Физико-химические основы технологии и свойства тонких слоев MSb (M-In, Ga, Sb) и структур на их основе

• Автор: Падалко, Анатолий Георгиевич
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 295 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПОЛУЧЕНИЯ
ТОНКИХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И АКТИВНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ.
1.1. Методики получения и свойства тонких слоев полупроводников, закристаллизованных из расплава
1.2. Физикохимия формирования переходных слоев
в сплавных гетеросистемах
а) Адсорбционные свойства поверхности диоксида кремния
б) Адгезия в системах металл-оксид
в) Адгезия в сплавных системах полупроводник-полупроводник
1.3. Морфология границы раздела твердой и жидкой фаз
при направленной кристаллизации расплава
а) Общие положения кинетики кристаллизации
б) Атомная кинетика кристаллизации
в) Влияние примесей на морфологию фазовой границы
1.4. Механизмы образования некоторых дефектов структуры реальных кристаллов
а) Двойникование
б) Дислокации
1.5. Получение и свойства тонких пленок антимонида индия
1.6. Активные многослойные системы на основе тонких
слоев полупроводников
а) Фотоприемные активные многослойные системы
на основе кремния

б) Фотоприемные АМС на основе фосфида индия
в) Фотоприемные АМС на основе арсенида галлия
1.7. Пикосекундные фотоприемные АМС для ближнего
инфракрасного диапазона
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ АНТИМОНИДОВ ИНДИЯ, ГАЛЛИЯ И КАДМИЯ.
2.1. Капиллярные явления при формообразовании тонких
слоев расплава
2.2. Установка и кристаллизационная ячейка лабораторного типа
для направленной кристаллизации тонких слоев МЭЬ
а) Установка с плоскими нагревателями
б) Лабораторная кристаллизационная ячейка
2.3. Установка и кристаллизационные ячейки для получения
тонких слоев 1пЭЬ, ЭаЭЬ и эвтектической композиции 1п$Ь-МЭЬ. Подготовка оснастки к росту тонких слоев
а) Трубчатая установка направленной кристаллизации
тонких слоев
б) Кристаллизационные ячейки для направленной кристаллизации тонких слоев МЭЬ в трубчатой установке
в) Подготовка оснастки и диэлектрических подложек
к процессу роста тонких слоев
2.4. Особенности исследования тонких слоев МЭЬ.
а) Химическое травление полярных полупроводников МЭЬ
б) Микрорентгеноспектральный анализ гетероструктур
в) Электронографический анализ систем слой/подложка
г) Измерение электрических, оптических и фотоэлектрических свойств тонких полупроводниковых кристаллов
д) Установка изучения кинетики фотопроводимости в

тонких слоях полупроводников
е) Измерение параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник и эффекта поля
ж) Неравновесная спектроскопия глубоких уровней
полупроводниковой компоненты многослойных структур
ГЛАВА III. ФИЗИКОХИМИЯ АДГЕЗИИ И ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ В СИСТЕМАХ (МБЬУПОДЛОЖКА.
3.1. Смачивание и зародышеобразование в системах
MSb/диэлектрическая подложка
а) Адгезия тонких слоев
б) Адгезия тонких слоев MSb к кремниевым подложкам
3.2. Состав переходной области в системах MSb/подложка
ГЛАВА IV. ФИЗИКОХИМИЯ ФОРМООБРАЗОВАНИЯ И КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ СЛОЕВ MSb.
4.1. Роль поверхностного натяжения в процессе
формирования тонких слоев
4.2. Кинетика и механизм кристаллизации тонких слоев MSb
4.3. Направленная кристаллизаций тонких слоев антимонида индия
а) Тепловые условия направленной кристаллизации
б) Направленная кристаллизация при спонтанном зародышеобразовании
в) Направленная кристаллизация тонких слоев InSb от
затравки
4.4. Дефекты вторичной структуры в слоях MSb
а) Двойни-кование в тонких слоях
в) Дислокации в тонких слоях InSb
ГЛАВА V. ЛЕГИРОВАНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ.
5.1. Легирование в процессе роста тонких слоев
а) Легирование элементами II группы и германием
б) Легирование элементами I группы
Рис.4. Схема получения тонких слоев ве [7].
1 - держатель; 2 - затравка; 3 - расплав; 4 - диэлектрические подложки.