Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах

• Автор: Кармоков, Ахмед Мацевич
• Шифр специальности: 01.04.14
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Нальчик
• Количество страниц: 361 с. : ил.

Содержание
Введние
1. Термодинамическая теория межфазных явлений на границе раздела конденсированных фаз в изобарических условиях
1.1 .Краткий обзор исследований межфазной сегрегации и
межфазного натяжения на границе раздела конденсированных фаз
1.2.Уравнения изобар состава межфазного слоя и межфазного натяжения в бинарных системах на границе конденсированных фаз
1.2.1. Приближение идеальных растворов
1.2.2. Многокомпонентные системы в приближении идеальных растворов
1.2.3. Нулевое приближение теории регулярных растворов
1.2.4. Первое приближение теории регулярных растворов
1.2.5.Приближение субрегулярных растворов
1.3. Адгезия, краевой угол смачивания и коэффициент растекания
на границе раздела конденсированных фаз
1 ААктивность малых примесей на межфазных границах бинарных
конденсированных фаз в изобарических условиях
Выводы из 1 главы
2. Аппаратура и методика вторично-ионной и электронной спектрометрии для исследования поверхностных и межфазных слоев материалов
2.1. Экспериментальные установки для исследования состава, структуры и профилей распределения элементов с помощью ионных
пучков
2.1.1. Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС)
2.1.2 Спектроскопия обратно-рассеянных ионов низкой энергии

2.2. Экспериментальные установки для изучения химического состава, атомной и электронной структуры поверхностного слоя материалов
методами электронной спектроскопии
Выводы из 2 главы
3. Исследование методами ионной спектроскопии поверхностной сегрегации и профилей распределения элементов в бинарных системах
3.1. Исследование методом ВИМС профилей распределения сегрегировавщих элементов в поверхностном слое кристаллов
3.1.1 Методические особенности исследования распределения
элементов в поверхностном слое материалов с помощью ВИМС
3.1.2. Исследование профилей распределения элементов в
поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-АІ и Cu-Ge методом ВИМС
3.1.3. Сегрегация элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса
3.1.4. Исследование методом ВИМС распределения элементов в поверхностном слое монокристаллов InSb (111) и GaP (111)
3.1.5. Определение параметров диффузии в поверхностном слое кристаллов
3.2. Исследование методом СОРИНЭ поверхности кристаллов
3.2.1. Современное состояние исследований поверхности
кристаллов методом СОРИНЭ !
3.2.2. Исследование методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий структуры поверхности монокристалла
Си + 6 ат. % Ge(111)
Выводы из 3 главы
4. Особенности поверхностной сегрегации легирующих примесей в элементарных полупроводниках

4.1. Поверхностная сегрегация и профили распределения элементов в поверхностном слое полупроводниковых кристаллов
4.2. Влияние заряда в поверхностном слое на перераспределение примеси в полуограниченном полупроводниковом кристалле
4.3. Теоретическое рассмотрение поверхностной сегрегации примесей n-типа в кристаллах кремния и германия
4.4. Расчет термодинамических характеристик поверхности
легированного кремния и коэффициентов диффузии примесей в
кремнии
Выводы из 4 главы
5. Исследование методом ВИМС профилей распределения бора и фосфора на межфазных границах кремний - металлическая
пленка
5.1. Послойный анализ границ раздела разнородных
материалов
5.2. Методика приготовления образцов и структур границы кремний -пленка алюминия
5.3. Сегрегация легирующей примеси на межфазной границе кремний-металл
5.4. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение примеси бора в системах Ni-Si и Ti-Si .'
Выводы из 5 главы
6. Контактное плавление кристаллов н практические применения результатов исследования
6.1. Контактное плавление в направленно кристаллизованных эвтектических сплавах
6.2. Теоретическое исследование кинетики контактного плавления эвтектических композиций
и с учетом этих соотношении получаем разложение уравнения (1-59) в ряд в виде

а))2+м(а5а))3, (1-63)
М =1-к-ку
иГ]{о) //»_
По полученным выше аналитическим уравнениям проведены численные расчеты термодинамических характеристик межфазного слоя на границе раздела конденсированных фаз в бинарных системах. В таблице
1.1 представлены данные [39 - 55], использованные при расчетах. Результаты расчетов представлены в таблицах 1.2-1.10. В таблицах 1.2 - 1.3 представлены значения активности А% в сплаве А£-Аи в твердом и жидком состояниях при температурах 800 и 1350 К, полученные с использованием приема Жуховицкого. На рисунке 1.1 для сравнения представлены температурные зависимости активностей компонентов в твердой и жидкой фазах и межфазном слое, полученные расчетным путем по формуле (1-63) и по приему Жухавицкого. Как видно из рисунка они находятся в хорошем согласии для данной системы. Однако, наблюдается значительное расхождение результатов в других системах, и особенно, с ограниченной растворимостью компонентов. В связи с этим при численных расчетах активностей компонентов использованы значения концентрации в а и Р фазах из равновесных диаграмм состояний. На рисунках 1.2 - 1.5 представлены значения концентрации и активности первого компонента вдоль линий солидус, ликвидус и на межфазной границе, рассчитанные по формуле (1-59), для систем Cu-Ag, Си-№, Вьвп и М§-/п.