Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Роддатис, Владимир Владимирович
01.04.07
Кандидатская
1999
Москва
109 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Обзор теоретических приемов описания границ зерен
1.2. Экспериментальные методики, используемые для получения и исследования границ зерен
1.3. Обработка изображений и количественная электронная микроскопия
1.4. Исследования ВТСП пленок на бикристаллических и ступенчатых подложках
1.5. Применение пленок ZnO и исследование их роста на различных подложках методом электронной микроскопии
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Приготовление образцов для электронной микроскопии
2.2. Просвечивающая электронная микроскопия
2.3. Аналитическая электронная микроскопия
2.4. Обработка и расчет изображений
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ИСКУССТВЕННЫХ ГРАНИЦ В БИКРИСТАЛЛАХ У- СТАБИЛИЗИРОВАННОГО гЮ2
3.1. Результаты моделирования изображений структуры Y-Zr02 для различных микроскопов
3.2. Исследование несимметричных границ в бикристаллах У-гЮ2.~
3.3. Исследование симметричных границ в бикристаллах У-гю2
3.4. Выводы.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ БИКРИСТАЛЛОВ У-СТАБИЛИЗИРОВАННОГО Ег02 С ПРОСЛОЙКАМИ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ
4.1. Бикристаллы У-гг02 с прослойкой У3Ее6012
4.2. Бикристаллы с внутренними пленками БгТЮз и БгТЮз/У зБ в5012
4.3. Бикристаллы У-ЕЮ2 с внутренними пленками оксида железа
4.4. Микроструктура кристаллов У-гЮ2 с внутренними пленками Се02 и БгТЮз
4.5. Структура внутренних пленок 2пО и ЕпО/У-ХЮ2 в бикристаллах У-ЕгОо
4.6. Выводы
ГЛАВА 5. СТРУКТУРА ПЛЕНОК ЪпО, ВЫРАЩЕННЫХ НА БИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ у-гю2 И ПЛЕНОК Т12Ва2СаСи208, ВЫРАЩЕННЫХ НА СТУПЕНЧАТЫХ ПОДЛОЖКАХ ЪаАЮ3
5.1. Структура пленок гпО, выращенных на бикристаллических подложках У-ЕЮ2
5.2. Структура Т12Ва2СаСи208 пленок, выращенных на (001) ступенчатых подложках БаАЮз
5.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Актуальность проблемы.
Исследование границ зерен (ГЗ) является фундаментальной задачей физики твердого тела. ГЗ определяют механические, электрические и многие другие свойства твердых тел. Именно поэтому влияние структуры ГЗ на эти свойства в последние годы стало предметом многочисленных исследований.
В твердых телах достаточно сложно обнаружить границу между двумя зернами с определенной разориентацией и изучить ее строение и физические свойства. Разработанный в Институте кристаллографии им. A.B. Шубникова метод твердофазного • сращивания кристаллов (ТФС) позволяет контролировать процесс формирования границ между двумя и более кристаллитами. Протяженность таких искусственно полученных границ может достигать нескольких сантиметров и, кроме того, метод ТФС позволяет создавать их в заданном месте. Таким образом, изучение влияния структуры границ на различные свойства материала значительно упрощается. В настоящее время бикристаллы различных материалов уже широко используются в качестве подложек для высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок и изготовления на их основе сверхпроводящих квантовых интерферометров (СКВИДов). Особые надежды возлагаются на то, что в будущем на базе ВТСП пленок станет возможно создание электронно-вычислительных машин нового поколения, обладающих большим быстродействием, значительно меньшим энергопотреблением и энерговыделением и, высокочуствительных измерительных приборов. Вместе с тем, в настоящее время ведутся исследования с целью создания
составляет 1.6-1.7нм, что соответствует расстоянию,
определяемому по формуле Франка Б=|Ь|/|Э и равному 1.62нм для малоугловой границы с разориентацией 12.5°. Сегменты второго типа, обозначенные белыми стрелками, фасетированы по плоскостям (100), (120) и (140) и содержат дислокации с
проекцией вектора Бюргерса Ь=(а/2)[100]. Контур Бюргерса, построенный на одном из фасетированных участков, показал присутствие четырех компонент вектора Бюргерса (а/2)[100].
Рис.3.5. Изображение с высоким разрешением показывает, что граница состоит из сегментов двух типов. Сегменты показаны белыми и черными стрелками.
3.3. Исследование симметричных границ в бикристаллах У-Zr02^
Симметричная граница 19е/19".
Изображение с высоким разрешением типичного участка границы и соответствующая картина микродифракции показаны на Рис.3.ба,б. Контактными плоскостями обеих частей бикристалла являются кристаллические плоскости (210) У-ЕгОз-
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Волоконные световоды с активной сердцевиной, полученной путем спекания смеси порошкообразных оксидов исходных веществ | Вельмискин, Владимир Владимирович | 2011 |
Магнитостатическое взаимодействие в системе однодоменных частиц | Горошко, Ольга Александровна | 2010 |
Радиационно-стимулированные эффекты в натриево-силикатных стеклах | Чибисова, Мария Анатольевна | 2007 |