Характер и особенности кристаллизации магнитных фаз в системах Cu-In-Me-Te (Me=Cr, Fe)

• Автор: Вольфкович, Александр Юрьевич
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 142 с.

ХАРАКТЕР И ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ МАГ НИТНЫХ ФАЗ В СИСТЕМАХ Си-1п-Ме-Те (Ме=Сг, Ее).
СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Синтез, структура и свойства краевых фаз и соединений, образующихся в системе Си-1п-Сг-Те по различным разрезам
1.1.1. Теллуриды хрома
1.1.2. Теллуриды меди
1.1.3. Теллуриды индия
1.1.4. Исследования взаимодействий в системе Іп-Сг-Те
1.1.5. Исследования взаимодействий в системе Си-1п-Те
1.1.6. Исследования взаимодействий в системе Си-Сг-Те
1.2. Синтез, структура и свойства халькогенидов железа
1.2.1. Система Ее-Те
1.2.2. Тройные и четверные халькогениды железа
1.3. Магнитные и полупроводниковые свойства в системах Си-1п-Сг(Ее)-Те
1.4. Электрохимическое получение теллуридов
ВЫВОДЫ ИЗ ЛИТЕРАТУРНОГО ОБЗОРА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.
Глава 2. ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА И МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Характеристика исходных веществ
2.2. Методы синтеза образцов
2.3. Методы ДТА синтезированных образцов
2.4. Метод рентгенофазового анализа

2.5. Метод анализа микроструктуры
2.6. Метод электрохимического синтеза твердых растворов в системе Си-1п-Сг-Те
2.7. Методы анализа химического состава образцов
2.8. Методика исследования магнитных свойств
2.9. Методика определения температурной зависимости электросопротивления
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБУЖДЕНИЕ,
Глава 3. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕЛЛУРИДОВ В СИСТЕМАХ Си-1п-Сг(Ее)-Те.
3.1. Взаимодействие по разрезу 1пТе-Сг2Те3
3.2. Характер взаимодействия по разрезу Си1пТе2-Сг2Тез
3.3. Особенности и характер взаимодействия в системе 1п-Ее-Те
по разрезам 1п2Те3-ЕеТе2 и 1пТе-ЕеТе2
3.3.1. Разрез 1п2Те3-ЕеТе2
3.3.2. Разрез 1пТе-ЕеТе2
3.4. Расположение исследованных разрезов в концентрационном
тетраэдре Си-1п-Сг-Те и концентрационном треугольнике 1п-Ее-Те. 107 Глава 4. МАГНИТНЫЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА
ФАЗ В СИСТЕМАХ Си-1п-Сг(Ее)-Те
Глава 5. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ПОЛУЧЕНИЕ
ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В СИСТЕМЕ Си-1п-Сг-Те
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Создание новых поколений информационных систем и приборов для них, развитие микроэлектроники, разработка новых нетрадиционных экологически чистых источников энергии постоянно требуют целенаправленного поиска и разработки новых материалов, обладающих комплексом физико-химических свойств [1].
Многообразие известных и вновь открываемых физико-химических, магнитооптических, электрофизических, полупроводниковых и других свойств, проявляемых в зависимости от состава и состояния магнитной подсистемы многокомпонентными халькогенидами и, в частности, теллуридами, вызывает растущий интерес, особенно в связи с созданием устройств принципиально нового типа, в которых электрическими и оптическими параметрами можно управлять, изменяя магнитные характеристики, и наоборот.
Особый интерес вызывают соединения с температурой Кюри выше комнатной, позволяющие использовать их в приборах без дополнительного охлаждения, например, халькохромиты меди [2]. Магнитные и электрические свойства медных халькошпинелей заметно отличаются от большинства свойств халькогенидных хромовых шпинелей. Они могут иметь металлическую проводимость р-типа 10-4 Ом-см при комнатной температуре и обладают ферромагнетизмом при значительно более высоких ( на 300° ) температурах Кюри, чем кадмиевые или ртутные (точка Кюри для хромового теллурида меди 365 К).
Также большой интерес могут вызывать ферромагнитные халькогениды, в которых часть атомов Ее или Сг замещена на атомы 1п, что способствует приданию этим соединениям полупроводниковых [1] свойств.

1.2.2. Тройные и четверные халькогениды железа.
Тройные халькогениды железа обладают широким спектром свойств, представляющих интерес как для теоретических, так и для прикладных исследований [81 -82].
Например, они могут быть использованы для получения высокоэффективных термоэлектрических материалов с магнитными
свойствами [82, 83]. В частности, в [84] показано, что химическое соединение РеОа28е4, образующееся на разрезе Ре8е-Оа28е3 является парамагнетиком.
Исследования тройных геллуридов железа показали, что уже небольшие примеси железа в теллуриде индия являются электрически неактивными и приводят к появлению эффекта переключения с памятью в зависимости от температуры и от напряженности электрического поля [13].
Диаграммы состояния разрезов 1пТе-Ре и 1п2Те3-Ре [84] представлены на Рис.1.11 а, б.
Рис. 1.11. Диаграммы состояния систем 1пТе-Ре (а) и 1п2Те3-Ре (б).