Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Лопатин, Дмитрий Валерьевич
01.04.07
Кандидатская
1999
Тамбов
139 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Автор выражает искреннюю благодарность своим научным руководителям Головину Юрию Ивановичу и Моргунову Роману Борисовичу, а также всем сотрудникам кафедры за оказанную помощь и теплые дружеские отношения.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1 Критерии разграничения “сильного” и “слабого” магнитных полей и их воздействия на физические процессы
1.2 Экспериментальные данные по магнитопластическим и другим магнитным эффектам в ионных, ковалентных и молекулярных кристаллах
1.2.1 Влияние магнитного поля на процесс взаимодействия парамагнитных центров в объеме кристалла и в ядре дислокации
1.2.2 Эффекты, связанные с изменением в магнитном поле состояния точечных дефектов в объеме и на поверхности кристалла
1.2.3 Возможные объекты в кристалле, которые могут быть подвержены действию магнитного поля
1.3 Влияние слабых магнитных полей на протекание спин-зависимых реакций в твердых телах
1.3.1 Механизм влияния магнитного поля на спин-зависимые химические реакции
1.3.2 Магнито-спиновые эффекты в молекулярных, полупроводниковых и ионных кристаллах
1.4 Физические свойства фуллеритов
1.4.1 Перспективы использования фуллеритов в технике, электронике, химии и
биологии
1.4.2. Пластические свойства фуллеритов
1.4.3 Электронное строение идеальной решетки фуллеритов и их магнитные и электрические свойства
1.5. Постановка целей и задач исследования
Глава 2. Методика исследований
2.1 Методика получения и измерения магнитных полей до 30 Тл
2.2 Методика исследования подвижности индивидуальных дислокаций, инициированной магнитным полем без приложения внешней механической нагрузки
2.3 Методика исследования влияния магнитного поля на изменение микротвердости ионных и молекулярных кристаллов
2.4 Методика исследования фотопроводимости фуллерита С6о в постоянном магнитном поле
2.5 Выводы
Глава 3. Изменение пластичности ионных и молекулярных кристаллов в результате влияния магнитного поля
3.1 Необратимость изменения состояния метастабильных точечных дефектов под влиянием слабого магнитного поля
3.2 Влияние умеренных магнитных полей на пробеги индивидуальных дислокаций в ионных кристаллах
3.3 Обратимость изменения на микропластичность ионных кристаллов под влиянием магнитных полей с индукцией до 30 Тл
3.4 Выделение полевых зависимостей для разных типов точечных дефектов
3.5 Влияние импульсного магнитного поля на пластические свойства молекулярных кристаллов Сбо
3.6 Возможные механизмы влияния умеренного магнитного поля на пластичность ионных и молекулярных кристаллов
3.7 Выводы
Глава 4. Возбуждение точечных дефектов немагнитными воздействиями и инициирование их перехода в магниточувствительное состояние
4.1 Роль термообработки в формировании чувствительности точечных дефектов в ионных кристаллах к магнитному полю
4.2 Влияние релаксационных процессов вблизи свежеобразованной поверхности на магнитопластические эффекты в ионных кристаллах
4.3 Сенсибилизация радиационно-окрашенных кристаллов к действию магнитного поля F-светом
4.4 Модели влияния немагнитных факторов на магниточувствительное состояние точечных дефектов
4.5 Выводы
Глава 5. Влияние магнитного поля на фотопроводимость фуллерита Сбо
5.1 Экспериментальные данные о влиянии магнитного поля на фотопроводимость СбО
5.2 Модель влияния магнитного поля на электронные переходы в подсистеме фотовозбужденных молекул фуллерита
5.3 Выводы
Общие выводы по работе
Литература
скорости разупрочнения ионных кристаллов при макродеформировании.
Экспозиция кристаллов NaCl:Ca в постоянном МП при одновременном действии скрещенного с ним СВЧ МП показала наличие трех резонансных переходов между расщепленными в постоянном МП подуровнями электронов (соответствующие эффективные g-факторы gi~2, g2~4 и g3~6). Если удалить из кристаллов магниточувствительные точечные дефекты, преобразовав их в нечувствительные к МП, то пики соответствующие g2 и g3 полностью исчезают, а пик соответствующий gi, уменьшается вдвое. Авторы [90] отмечают, что значительная часть обнаруженного резонансного разупрочнения кристаллов реализуется вследствие парамагнитного резонанса в комплексах точечных дефектов, чувствительных к постоянному МП. Наличие пика при g~2, не устраняемого даже в отсутствие чувствительных к МП точечных дефектов, относится к резонансу в паре дислокация - точечный дефект.
Исследование совместного действия постоянного МП и СВЧ поля на скорость макропластического течения кристаллов NaCl/.Ca показало, что до предела текучести включение СВЧ поля не приводило к изменению диаграммы s(t). После достижения предела текучести добавление СВЧ поля к постоянному МП приводило к увеличению de/dt. Максимальной величины разупрочнение достигало при значениях Bo=Bresi и Bo=BreS2, соответствующих эффективным g-факторам, равным gi и g2, что согласуется с результатами исследования пробегов индивидуальных дислокаций. Следовательно, совместное действие СВЧ и постоянного магнитных полей на макропластическое течение также носит резонансный характер.
Таким образом, измерение характеристик пластичности кристаллов позволяет регистрировать спектр электронных переходов в подсистеме структурных дефектов, зависящий от типа основной примеси. Это показывает, что комплексы могут иметь различное строение, зависящее от типа основной примеси в кристалле и продвигает исследования в направлении идентификации точечных дефектов, чувствительных к МП.
Из приведенных выше экспериментальных данных видно, что в различных
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Микроструктура и элементный состав пленок на основе оксидов со структурой перовскита по данным рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением | Разномазов, Валерий Михайлович | 2010 |
Динамика и статика гейзенберговских и негейзенберговских магнетиков с учетом "релятивистских" взаимодействий | Гореликов Геннадий Андреевич | 2016 |
Дисперсионные эффекты фононного трения электронов в конденсированных средах | Мареева, Ольга Владимировна | 2006 |