Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп

• Автор: Румянцева, Анна Игоревна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 159 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
1. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ
1Л. Физические основы РСМА
1Л Л. Методики проведения рентгеноспектрального микроанализа
1Л .2. Методы количественной обработки результатов РСМА
1.2. Методы КРСМА на основе моделирования движения
электронов в твердом теле
1.2Л. Метод ZAF
1.2 Л Л ." Базовый алгоритм расчета поправок
1.2 Л .2. Выбор оптимального алгоритма расчета поправочных
коэффициентов в рамках метода ZAP
1.2.2. Метод Монте-Карло ' :
1.2.2.1.Эволюция моделей: схемы многократного и
однократного рассеяния
1.2.2.2.“Базовая” модель имитации траектории движения
электрона по методу Монте-Карло
1.3. Метода-коэффициентов
1.4. Метод отношения относительных интенсивностей
1.5. Факторы, влияющие на правильность результатов РСМА
1.5.1. Методика подготовки образцов
1.6. Особенности РСМА полупроводниковых материалов
1.6.1. РСМА. высокоомных материалов
1.6.2. Рентгеноспектральный микроанализ многофазных систем
1.6.3. Анализ многослойных полупроводниковых структур
в условиях ДЭГФ
Выводы по главе I
2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК РОМА И ИССЛЕДОВАНИЕ
ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ МЕТОДОМ ОТНОШЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ
2.1. Метод отношения относительных интенсивностей
2.2. Методика анализа содержания компонентов на низких
уровнях концентрации
2.3. Метод ООИ для анализа четверных ПТР
2.4. Анализ образцов системы РЬ-8п-1п-Те
2.5. Исследование эффекта стабилизации электрофизических
свойств монокристаллических образцов РЬоЗподТе, легированных 1п
2.6. Исследование меанизма вхождения индия в естественно
ограненые монокристаллические образцы РЬ-ЗпЛ'е при легировании из газовой фазы
2.7. Анализ образцов ПТР системы 8п-1п-8е-Те
2.8. Исследование влияния однородности состава образцов
системы 8п-1п-8е-Ге на параметры перехода в сверхпроводящее состояние
2.9. Анализ естественно ограненных монокристаллов РЬТе,
легированных Т1
Выводы по главе
3. МОДЕЛНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР В УСЛОВИЯХ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭФФЕКТА ВТОРИЧНОЙ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ
3.1. Особенности анализа многослойных многокомпонентных структур методом РСМА
3.2. Особенности определения параметров диффузионных процессов методом РСМА

3.3. Эффект вторичной флуоресценции
3.4. Модель учета эффекта да льнодействующих эффектов гетерогенного фона (на примере двухслойной структуры AX/BY)
3.5 Проведение моделирования и обсуждение результатов
3.6 Изучение механизма образования слоистых структур Ag2Te/Pb/PbTe
Выводы по главе
4. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ
4.1. Особенности рентгеноспектрального микроанализа
высокоомных материалов
4.2. Взаимодействие электронов зонда с высокоомной мишенью
4.3. Оценка времени установления квазистационарного режима
«накопления - стекания» заряда в области генерации ХРИ
4.4. Физико-математическая модель РСМА высокоомных материалов
4.5. Оценка величины накопленного заряда
4.6. Учет наличия локального электрического поля при расчете
тормозной способности электронов
4.7. Характеристики образцов и результаты моделирования ПО
4.8. Критический анализ разработанных модельных представлений
4.9. Методика РСМА высокоомных фотопроводящих
полупроводниковых образцов
4.10. РСМА керамических слоев, использующихся в качестве защитных покрытий в газотурбостроении
Выводы по главе
Вероятность рассеяния на угол 0 рассчитывается по формуле:
скг{в,Е)
р(в>=
с1Р, <У{Е)
с/О.
После интегрирования может быть получено аналитическое выражение для Р( в), из которого легко найти созд.
В том случае, если для расчета йо(0,Е) используется более сложная и точная формула, Р( в) может быть протабулирована и процесс моделирования осуществляется путем выбора с помощью случайных чисел уже готовых значений всех необходимых величин. Модели, объединенные на схеме под номером 3, носят гибридный характер, так как соединяют в себе расчет длины свободного пробега электрона с вычислением потерь энергии в приближении непрерывного торможения, т.е. по формуле Бете (или ее уточненной модификации). Проведенные по этой модели расчеты не дали хорошего количественного согласия с экспериментальными результатами в широком диапазоне энергий и атомных номеров. Это объясняется тремя причинами: схема моделирования траектории движения электронов по-прежнему остается слишком упрощенной; выражения, использующиеся для расчета сечения упругого рассеяния, не точны в области малых углов рассеяния; а также не являются точными расчеты потерь энергии по формуле Бете.
Авторы работы [30] попытались избежать неточностей, связанных с применением простых приближенных выражений для учета эффектов рассеяния и торможения электронов. Они использовали сечения упругих столкновений, рассчитанные методом парциальных волн [37] и модифицированную формулу Бете-Блоха [38], дающую заметно отличающиеся результаты в области энергий, меньших ЮкэВ. Таким образом в работе [30] продемонстрированы возможные пути использования в методах Монте-Карло сложных квантовомеханических соотношений для расчета сечений упругого и неупру-