Неустойчивость дебаевских слоев и ее влияние на распределение плазменных параметров при взаимодействии плазмы с сильно-эмитирующей поверхностью

• Автор: Кирнев, Геннадий Степанович
• Шифр специальности: 01.04.08
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 172 с.

Введение.

Г лава 1. Литературный обзор
1.1. Особенности поведения пристеночной плазмы
1.1.1. Вводные замечания
1.1.2. Роль электростатических и магнитных флуктуаций в усилении аномального переноса
1.1.3. Механизмы турбулентности пристеночной плазмы
1.2. Модификация турбулентности периферийной плазмы
1.2.1. Роль радиального электрического поля в режимах улучшенного удержания
1.2.2. Формирование электрических полей в периферийной плазме
1.3. О влиянии повышенной электронной эмиссии на
параметры пристеночной плазмы и их уровень флуктуаций
1.3.1. Образование диэлектрических покрытий на поверхностях внутренних конструкционных элементов ТЯУ
1.3.2. Влияние вторичной электронной эмиссии на параметры пристеночной плазмы и устойчивость дебаевских слоев
Выводы к главе
Глава 2. Описание экспериментальной установки, систем диагностики и разрядных режимов
2.1. Описание разрядной камеры, систем откачки
и газонапуска
2.2 Коллекторные устройства
2.3. Диагностические средства установки ПР
2.3.1. Измерение токов и напряжений
2.3.2. Измерение концентрации плазмы и
электронной температуры
2.3.3. Измерение флуктуационных характеристик
плазмы
2.4. Описание разрядного режима
Глава 3. Описание экспериментов на ПР-2 в режиме ППР с применением коллекторного устройства с одной приемной пластиной
3.1. Вводные замечания
3.2. Измерение аномальных вольт-амперных
характеристик приемных пластин
3.2.1. ВАХ приемных пластин из алюминиевого сплава

в аргоновой плазме
3.2.2. ВАХ приемных пластин из алюминиевого сплава
в водородной плазме
3.2.3. ВАХ приемных пластин из вольфрама
в аргоновой и водородной плазме
3.2.4. ВАХ приемных пластин из графита в аргоновой
и водородной плазме
3.2.5. ВАХ приемных пластин из вольфрама
с найыленной графитовой пленкой в аргоновой и водородной плазме
3.3. Объяснение аномального поведения вольт-амперных характеристик
3.3.1. Измерение зависимости интегрального коэффициента вторичной электронной эмиссии от потенциала
приемной пластины
3.3.2. Расчет скорости роста оксидных пленок на поверхности алюминиевой приемной пластины
3.3.3. Моделирование аномальных вольт-амперных характеристик
3.4. Неустойчивые режимы взаимодействия плазмы с поверхностью коллекторов с аномальными ВАХ
3.4.1. Режимы ВЧ-колебаний
3.4.2. Анализ электрической схемы цепи приемной
пластины на устойчивость
3.4.3. Моделирование неустойчивых режимов
3.5. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия на параметры плазмы
3.5.1. Вводные замечания
3.5.2. Радиальные распределения электронной температуры
Те и плотности плазмы п
3.5.3. Уровень флуктуации нлатенных параметров
3.5.4. Корреляционные характеристики плазменных флуктуаций и коэффициенты аномальной диффузии
3.5.5. Пространственные распределения радиальных электрических полей
Выводы к главе
Глава 4. Описание экспериментов на токамаке Т
4.1. Условия и схема эксперимента
4.2. Результаты эксперимента
Выводы к главе
Глава 5. Описание экспериментов на ПР-2 в режиме і II IF с применением коллекторного устройства с двумя
приемными пластинами
5.1. Схема эксперимента с составным коллектором
5.2. Измерение вольт-амперных характеристик
5.3. Развитие неустойчивого режима
5.4. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия в экспериментах с коллекторным устройством
с двумя приемными пластинами на параметры плазмы
5.5. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия в экспериментах с коллекторным устройством
с двумя приемными пластинами на параметры плазмы
Выводы к главе
Заключение
Литература

3). Диверторные схемы.
Диверторные схемы предполагают подачу электрического потенциала на диверторные приемные пластины или пластины, расположенные в диверторной камере термоядерных установок. Из всех применяемых схем формирования периферийного электрического поля такие схемы являются наиболее приближенными к условиям термоядерного токамака-реактора. Поэтому диверторные схемы в настоящее время - объект наибольшего внимания экспериментаторов и теоретиков.
Одними из первых экспериментов с электрическим смещением диверторных пластин относительно стенки камеры были эксперименты на установке РВХ-М [83]. Результаты, полученные на этой установке показывают значительное снижение ~35% порога мощности перехода в Н-моду, что коррелировало с изменением электрического поля внутри сепаратрисы.
Обширные исследования влияния заряженных диверторных пластин на периферийную плазму были проведены на токамаке TdeV [84] в двунулевой диверторной геометрии. При создании полоидального электрического поля электрический ток протекал вдоль силовых линий магнитного поля и радиальный ток отсутствовал. Потенциал в SOL и другие плазменные параметры при этом почти не менялись. При электрическом смещении сепаратрисы относительно стенки (радиальное электрическое поле) возникали сильные радиальные токи, величина которых была сравнима с неамбиполярными токами, вызванными аномальным транспортом. Сформированное электрическое поле Ег влияло на тороидальные и полоидальные скорости вращения плазмы по обе стороны сепаратрисы. При этом направление вращения внутри LCFS не