Когерентные электромагнитные процессы, инициированные фотонами, электронами и тяжелыми ионами высоких энергий в ориентированных кристаллах

• Автор: Пивоваров, Юрий Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.16
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 205 с.

Содержание
Введение
Глава 1. Электромагнитное возбуждение и диссоциация релятивистских ядер при столкновениях с атомами
1.1 Дипольные амплитуды возбуждения при столкновениях релятивистских ядер с потенциалом произвольного вида
1.2 Дипольные сечения возбуждения и спектры виртуальных фотонов
1.3 Электромагнитная диссоциация релятивистских ядер при столкновениях с атомами
1.4 Электромагнитное возбуждение низколежащих ядерных уровней дипольными переходами при столкновениях с атомами
1.5 Сравнительный анализ дипольных и квадрупольных сечений возбуждения релятивистских ядер
Глава 2 . Электромагнитное возбуждение релятивистских ядер в кристаллах
2.1 Критерий появления когерентного эффекта для процесса электромагнитного возбуждения релятивистского ядра в кристалле
2.2 Поведение сечения возбуждения в кристалле в зависимости от энергии ядра
2.3 Моделирование когерентного возбуждения релятивистских ядер в кристалле (модель бинарных столкновений)
2.4 Моделирование когерентного возбуждения релятивистских ядер в кристалле (мультистринговая модель )
2.5 Электромагнитное возбуждение каналированных ядер вне резонансных условий: относительное усиление вероятностей дипольных переходов

2.6 Электромагнитное возбуждение ядер кристалла каналирован-ными протонами и антипротонами
Глава 3. Электромагнитная диссоциация релятивистских каналированных ядер в кристалле
3.1 Критерий появления когерентного эффекта для процесса электромагнитной диссоциации ядра в кристалле
3.2 Электромагнитное расщепление дейтрона при осевом каналировании в кристалле
3.3 Электромагнитная диссоциация ядер 9Ве при плоскостном каналировании
Глава 4. Когерентное возбуждение ускоренных водородоподобных ионов в кристаллах
4.1 Критерий возникновения когерентного эффекта для процесса возбуждения быстрых водородоподобных ионов в криталле
4.2 Когерентное возбуждение быстрых ионов 1дАге)+ схема моделирования и результаты расчетов
4.3 Когерентное возбуждение водородоподобных релятивистских тяжелых ионов в кристалле
Глава 5. Когерентное рождение электрон-позитронных пар и релятивистских атомов позитрония фотонами, электронами и тяжелыми ионами
5.1 Когерентное рождение типа Б электрон-позитронных пар: эфект коллимации и яркость когерентных пиков
5.2 Влияние эффекта каналирования частиц пары на поведение сечения вблизи когерентных максимумов
5.3 Когерентное фоторождение релятивистских синглетных атомов позитрония в кристалле
5.4 Когерентное рождение релятивистских синглетных атомов позитрония релятивистскими электронами в кристалле
5.5 Когерентный эффект для процесса рождения е+е- пары с захватом электрона на К-оболочку релятивистского тяжелого ядра
Глава 6. Излучение релятивистских электронов в тонких кристаллах
6.1 Принципы моделирования характеристик излучения канали-рованных электронов в тонких кристаллах
6.2 Спектральные и поляризационные характеристики излучения для характерных траекторий
6.3 Усреднение по траекториям и сравнение с экспериментальными данными
Заключение
Литература

1.4 Электромагнитное возбуждение низко лежащих ядерных уровней дипольными переходами при столкновениях с атомами
Сечения ЭМВ низколежахцих уровней в релятивистских столкновениях выходят на плато при гораздо более низких энергиях налетающего пучка ядер, нежели в случае электромагнитного расщепления релятивистских ядер. Действительно, согласно результатам §1.2 (см. формулы (1.2.18-1.2.19)), экранирование начинает ограничивать рост сечений ЭМВ при у г > иДД, где Я8 - радиус экранирования ядра мишени. Поэтому в сечениях возбуждения отдельных уровней с энергией возбуждения 10 -т- 100кэВ появление плато следует ожидать уже при 5 -Ь 10. Опираясь на полученные в §1.2 формулы, представляет интерес численными расчетами изучить зависимость сечений возбуждения отдельных ядерных уровней конкретных ядер от релятивистского фактора у.
Сечение возбуждения ядерного уровня С энергией перехода hшif дипольным Е1 или М1 переходом дается найденными в §.1.2 формулами или находится аналогично сечению расщепления дейтрона (§1.3), с той разницей, что плотность конечных состояний в этом случае
pf{Ь,ui) = 8{1ги
Для нахождения величины £?(£!, Д —* //) воспользуемся стандартным определением времени жизни возбужденного уровня относительно радиационого перехода мультипольности лЬ (см. например [47]):
8тг(Д + 1) (Пшг'2Ь+1
т7 ~ ПЩ2Ь + I)!!]2
Здесь | означает переход с испусканием фотона. Для дипольных
переходов Ь = 1 после преобразований находим:
При этом, если ядерный переход одночастичный, то