управляемых ключей и линейных реактивных элементов.
В настоящее время изготовление спроектированной СБИС осуществляется на специализированных предприятиях, к числу которых относятся фабрика X-FAB (Германия), Atmel Corporation (США), NEC Electronics Company (Гон-Конг) и др. Доля импортной элементной базы для систем радиочастотного диапазона, разрабатываемых отечественными предприятиями, по данным Минпромторга, составляет порядка 90%. Технологический процесс изготовления СФ блоков, выполненных на топологическом уровне менее 350 нм, организуется, в частности, в Зеленограде, и в целом в России интенсивно расширяется. Поэтому, схемотехническое моделирование и топологическое проектирование

Сигнал входной частоты со, генерируемый задающим генератором 1, поступает на вход фазоинвертора 2. В результате на его синфазном выходе ифс также образуется синфазное синусоидальное напряжение частоты со (рис.2.7, а, штриховая линия)
ифс =ифсс05ш‘. <2-8)
где ифс - амплитуда напряжения синфазной составляющей на синфазном выходе фазоинвертора 2, которое затем через первый резистор 10 передается на базу второго транзистора 7.
На противофазном выходе ипс фазоинвертора 2 образуется противофазное синусоидальное напряжение (рис.2.7, б, штриховая линия)
ифп = ифпС08(ю1 + 18°0)’ (2-9)
где ифп - амплитуда напряжения противофазной составляющей на противофазном выходе фазоинвертора 2, которое через второй резистор 11 передается на базу первого транзистора 6.
Одновременно напряжение (2.8) воздействует на первую последовательную цепь, состоящую из параллельно включенных первого транзистора 6 с первым полупроводниковым диодом 3, реализующих СНРЭ с характеристиками общего вида, первого конденсатора 8 и нагрузочного резистора 5, создавая в этой цепи ток і) (рис.2.7, д).
При этом напряжение (2.8) воздействует на вторую последовательную цепь, состоящую из параллельно включенных второго полупроводникового диода 4 со вторым транзистором 7, также реализующие СНРЭ с характеристиками общего вида, второго конденсатора 9 и нагрузочного резистора 5. По этой цепи протекает ток і2 (рис.2.7, е).
На интервале времени її - Ї2, когда напряжение ифс (рис.2.7, а), воздействующее на первую последовательную цепь, состоящую из параллельно включенных первого транзистора 6 с первым полупроводниковым диодом 3, первого конденсатора 8 и нагрузочного резистора 5, положительно и плюсом

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.200, запросов: 967