Молекулярное допирование тонкопленочных структур на основе фталоцианинов для устройств органической электроники

• Автор: Травкин, Владислав Владимирович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 171 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1; 1 .Органическая электроника
1.2. Фталоцианиновые комплексы
1.2.1. Общие положения
1.2.2. Субфталоцианин (Суб-ФЦ). Синтез и свойства
1.2.3. Фталоцианин ванадила (РсУО). Синтез и свойства
1.2.3.1. Синтез и молекулярная упаковка
1.2.3.2. Фазовые свойства
1.2.3.3. Оптические свойства
1.2.3.4. Электрические свойства фталоцианина ванадила
1.2.4. Основы допирования
1.2.4.1. Применение в молекулярной электронике
1.2.4.2. Понятие диффузии
1.2.4.3. Основные механизмы и методы исследования диффузии в полупроводниках
1.2.4.4. Особенности диффузии в органических полупроводниках
1.3. Фотовольтаические солнечные ячейки
1.3.1. Принцип работы фотовольтаической ячейки (ФВЯ) и история создания
1.3.2. Строение ФВЯ
1.3.3. Основные характеристики ФВЯ
1.3.3.1. Ток короткого замыкания и напряжение холостого хода
1.3.3.2. Фототок и квантовый выход
1.3.3.4. Темновой ток

1.3.3.5. Эффективность ФВЯ. Фил-фактор
1.3.3.6. Паразитные сопротивления ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Исходные материалы и реагенты
2.2. Получение тонкопленочных структур
2.3. Аналитические методы
2.3.1. Методы анализа поверхности
2.3.2. Рентгено-фазовый анализ
2.3.3. Оптическая спектроскопия
2.3.4. (Фото-)электрические измерения
2.4. Допирование и диффузия
ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Пленки Суб-ФЦ. Структурная характеризация
3.2. Пленки Суб-ФЦ. Оптические свойства
3.3. Пленки Суб-ФЦ. Электрические свойства
3.3.1. Планарные структуры
3.3.2. Сэндвич-ячейки с барьером Шоттки
3.4. Пленки РсУО. Структурная характеризация
3.5. Пленки РсУО. Оптические свойства
3.6. Пленки РсУО. Электрические измерения
3.6.1. Планарные ячейки
3.6.2. Сэндвич-ячейки с барьером Шоттки
3.7. Моделирование диффузионных процессов и
профили распределения концентраций допантов
3.8. ФВЯ с планарным гетеро- переходом
3.8.1. ФВЯ на основе Суб-ФЦ

3.8.2. ФВЯ на основе безметального ФЦ
3.8.3. ФВЯ на основе ФЦ ванадила
3.8.4. ФВЯ на основе допированного ФЦ ванадила
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Основные публикации автора по теме диссертации

Спектры рентгеновской диффракции тонких пленок ФЦ ванадила, существующего в указанных выше двух полиморфных модификациях, представлены на Рис. 10, где а - моноклинная полиморфная модификация, Ь - триклинная полиморфная модификация.

1 со

10 20

Рис. 10. Спектры рентгеновской диффракции, полученные на тонких пленках. А) Фаза I; Б) Фаза II [74].
В спектре моноклинной модификации наиболее интенсивный пик 20=25,98°, соответсвует межплоскостному расстоянию 3,43А. Молекулы расположены перпендикулярно поверхности подложки. Так же имеется слабый пик 20=12,78°, соответсвующий расстоянию 6,92А.
В спектре триклинной модификации наиболее интенсивный пик 20=7,38°, соответствует межстопочному расстоянию в 11,97А. Молекулы расположены параллельно поверхности подложки. Так же имеются слабые пики 20=14,9°, 20,96°, 21,92°, 25,12°, 28,28°, которым соответствуют расстояния 5,94А, 4,23А, 4,05А, 3,54А, 3,15А. В случае триклинной модификации наблюдается димеризация молекул РсУО.