Исследование начальных стадий формирования межфазных границ раздела A3 B5-оксид

• Автор: Хабибулин, Ибрагим Мюгюршаевич
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Ставрополь
• Количество страниц: 131 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ИССЛЕДОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЙ ФОРМИРОВАНИЯ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА Я355- ОКСИД
ВВЕДЕНИЕ
1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ПОЛУПРОВОДНИК - ОКСИД И СОСТОЯНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В ЭТОЙ ОБЛАСТИ
1Л. Роль межфазной границы раздела полупроводник-оксид
в современных технологиях
1.2. Экспериментальное и теоретическое исследование границ раздела полупроводник-оксид
Заключение к главе
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ИССЛЕДУЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2.1. Методика эксперимента
2.2. Исследуемые материалы
2.2.1. Получение атомарно-чистой поверхности полупроводниковых матриц
2.2.2. Определение толщины оксидного покрытия на поверхности А ЪВ5
2.3. Подготовка и регистрация фотоэлектронных спектров
2.4. Математическая обработка электронных спектров
2.5. Контрольные измерения
Заключение к главе
3. МЕТОД ОБЪЕМНО-СТРУКТУРНОГО СООТВЕТСТВИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА РЕКОНСТРУКЦИИ ПОВЕРХНОСТИ
3.1. Применение метода объемно-структурного соответствия для анализа реконструкции поверхностей, представленных однородными атомами
3.2. Применение метода объемно-структурного соответствия для анализа реконструкции поверхностей, представленных разнородными атомами
Заключение к главе
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ ваАэ - ОКСИД
Заключение к главе
5. ИЗУЧЕНИЕ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА АЪВ 5 -ОКСИД
5.1. Исследование формирования межфазной границы 1пА.ч-оксид
5.2. Исследование формирования межфазной границы ОаР-оксид
Заключение к главе
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность проблемы. Полупроводниковые соединения А3 В5 давно и серьезно привлекают внимание как теоретиков, так и экспериментаторов многих стран. Связано это с возрастающими потребностями микро- и наноэлектроники, функциональной и квантовой электроники в новых материалах. Это, в свою очередь, ставит перед учеными задачу целенаправленного поиска соединений с требуемыми физико-химическими и технологическими свойствами.
Решение этой проблемы невозможно без проведения фундаментальных исследований, как электронной структуры, так и кинетики различных процессов, влияющих на свойства полупроводников. Поэтому в настоящее время приповерхностная область полупроводников, границы раздела их межфазных областей превратились в один из важнейших объектов физико-химических исследований. Это связано с одной стороны - с определяющим влиянием поверхности и межфазных границ раздела на все современное приборостроение, с другой стороны - на появившуюся в последние годы возможность их изучения на атомарно-молекулярном уровне. Этому во многом способствовало развитие современных высокочувствительных методов исследования поверхности, таких как рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), оже-электронная спектроскопия (ОЭС) и вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС). Совместное применение этих методов дает возможность проведения физико-химического анализа при изучении адсорбции, начальных стадий зарождения новой фазы и межфазных границ раздела подложка-пленка. Между тем, до последнего времени методы РФЭС, ОЭС и ВИМС в этой области нашли ограниченное применение ввиду сложности проведения таких экспериментов. Поэтому на современном этапе важной задачей является комплексное

или же случай исследования нестабильных образцов, когда необходимо записать спектр за очень малый промежуток времени. Кроме того, часто необходимо перед дальнейшей обработкой сгладить спектр с хорошим отношением сигнал/шум; это имеет место, в частности, при дифференцировании.
Сглаживание является операцией, направленной на улучшение корреляции между точками и на подавление некоррелированного шума [74]. Сглаживание осуществляется путем вычисления свертки данных с некоторой сглаживающей функцией. Используется, обычно метод наименьших квадратов относительно центральной точки и связанные с ним методы.
В методе наименьших квадратов используется свертка данных с функцией типа
где у{ - сглаженная точка, соответствующая центру интервала, содержащего нечетное число точек Р (Р = 2т + 1); yj - экспериментальные данные в точках рассматриваемого интервала, которые суммируются с коэффициентами С); NORM есть нормирующий фактор.
В простейшем случае вычисления среднего по интервалу С,- = 1 для всех j и NORM = Р. Обработку данных на интервале Р методом наименьших квадратов с использованием полиномов степени п можно осуществить, используя приведенную выше формулу при соответствующем выборе коэффициентов для различных Р ЯП.
В общем случае выбор количества точек, используемых при сглаживании этим методом, определяется следующими соображениями:
/г1 NORM’
j=i-m