Применение концепции группировок постоянной стехиометрии к колебательным спектрам PbO-P2O5-TeO2, Rb2O-GeO2 и Na2O-Nb2O5-P2O5 стеклообразующих систем

• Автор: Апакова, Инна Эдуардовна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 166 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1 Л. Актуальность стекол, содержащих оксиды тяжелых металлов Те02, Ое02 и№>205
1.2. Структура кристаллических Те02, 0е02 и МЬ205
1.3. Стеклообразные Те02 и 0е02
1.4. Структура теллуритных стекол
1.5. Структура германатных стекол
1.6. Структура ниобийсодержащих стекол и постоянная Керра
1.7. Концепция группировок постоянной стехиометрии
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ
ГЛАВА 3. СТЕКЛООБРАЗУЮЩАЯ СИСТЕМА РЬ0-Р205-Те02
3.1. Экспериментальная часть
3.2. Спектры комбинационного рассеяния
3.3. Анализ спектров комбинационного рассеяния, выделение спектральных форм в рамках концепции группировок постоянной стехиометрии
3.4. Применение методов разрешения многомерных кривых к исследованию структуры стекол
3.5. Расчет парциальных свойств стекол на основе выделенных группировок постоянной стехиометрии
3.6. Сопоставление спектров группировок постоянной стехиометрии и кристаллов
3.7. Обсуждение полученных результатов
ГЛАВА 4. СТЕКЛООБРАЗУЮЩАЯ СИСТЕМА ЛЬО-ОеОг
4.1. Экспериментальная часть
4.2. Спектры комбинационного рассеяния
4.3. Анализ спектров комбинационного рассеяния, выделение спектральных форм в рамках концепции группировок постоянной стехиометрии
4.4. Применение методов разрешения многомерных кривых к исследованию структуры стекол
4.5. Обсуждение полученных результатов
ГЛАВА 5. СТЕКЛООБРАЗУЮЩАЯ СИСТЕМА Na20 -Nb205-P205
5.1. Экспериментальная часть
5.2. Спектры комбинационного рассеяния
5.3. Анализ спектров комбинационного рассеяния, выделение спектральных форм в рамках концепции группировок постоянной стехиометрии
5.4. Обсуждение полученных результатов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
KP - комбинационное рассеяние
ДСК - дифференциальная сканирующая калориметрия ГПС - группировка(и) постоянной стехиометрии ИК - инфракрасный (диапазон, РЖ спектроскопия)
ВКР - вынужденное комбинационное рассеяние
ТБФ - тяжелый баритовый флинт
СТФ - сверхтяжелый флинт
Тпл - температура плавления
Tg - температура стеклования
EXAFS - протяженная тонкая структура рентгеновских спектров поглощения XANES - ближняя тонкая структура рентгеновского поглощения MAS NMR - ядерный магнитный резонанс, вращение под магическим углом Ял-п - отношение Ландау-Плачека п - показатель преломления d - плотность
VV - параллельная поляризация
VH - перпендикулярная поляризация
Ткрист “ температура кристаллизации
МБР - манделыптам-бриллюэновское рассеяние
РМБР - релеевское и манделыптам-бриллюэновское рассеяния
ПСФ - постоянная спектральная форма
MCR-ALS - метод разрешения многомерных кривых с использованием
метода наименьших квадратов
КТР - коэффициент термического расширения
ЯМР - ядерный магнитный резонанс

В работе [3] методами спектроскопии ИК отражения исследовалась структура щелочнотеллуритных стекол. Авторы этой работы, опираясь на данные рентгеноструктурных исследований, делают вывод о том, что в стеклах координация атомов теллура есть 3+1, при этом три кислородных атома находятся на расстояниях Те-0 приблизительно 1.98 А, а четвертый атом кислорода удален на расстояние от 2.08 до 2.98 А. Авторами [3] при исследовании теллуритных стекол применялся метод сопоставления ИК спектров отражения стекол и выделяющихся из них кристаллических фаз. Ими отмечалось, что наличие полос ИК отражения у стеклообразного Те02 в тех же областях, где обнаруживаются достаточно четкие максимумы в спектрах кристаллических образцов (с небольшим смещением в сторону увеличения длин волн), указывает на наличие в структуре стекол ближнего порядка, аналогичного ближнему порядку в структуре кристаллов.
В работе [3] был сделан вывод, что координационное число теллура в теллуритных стеклах, имеющих ближний порядок, аналогичный кристаллу а-Те02, равно четырем и не меняется с изменением состава стекла, а сдвиг полос в спектрах ИК отражения в сторону увеличения длин волн происходит из-за того, что при этом постепенно увеличивается количество группировок Те04 с одним более длинным расстоянием Те-О. Подобные результаты получены в работах [10, 11,81, 111, 124].
Авторами работы [64] изучалась структура литиевотеллуритных стекол методом дифракции холодных нейтронов. Были получены функции радиального распределения атомов, на основании которых сделаны выводы о структуре изучаемых стекол, и предложена модель структурной рекомбинации, согласно которой ионы модификатора входят в стереохимически активные области между теллуритно-кислородными цепями со стороны свободной электронной пары атомов теллура (рисунок 1.8, б).