+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Метод экспериментального определения повреждений поверхностного слоя изделий аэрокосмической техники

  • Автор:

    Сазонникова, Надежда Александровна

  • Шифр специальности:

    05.07.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2001

  • Место защиты:

    Самара

  • Количество страниц:

    190 с.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

СОДЕРЖАНИЕ
Список обозначений
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. АКТУАЛЬНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛАЗЕРНЫХ СПОСОБОВ КОНТРОЛЯ ПРИ ОБНАРУЖЕНИИ ДЕФЕКТОВ
1.1. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ МЕТОДОВ ОПТИЧЕСКОЙ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА ИЗДЕЛИЙ АЭРОКОСМИЧЕСКОЙ ТЕХНИКИ
1.2. МЕТОДЫ ОЦЕНКИ СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ
1.3. РЕШЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ ЗАДАЧ ПРИ СТАТИЧЕСКОЙ ОЦЕНКЕ КАЧЕСТВА ИЗДЕЛИЙ
1.4. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМАХ
1.5. ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
2. ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ГЕНЕРАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ
2.1. ВЫБОР ТИПА ИЗЛУЧАТЕЛЯ ДЛЯ КОНТРОЛЬНОИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
2.2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФЛУКТУАЦИЙ МОЩНОСТИ, РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ МОЩНОСТИ, ОТКЛОНЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ В ПРОСТРАНСТВЕ
2.3. СПОСОБЫ СТАБИЛИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА АЛГОРИТМА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ
3.1. ПОСТРОЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ИЗМЕНЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ОТРАЖЕННОГО
СИГНАЛА НА УЧАСТКАХ С ДЕФЕКТАМИ ПОВЕРХНОСТНОГО
СЛОЯ
3.2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОГРЕШНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗМОЖНОСТЕЙ МЕТОДА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ ИЗДЕЛИЙ СЛОЖНОЙ СТРУКТУРЫ
4.1. ВЫЯВЛЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ОТРАЖАТЕЛЬНОЙ СПОСОБНОСТИ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ОТ СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ
4.2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ФОРМЫ ТРЕЩИНЫ НА ВЕЛИЧИНУ ОТРАЖЕННОГО СИГНАЛА
4.3.МЕТОДИКА ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ И ПРОВЕДЕНИЯ ДЕФЕКТОСКОПИИ
4.4. РЕЗУЛЬТАТЫ ДЕФЕКТОСКОПИИ КОНСТРУКЦИОННЫХ
МАТЕРИАЛОВ И БИОТКАНЕЙ
4.4.1. ОБНАРУЖЕНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЯХ
4.4.2. ДИАГНОСТИКА СОСТОЯНИЯ БИОТКАНЕЙ
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
1 - линейный размер повреждения, мм,
D - ширина полосы в модели структуры композиционных материалов, х, у - перНещение камеры по горизонтали, высота камеры над исследуемой поверхностью,
х, у - координата в направлении плоскости, перпендикулярной р-п-переходу и в плоскости р=ш перехода,
d - размеры активной области в плоскости, перпендикулярной р-п-переходу.
Bj, В2 - сторона сечения источника излучения, приемного объектива,
Hi - высота расположения приемного объектива над поверхностью,
Н2 - глубина трещины, х - координата в направлении сканирования,
Хь х2 - координаты границ пучка на выходе из трещины,
Ах - ширина пучка на выходе из трещины,
S - ширина трещины,
hCK - среднеквадратическая высота микронеровностей, у - угловой размер повреждения, утл. мин., а, 0 - угол падения излучения на поверхность,
8 = отклонение положения нормали к поверхности,
ß - угол, определяющий направление распространения излучения на выходе из трещины, у = половина утла раскрытия трещины, п - число переотражений в трещине, п - общее число элементов поверхности, q - площадь сканирующей апертуры,
Ъ. ~ количество элементов бездефеюговной поверхности, элементов поверхности с наличием дефектов, t - время,
T,t - температура,
Ith ~ пороговый ток полупроводникового лазера,
I - рабочий ток полупроводникового лазера,
1о - пороговый ток при стандартной температуре,
Р - выходная мощность излучения полупроводникового лазера, т| - дифференциальная эффективность полупроводникового лазера,
U - напряжение на лазерном диоде,
X = длина волны излучения, к- волновое число,
и, к - действительная и мнимая составляющие показателя преломления, е - диэлектрическая проницаемость, h = постоянная Планка,

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.107, запросов: 967