Анализ и синтез сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с частотно-зависимыми обратными связями

• Автор: Юбков, Анатолий Викторович
• Шифр специальности: 05.12.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 173 с. : ил.

1. АНАЛИЗ НАУЧНОЙ ПРОБЛЕМЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЙ
2. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ
СВЯЗИ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
2 Л. Постановка задачи
2.2. Транзисторный усилитель с общим стоком
2.3. Транзисторный усилитель с общим затвором
2.4. Транзисторный усилитель с общим стоком
2.5. Влияние проводимости цепи внешней обратной
связи по напряжению на параметры усилителя
2.6. Выводы
3. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПО ТОКУ
3.1. Постановка задачи
3.2. Транзисторный усилитель с общим истоком
3.3. Транзисторный усилитель с общим затвором
3.4. Транзисторный усилитель с общим стоком
3.5. Влияние проводимости цепи внешней обратной
связи по напряжению на параметры усилителя
3.6. Выводы
4. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С КОМБИНИРОВАННОЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ
4.1. Постановка задачи
4.2. Транзисторный усилитель с общим истоком
4.3. Транзисторный усилитель с общим затвором
4.4. Транзисторный усилитель с общим стоком
4.5. Влияние проводимости цепи внешней обратной
связи по напряжению на параметры усилителя
4.6. Выводы
5. СИНТЕЗ ЦЕПИ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ
5.1. Постановка задачи
5.2. Синтез цепей внешней обратной связи по напряжению
5.3. Синтез цепей внешней обратной связи по току
5.4 Выводы
6. МАШИННЫЙ СИНТЕЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ С ВНЕШНИМИ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМЫМИ ОБРАТНЫМИ СВЯЗЯМИ
6.1. Описание блок-схемы алгоритма программы расчета
6.2. Выбор метода оптимизации
6.3. Выводы
РАЗРАБОТКА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ С ВНЕШНИМИ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМЫМИ ОБРАТНЫМИ СВЯЗЯМИ
7.1 Разработка малошумящего транзисторного СВЧ усилителя с внешней
частотно-зависимой обратной связью и исследование его шумовых
характеристик
7.2. Разработка сверхширокополосного транзисторного СВЧ усилителя внешней частотно-зависимой обратной связью и исследование его коэффициента усиления
7.3. Разработка транзисторного СВЧ усилителя-выключателя с внешней частотно-зависимой обратной связью и исследование его коэффициента усиления и зависимости затухания в диапазоне частот
7.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
АКТЫ ВНЕДРЕНИЯ
где: М>Ы,(3,Л8 -определяются по выражениям (3.3.5)-(3.3.8).
-параметры рассеяния полевого СВЧ транзистора, включенного по схеме с общим истоком, нагруженного на сопротивление генератора и нагрузки, равным 50 Ом, при щ=1,2.
Подставляя ^-параметры из (3.4.1)-(3.4.4) в (3.2.6)-(3.2.23), можно проводить анализ с помощью теории функции комплексного переменного транзисторного СВЧ усилителя на полевом транзисторе с общим стоком с ЦВЧОС по току.
3.5. Влияние сопротивления цепи внешней обратной связи по току на параметры
усилителя.
Рассмотрим влияние сопротивления ЦВЧОС транзисторного СВЧ усилителя на глубину обратной связи, которая определяется по (2.5.1):

Ь= =1 +1г;

где: Ег -комплексная глубина обратной связи по току;
(3-комплексный коэффициент усиления транзисторного усилителя без
ЦВЧОС;
0?у -комплексный коэффициент усиления транзисторного усилителя СВЧ с ЦВЧОС;
Т? -комплексное возвратное отношение.
В главе 2, также определены условия при которых глубина ОС оказывается нейтральной (Рг=1), положительной (|Р2|<1) и отрицательной (|Рг|>1), которые имеют вид:
Р^= 1, |Т2|2 = 2КеТ2; (3.5.1)