Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS

• Автор: Касатова, Ирина Юрьевна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Омск
• Количество страниц: 124 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Полупроводниковые соединения типа АПВУІ
1.1.1. Общие сведения о соединениях АПВУІ
1Л .2. Кристаллическая структура соединений АПВУІ
1Л .3. Энергетическая зонная структура соединений А°ВУІ
1Л .4. Химическая связь в соединениях типа АПВУІ
1Л. 5. Электрофизические свойства
1Л .6. Оптические свойства
1Л .7. Особенности примесей в соединениях типа АПВУІ
1Л. 8. Специфические особенности свойств полупроводников
л По VI
типа А В
1Л .9. Применение полупроводниковых соединений АПВУ
1.2. Теллурид кадмия
1.2 Л. Общая характеристика и получение теллурида кадмия
1.2.2. Описание системы Сб-Те
1.2.3. Электрофизические свойства теллурида кадмия
1.2.4. Химическая связь в теллуриде кадмия
1.2.5. Кислотно-основные свойства поверхности
1.2.6. Применение СсГГе
1.3. Сульфид цинка
1.3.1. Общая характеристика и получение сульфида цинка
1.3.2. Кристаллическая структура и физико-химические свойства
сульфида цинка
1.3.3. Оптические свойства реальных монокристаллов
сульфида цинка
1.3.4. Применение сульфида цинка

1.4. Типы твердых растворов
1.4.1. Твердые растворы АПВУ1 - А°ВУ1
1.4.2. Система СсГГе
1.5. Люминесценция
1.5.1. Типы люминесценции
1.5.2. Адсорбция и люминесценция
1.6. Оптические методы исследования полупроводников
1.6.1. ИК - спектроскопия
1.6.2. КР - спектроскопия
1.6.3. УФ - спектроскопия, определение ширины
запрещенной зоны
1.7. Использование анализа выдыхаемых газов для диагностики
заболеваний
Глава 2. Экспериментальная часть
2.1. Получение твердых растворов системы СсГГе
2.2. Идентификация твердых растворов
2.3. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности
2.4. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны
2.5. КР-спектроскопические исследования
2.6. Исследование кислотно-основных свойств поверхности
2.6.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНи30)
2.6.2. Метод механохимического диспергирования
2.6.3. Кондуктометрическое титрование
2.7. Получение аммиака
Глава 3. Результаты и их обсуждение
3.1. Получение и идентификация твердых растворов

3.2. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности
3.3. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны
3.4. КР-спектроскопические исследования
3.5. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов
системы Сс1Те-Хп8
3.5.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНизо)
3.5.2. Механохимические исследования
3.5.3. Неводное кондуктометрическое титрование
3.6. Адсорболюминесцентные свойства твердых растворов
системы Сс1Теп8
Глава 4. Взаимосвязь изученных свойств и основные закономерности их изменения в зависимости от состава системы Сс1Те-2п8
4.1. Химическое состояние и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы СёТе-Хп8
4.2. Оптические свойства компонентов системы СёТе-2п8
4.3. Основные закономерности изменения изученных свойств
от состава системы С<1Те-2п8
Выводы
Библиографический список

Рис. 1.7. Микрофотографии расплавленных сфалеритов с общим содержанием кислорода 0,4 (а) и 1,8% (б, в, г), полученные в свете катодолюминисценции (а, б, в) и в отраженных электронах (г)
Экситонные спектры. Наиболее коротковолновая полоса
люминесценции ZnS интерпретируется излучательной аннигиляцией свободных и связанных экситонов [25, 148].
Как и для других полупроводников А"в'/1, при повышении температуры (сверх 2К) преобладающим является излучение свободных экситонов. При Т>290К экситонное излучение 7п8 выделяется в «чистом» виде (рис. 1.8.).