Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка

• Автор: Лифенко, Валерий Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 137 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Перечень основных обозначений
Введение
Глава 1: Литературный обзор. Оптические и электрические свойст
ва халькогенидов цинка
1.1 Некоторые физические и химические параметры 2пБе и ZïlS
1.2 Рекомбинационное излучение и центры захвата в кристаллах
ЯпБе и ZnS
1.3 Процессы переноса заряда в полупроводниках с межзеренны
ми границами
1.4 Явление остаточной проводимости в неоднородных полупро
водниках
1.5 Выводы к первой главе
Глава 2: Экспериментальные методики и аппаратура для комплекс
ного исследования широкозонных материалов с дефекта
ми различной размерности
2.1 Методика регистрации спектров ФЛ и ТСЛ
Исследование фотоэлектрических свойств
2.2 Методика исследования оптического поглощения
2.3 Исследование полевых эффектов в поликристаллах
2.4 Дополнительные экспериментальные методы исследования
2.5 Характеристика исследуемых образцов
2.6 Заключение ко второй главе
Глава 3: Радиационное дефектообразование, процессы переноса и рекомбинации заряда в нолику , аллах селенида и сульфида цинка
3.1. Излучательная рекомбинация в поликристаллах ЕпЭе и 7пЗ
3.2. Оптическое поглощение, кинетика формирования и
обесцвечивания полос, связанных с Г+- центрами в моно и

поликристаллах ZnS, облученных быстрыми электронами.
3.3. Фотостимулированный электронный перенос в поликристаллическом '/.пБе с центрами Б - типа.
3.4. Термостимулированный перенос заряда в поликристаллах ZnSQ, облученных быстрыми электронами.
3.5 Выводы к третьей главе.
Глава 4: Процессы переноса заряда в поликристаллах селенида цинка при наличии поля.
4.1. Вольт-амперные характеристики поликристаллов обладающих длинновременной релаксацией проводимости.
4.2. Переходные процессы в поликристаллах 2п5е при наличии постоянного поля.
4.3. Влияние поля на энергию активации проводимости и соотношение барьеров в поликристаллах ХпБе.
4.4. Остаточная, фото- и термостимулированная проводимость в поликристаллическом селениде цинка.
4.5 Выводы к четвертой главе.
Глава 5: Рекомбинация неравновесных носителей заряда в
поликристаллах халькогенидов цинка при наличии постоянного поля.
5.1. Полевые эффекты в поликристаллическом сульфиде цинка.
5.2. Влияние перезарядки ловушек на кинетику длинновременной релаксации проводимости в поликристаллах ZnS.
5.3. Процессы переноса и рекомбинации в поликристаллах селенида цинка после высокотемпературной обработки давлением.
5.4 Выв с пятой главе.
Заклю. ,яие.
Список литературы.

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ.
ВАХ - вольт-амперная характеристика
ДАЛ - донорно-акцепторные пары
ДРП - длинновременные релаксации проводимости
ИОП - индуцированное оптическое поглощение
ИФП - индуцированная фотопроводимость
КЛ - катодолгоминесценция
ЛАХ - люкс-амперная характеристика
МЗГ - межзеренная граница
ННЗ - неравновесные носители заряда
ОДМР - оптически детектируемый магнитный резонанс
ОП - оптическое поглощение
ОПр - остаточная проводимость
СА - самоактивированное (свечение)
ТСП - термостимулированная проводимость ТСТ - термостимулированный ток ТСЛ - термостимулированная люминесценция ТЗТТ - температурная зависимость темнового тока ФВ - фотовозбуждение

ФЛ - фотолюминесценция
ФП - фотопроводимость
ЭПР - электронный парамагнитный резонанс

ГЛАВА 2: ЭКСПЕРЕМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ И АППАРАТУРА ДЛЯ КОМПЛЕКСНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ШИРОКОЗОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С ДЕФЕКТАМИ РАЗЛИЧНОЙ РАЗМЕРНОСТИ.
2.1 Методика регистрации спектров фотолюминесценции и ТСЛ.
Исследование фотоэлектрических свойств.
Спектры фотолюминесценции регистрировали на установке, собранной на базе спектрометра ДФС-12. Образец помещали в вакуумный криостат, позволяющий получать температуру вплоть до 80К. Температуру образцов контролировали медьконстантановой термопарой. Вакуумиро-вание криостата осуществляли безмасляными адсорбционным и магниторазрядным насосами. Рабочий вакуум в камере был не хуже 6*10 ' Па.
Фотовозбуждение образцов производили импульсным азотным лазером ЛГИ-21 (длина волны 337.1 нм, 1 имп=10 не), обеспечивающим плотность возбуждения в импульсе примерно 50КВт/см2. Люминесценцию регистрировали при помощи фотоэлектронного умножителя ФЭУ-106 в комплексе с электрометрическими вольтметрами ВК2-16, В7-30, У5-9. Перед измерениями фотолюминесценции и фотопроводимости поверхность образцов ЯпБе травили в 5% растворе брома в этаноле. Образовавшийся при этом слой аморфного селена удаляли в кипящем растворе ИаОН. Для травления образцов сульфида цинка применяли раствор К2Ст207 в 16 норм
Спектры фотопроводимости образцов измеряли на этой же установке. В качестве источника возбуждения использовали лампу накаливания. При измерениях фотопроводимости образец изолировали от держателя слюдяной прокладкой. Контакты из Ы-ва амальгамы размером 5*1 мм2 > наносили на одну грань образца. После нанесения контактов