Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe

• Автор: Азарова, Ольга Петровна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Омск
• Количество страниц: 145 с.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
ГЛАВА I. Литературный обзор.
1.1. Основные свойства 1п8Ь,2п8е - основных представителей групп алмазоподобных полупроводников
1.1.1. Способы получения
1.1.2. Кристаллохимические свойства
1.1.3. Химические свойства
1.1.4. Характер связи
1.1.5. Электрические свойства
1.1.6. Магнитные свойства
1.1.7. Оптические свойства
1.1.8. Адсорбционные и каталитические свойства
1.2. Общая характеристика твердых растворов на основе бинарных соединений и методы их получения
1.3. Выращивание тонких пленок алмазоподобных полупроводников
1.4. Твердые растворы типа А3В3-А2В'’ ~
1.5. Твердые растворы баАзцЗе как представители систем А3В5-А2В6
1.6. Применение алмазоподобных полупроводников и твердых растворов на их основе
ГЛАВА И. Экспериментальная часть.
Вводные замечания
2.1. Исследуемые объекты и методы их получения
2.1.1. Получение твердых растворов
2.1.2. Получение пленок бинарных соединений 1п8Ь, 2п8е и их твердых растворов
2.2. Идентификация твердых растворов
2.2.1. Рентгенографический анализ
2.2.2. Определение ширины запрещенной зоны
2.2.3. Определение стехиометрического состава
2.3. Адсорбция оксида углерода (II)
2.3.1. Выбор и получение адсорбата
2.3.2. Адсорбционные измерения
2.4. Электрофизические измерения
2.5. Исследование кислотно-основных свойств
2.5.1. Определение рН-изосостояния
2.5.2. Механохимические исследования
2.5.3. Кондуктометрическое титрование
2.6. Термодесорбционные измерения
ГЛАВА III. Результаты и их обсуждение.
3.1. Идентификация твердых растворов
3.1.1. Рентгенографический анализ
3.1.2. Определение ширины запрещенной зоны
3.1.3. Определение стехиометрического состава
3.2. Адсорбционные измерения
3.2.1. Кинетика и энергия активация адсорбции
3.2.2. Изобары адсорбции
3.2.3. Равновесные изотермы адсорбции. Изменение энтропии и теплота адсорбции
3.2.4.3ависимость кинетических, адсорбционных,
термодинамических характеристик от состава системы InSb-ZnSe
3.3. Электропроводность InSb, ZnSe и их твердых растворов
3.3.1. Электропроводность образцов в вакууме
3.3.2. Электропроводность образцов в атмосфере СО
3.4. Кислотно-основные свойства
3.4.1. Водородный показатель изосостояния
3.4.2. Механохимические исследования
3.4.3. Кондуктометрическое титрование
3.5. Термодесорбционные исследования
ГЛАВА IV. Обобщение и систематизация результатов
Выводы
Список литературы

ВВЕДЕНИЕ ЗНАЧЕНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
Актуальность проблемы. Системы А3В5-А2В6, представителем которой является исследуемая система МЬпБе, относятся к типу гетеровалентного замещения. Здесь и катионообразователи, и анионообразователи различной валентности и, соответственно, из разных групп периодической системы Д.И. Менделеева. Общим для этих веществ является природа межатомных связей (тетраэдрические ковалентные связи) и, как следствие, - идентичность кристаллической структуры.
Физико-химические, электрические и, тем более, поверхностные свойства многокомпонентных гетеровалентных алмазоподобных систем практически не исследованы, но даже то, что уже известно (неупорядоченное расположение многих типов атомов в строгой алмазоподобной структуре, большие области гомогенности при сохранении ряда свойств внутри этих областей, малая теплопроводность, сильная компенсация носителей заряда, появление экстремальных эффектов на адсорбционных и электрофизических зависимостях, комбинированное действие компонентов в качестве макро и микропримесей, возможность получения при максимальной разнице в значениях ширины запрещенной зоны и прямых переходах минимальной разницы в параметрах решетки, возможность осуществления гетеропереходов и т.д.) вызывают к ним большой научный и практический интерес.
Особенно ярко интересные свойства, связанные с фактором многокомпонентности полупроводниковых систем такого типа, должны проявляться при протекании поверхностных процессов, исключительно важных для катализа, современной оптики и электроники, изучения гетероструктур и гетеропереходов;
В 60-е годы, когда в технике существенно возрос интерес к новым полупроводниковым материалам, Кировской И.А. вместе с учениками были

при выявлении зависимости каталитической активности, и при направленном' подборе полупроводниковых катализаторов.
1.5. Твердые растворы СаАз-2п8е , как представители системы на основе соединений А3В5 - А2В6.
Система ОаАв-2п8е была одной из первых, на основе которой синтезирован ряд гетеровалентных твердых растворов типа А3В5-А2В6. В настоящее время из всех известных систем типа А3В5 - А2В6 система ОаАз-" гпве изучена наиболее полно и фундаментально. Многие из свойств этой системы нашли практическое применение. Гетеровалентные твердые растворы ОаАз-гпЭе можно рассматривать как образец при синтезе и исследовании свойств любых систем данного ряда полупроводников.
Предположение о существовании гетеровалентных твердых растворов в системе ОаАз-2п8е было высказано на основании того, что каждое из исходных бинарных соединений образует непрерывные твердые растворы с одним и тем же соединением СагЗез [86]. Здесь и катионообразователи, и анионообразователи - представители разных групп периодической системы с различной валентностью [1].
В работе [72] рентгеновским методом доказывается, что в данной системе существует непрерывный ряд твердых растворов замещения, кристаллизующихся в структуре сфалерита, причем периоды решетки для различных составов изменяются в соответствии с законом Вегарда.
Система гетеровалентных твердых растворов СаАв-гпЭе подробно исследована в работах школы Кировской И.А., при этом особое внимание уделено адсорбционным, каталитическим, электрофизическим и магнитным свойствам этой системы [36-40, 42-50, 107, 114, 129-133, 147, 152,
160,161,164,167].
1.5.1. Микроструктура и микротвердость.