Формирование электропроводящих полосковых структур с нанометровыми размерами

• Автор: Рыжиков, Илья Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.13
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 110 с. : ил.

Содержание

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Метод молекулярно-пучковой эпитаксии и его применение
в технологии создания полупроводниковых лазерных структур
1.2. Проблемы формирования объектов с нанометровыми размерами при помощи сканирующего туннельного микроскопа
ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРОЩЕННЫХ МЕЗА-ПОЛОСКОВЫХ ЛАЗЕРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ
2.1. Формирование полуизолирующих и высокоомных полупроводниковых эпитаксиальных слоев А1хОа|_хАй методом МПЭ
2.2. Особенности создания зарощенных меза-полосковых структур
2.3. Технологический маршрут создания зарощенной меза -полосковой лазерной структуры
2.4. Обработка предростовой поверхности
2.5. Формирование топологии и рельефа зарощенной меза -полосковой лазерной структуры
2.6. Формирование оптимального теплового контакта
2.7. Влияние характера загрязнений поверхности подложки на морфологию растущего эпитаксиального слоя
2.8. Реализации технологического маршрута зарощенной меза -полосковой лазерной структуры
2.9. Повторный эпитаксиальный рост при формировании сложных структур на основе арсенида галлия методом МПЭ
Содержание

2.10.Некоторые проблемы метрологии при создании зарощенных меза-полосковых лазерных структур с применением МПЭ
2.11.Выводы к Главе
ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОМЕТРОВЫХ ПОЛОСКОВЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ НА ПРОВОДЯЩИХ ПОВЕРХНОСТЯХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СТМ
3.1. Характеристика используемого метода формирования нанометровых объектов на поверхности твердого тела
3.2. Возможные механизмы формирования нанообъектов
при минимальной толщине адсорбированного слоя
3.3. Комплекс оборудования для формирования объектов с нанометровыми характерными размерами на базе СТМ
3.4. Объекты исследований, используемые реагенты, поверхностные тонкоплёночные структуры и подложки, используемые для формирования нанометровых объектов
3.5. Локальное вакуумное осаждение полосковых
проводящих элементов с помощью СТМ
3.6. Особенности формирования проводящих полосковых структур с нанометровыми размерами с использованием подложек различного состава
ГЛАВА 4. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Введение

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. Экспериментаторы и технологи достаточно давно оперируют со структурами и объектами, характеризуемыми нанометровы-ми размерами. Это относится, прежде всего, к различным поликристалли-ческим материалам, керамикам, многослойным тонкоплёночным структурам. Физические процессы, происходящие при формировании и функционировании структур с нанометровыми размерами, существенно отличаются от процессов, протекающих при использовании традиционных технологий и размеров [1]. Современное состояние вопроса характеризуется выделением нанотехнологии в самостоятельную научную и техническую дисциплину и её структурированием на более специальные разделы [1, 2, 3]. Переход к нанометровым размерам позволяет формировать структуры и функциональные элементы с новыми свойствами.
Основой большинства элементов, используемых в СВЧ-технике, оп-то- и микроэлектронике, являются полосковые электропроводящие структуры. В последнее время интенсивно развивалась технология их формирования на основе объединения традиционных технологий микроэлектроники (термическое, электронно-лучевое, магнетронное и ионное распыление; фото-, и электронная литография; ионное, плазменное и химическое травление) с элементами высоких технологий (молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) и сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)). Особую актуальность приобрели методы формирования полосковых элементов на основе полупроводниковых и металл-диэлектрических многослойных структур (в том числе сверхрешетки) со слоями толщиной несколько нанометров или имеющих поперечный размер того же порядка [8,9,12]. Бурное развитие этой области и обуславливает необходимость разработки новых технологических методов формирования таких структур.
ГЛАВА

Рис. 7. Стадия формирования маски из А1