+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Экспериментальные исследования радиотехнических устройств на воздействие сверхширокополосных электромагнитных импульсов и разработка рекомендаций по обеспечению их стойкости

  • Автор:

    Тяпин, Михаил Серафимович

  • Шифр специальности:

    05.12.04

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2007

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    207 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Глава 1. Аналитический обзор состояния проблемы обеспечения стойкости радиотехнических устройств к воздействию сверхширокополосных электромагнитных импульсов
1.1. Анализ состояния исследования воздействия СШП ЭМИ на радиотехнические устройства
1.2. Общая характеристика параметров сверхширокополосных электромагнитных импульсов
1.3. Анализ радиотехнических устройств как объектов, подверженных воздействию мощных электромагнитных импульсов
1.4. Анализ существующих методов оценки устойчивости радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
1.5. Выводы по главе и постановка задач исследований
Глава 2. Разработка экспериментальных методов оценки стойкости элементов радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
2.1. Анализ существующей экспериментальной базы для оценки стойкости радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
2.2. Выбор объектов для проведения экспериментальных исследований
2.3. Средства для проведения экспериментальных исследований
2.4. Разработка программ и методик экспериментальных исследований элементов радиотехнических устройств на воздействие СШП ЭМИ
2.4.1. Программа и методика экспериментальных исследований воздействия СШП ЭМИ на полевой кабель
2.4.2. Программа и методика экспериментальных исследований воздействия СШП ЭМИ на приемных устройства
2.4.3. Методика экспериментальных исследований воздействия СШП ЭМИ на интегральные микросхемы и печатные платы
2.5. Выводы по главе
Глава 3. Экспериментальные исследования и анализ результатов воздействия сверхширокополосных импульсов на элементы радиотехнических устройств
3.1. Критерии оценки стойкости элементов радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
3.2. Режимы эффективного воздействия СШП ЭМИ на элементы радиотехнических устройств
3.3. Экспериментальные исследования и анализ результатов воздействия СШП ЭМИ на элементы радиотехнических устройств
3.3.1. Результаты и анализ экспериментальных исследований воздействия СШП ЭМИ на радиостанции и радиоприемное устройство КВ диапазона
3.3.2. Результаты и анализ экспериментальных исследований воздействия СШП ЭМИ на полевой кабель
3.3.3. Результаты и анализ экспериментальный исследований воздействия СШП ЭМИ на интегральные микросхемы
3.4. Выводы по главе
Глава 4. Разработка рекомендаций по обеспечению стойкости элементов радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
4.1. Анализ существующих методов обеспечения стойкости РЭА к воздействию СШП ЭМИ и разработка алгоритма обеспечения стойкости РТУ к воздействию СШП ЭМИ
4.2. Разработка рекомендаций по совершенствованию математических моделей воздействия СШП ЭМ на элементы радиотехнических устройств
4.2.1. Основные принципы создания математических моделей воздействия СШП ЭМИ на элементы РТУ
4.2.2. Уточненная математическая модель воздействия СШП ЭМИ на кабельные линии
4.2.3. Уточненная математическая модель воздействия СШП ЭМИ на антеннофидерные устройства
4.3. Разработка рекомендаций по обеспечению стойкости радиотехнических устройств к воздействию СШП ЭМИ
4.3.1. Особенности поражающего воздействия СШП ЭМИ на средства защиты РТУ
4.3.2. Разработка требований к средствам защиты элементов РТУ от воздействия СШП ЭМИ
4.3.3. Обоснование рекомендаций по обеспечению стойкости РТУ к воздействию СШП ЭМИ
4.4.Выводы по главе
Заключение
Литература

Современные радиотехнические устройства (РТУ) все в большей степени оснащаются электронными системами управления, микропроцессорными устройствами, чувствительными к электромагнитным воздействиям. Повышение степени интеграции элементной базы электроники, и, как следствие, снижение электрической прочности отдельных компонентов аппаратуры приводит к повышению уязвимости элементов РТУ к воздействию электромагнитных излучений различного происхождения.
В природе источником ЭМИ являются импульсные токи, сопровождающие нестационарные природные явления-геомагнитные бури, удары молнии, электростатические разряды. В технике источниками ЭМИ являются электромагнитные поля радиопередающих и радиолокационных станций, высоковольтные линии электропередачи, импульсные электротехнические устройства [1-4]. Источником наиболее мощного ЭМИ является ядерный взрыв (ЯВ). С началом решения общей проблемы защиты от воздействия ЭМИ ЯВ проводились активные исследования механизмов взаимодействия ЭМИ с РЭА. Исследования стимулировались также широким распространением микроэлектроники в современных информационных системах учета, планирования и регулирования. Воздействие ЭМИ приводит к возрастанию вероятности отказов ответственных систем управления и связи. Кроме того, качественное переоснащение РТУ современной компьютерной техникой, повышение требований по стойкости их к действию различных электромагнитных полей приводит к тому, что в современных условиях проблема воздействия СШП ЭМИ на РТУ становится одной из ключевых.
С другой стороны, средства электромагнитного поражения радиоэлектронной техники также совершенствуются, создаются поражающие средства воздействия нового типа. В последнее десятилетие в радиотехнике произошла своеобразная революция, связанная с практическим использованием нового типа радиоволн - повторяющихся коротких сверхшироко-полосных электромагнитных импульсов. Они имеют длительность до Ю'10 с, фокусируются антеннами с размером порядка 1 м и достаточно просто генерируются современными полупроводниковыми приборами. Спектральная плотность СШП ЭМИ распределена в интервале от сотен МГц до единиц ГГц, что и дало основание называть их сверхширокополосными.В последние годы появились новые мощные стационарные и мобильные генераторы, излучающие периодические и однократные сверхширокополосные электромагнитные импульсы. Особенностью данного типа излучения является соразмерность длительности воздействующих импульсов с длительностью рабочих импульсов, сопровождающих обработку цифровой информации.
По мере развития теории и технических средств генерирования, излучения и измерения сверхкоротких ЭМИ, имеющих субнаносекундную длительность, стала развиваться кон-

Перечень этапов исследований, количественные и качественные характеристики и последовательность их проведения приведены в табл. 2.9.
Таблица 2
№ этапа Наименование исследования Исследуемые характеристики
1 Определение параметров воздействующих СШП ЭМИ Амплитуда импульсов напряженности электрического поля, длительность фронта импульсов между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды; длительность импульсов поля на уровне 0,5 от амплитуды; частота следования импульсов
2 Исследование воздействия СШП ЭМИ на объект исследований Определение амплитудно-временных параметров наводимых помеховых сигналов
При проведении исследований должны соблюдаться условия:
- температура окружающего воздуха, °С 20±5
- относительная влажность, %, не более
- атмосферное давление, кПа 87
- напряжение питающей электросети, В 220±22
- частота, Гц 50+1
При проведении исследований используются средства измерений и вспомогательное оборудование, указанное в табл. 2.10.
Для исследований допускается применять другие средства измерений, аналогичные указанным в табл. 2.10, обеспечивающие измерения соответствующих параметров с
требуемой точностью.
Таблица 2
Средства измерений
Наименование средств измерений Технические характеристики
Осциллограф стробоскопический TMR8120M Погрешность измерения амплитудно-временных параметров не более 1 %; полоса пропускания-20 ГГц; входное сопротивление - 50 Ом.
Осциллограф стробоскопический CSA8000B Погрешность измерения амплитудно-временных параметров не более 1 %; полоса пропускания - 20 ГГц; входное сопротивление - 50 Ом.
Осциллограф цифровой запоминаю-щий Tektronix TDS784D Погрешность измерения амплитудно-временных параметров не более 1 %; полоса пропускания -1 ГГц; входное сопротивление -50 Ом.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.153, запросов: 967