Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия

• Автор: Кострюков, Виктор Федорович
• Шифр специальности: 02.00.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 114 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ)
1.1 Термическое окисление СаАя в чистых условиях
1.2. Воздействие дополнительных компонентов на кинетику и механизм процессов окисления арсенида галлия
1.3. Процессы хемостимулированного окисления арсенида галлия
1.4 Совместное воздействие соединений-активаторов с позиции

химического сопряжения ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОКСИДНЫХ СЛОЕВ НА СаАя ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ
ПРИСУТСТВИИ РЬО, 8Ь2Оз И В1203
2.1. Характеристика материалов
2.2. Методика термооксидирования ваАя
2.3 Методика обработки результатов
2.3.1 Формально-кинетическая обработка результатов
2.3.2 Относительные парциальные и интегральные толщины
2.4 Эталонное окисление
2.5 Инструментальные методы исследования
ГЛАВА 3. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ СаАя ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ БИНАРНЫХ СМЕСЕЙ ОКСИДОВ СВИНЦА
СУРЬМЫ И ВИСМУТА
ГЛАВА 4. СОВМЕСТНОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ ТРЕХ ОКСИДОВ-
АКТИВАТОРОВ НА ПРОЦЕСС ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ ваАя (системы 8Ь203 - (В1203)о,8(РЬО)о,2; В1203
(8Ь203)0,2(РЬО)о,8)

ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ СОВМЕСТНОГО АКТИВИРУЮЩЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОКСИДОВ СВИНЦА, СУРЬМЫ И ВИСМУТА НА ПРОЦЕСС ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ваАв
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ПРИЛОЖЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Современные достижения физикохимии и техники полупроводников связаны, прежде всего, с двумя семействами полупроводников А1У и АШВУ. В настоящее время лидирующие позиции занимает дешёвый и технологичный кремний. Однако стремление к повышению быстродействия приборов, решение других задач полупроводниковой техники, стимулирует поиск и освоение иных материалов. Наибольший интерес проявляется к арсениду галлия, имеющему подвижность электронов в 4-5 раз выше, чем у кремния, и большую ширину запрещённой зоны, что может обеспечить повышенную радиационную устойчивость полупроводниковых устройств при одновременном повышении их быстродействия. При производстве планарных и МОП-приборов на основе ар-сенида галлия одной из наиболее важных заедач является создание на поверхности полупроводника высококачественных диэлектрических плёнок.
“Чистое“ термическое окисление арсенида галлия в сухом и влажном кислороде не решает основной задачи, поскольку скоростие роста диэлектрических плёнок малы, а их высокая пористость и неоднородность, а также низкая диэлектрическая прочность оксидных слоев делают их мало пригодными для использования в качестве пассивирующих и изолирующих покрытий.
Одним из методов увеличения скорости роста оксидных слоев и улучшения их свойств является химическое стимулирование термического окисления арсенида галлия. Оно заключается во введении в окислительную атмосферу определенных, специальным образом подобранных соединений-активаторов, которые, радикально меняя кинетику и механизм процесса, приводят не только к ускорению процесса роста пленки, но и к улучшению диэлектрических свойств получаемых слоев. Для этой цели применяют различные соединения. Взаимодействия, имеющие место при этом, представляют собой многостадийные последовательно-параллельные процессы, протекающие в открытых гетерогенных системах, находящихся в сильно неравновесном состоянии, осложненные

/ я. Ж+? - /~870

. I С т.р.+?
Мол %

Рис.З Диаграмма состояния системы Вц03