Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах

• Автор: Кусраев, Юрий Георгиевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 255 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
I. Спиновые взаимодействия и магнитооптические явления в полумагнитных полупроводниках и квантовых ямах (обзор литературы)
II. Параметры кристаллической и зонной структуры СЙ1.хМпхТе
1.2. Структура уровней марганца в кристаллах АПВУ|
1.3. Гигантское спиновое расщепление в ПМП
1.4. Переход парамагнетик - спиновое стекло
1.5. Магнитополяронный эффект в ПМП
1.6. Спиновые эффекты в полумагнитных наноструктурах
1.7. Явления переноса в ПМП
1.8. Другие полумагнитные системы
1.9. Практические применения полумагнитных полупроводников
П. Методика эксперимента
II. 1. Объект исследования
П.2. Экспериментальная установка для магнитооптическх исследований
Ш. Магнитоиндуцированная поляризация люминесценции Сй} _ хМпхТе
III. 1. Преимущества метода поляризованной люминесценции
III.2. Поляризация ФЛ в геометрии Фарадея. Концентрационная зависимость
Ш.З. Температурная зависимость поляризации. Оптическая
регистрация фазового перехода парамагнетик - спиновое стекло
Ш.4. Линейная поляризация ФЛ в геометрии Фойгта
III. 5. Теоретический анализ моделей
III.6. Эффекты кубической анизотропии в твердых растворах СйМпТс

1116.1. Обсуждение результатов
Ш.6.2. Модель сильной анизотропии
IV. Оптические проявления спиновых свойств СйМиТе
IV. 1. Люминесценция СбМпТе при селективном фотовозбуждении.
Энергия магнитного полярона и порог подвижности экситонов
I V.2. Оптическая регистрация замороженного
поля в спиновых стеклах С(1МпТе
IV. 3. Влияние немагнитного потенциала локализации на энергию полярона
IV.4. Оптически индуцированная поляризация люминесценции.
Спектры возбуждения поляризованной ФЛ
IV. 5. Скрытая магнитная анизотропия. Правила отбора
IV.6. Особенности спиновой релаксации локализованных экситонов в
условиях гигантского спинового расщепления
IV. 7. Спектры излучения полумагнитных полупроводников
при релаксации экситона на флуктуациях локальной намагниченности
V. Оптическая ориентация экситонов в квантовых ямах СйТе/СйМпТе
V. 1. Экситонная люминесценция двойных квантовых ям Сс1Те/Сс1МпТе
У.2. Оптическая ориентация экситонов. Условия наблюдения
У.З. ЭффектХанле
У.4. Оптическая ориентация экситонов в условиях
комбинационного рассеяния
V.5. Аномальный эффект Ханле в полумагнитных квантовых ямах
VI. Анизотропия спиновой структуры валентной зоны
в квантовых ямах (001)-СйТе/С<1МпТе
VI.!. Введение
VI.2. Анизотропия магнитоиндуцированной линейной поляризации
в квантовых ямах
VT.2.1. Поляризация люминесценции в отсутствие маагнитного поля
VI.2.2. Поляризация излучения из барьеров
VI.3. Симметрийный анализ результатов и сравнение с экспериментом
VI.4. Квантовомеханический расчет степени линейной поляризации.
Латеральная анизотропия g-фактора тяжелой дырки в квантовой яме
VI.4.1. Расчет линейной поляризации в отсутствие магнитного поля
VI.5. Анизотропный магнитный полярон в квантовой яме
VI. 6. Обсуждение результатов
Заключение
Литература
Список публикаций по теме диссертации
Цитируемая литература

Рис.1.10. Температурная зависимость края поглощения антиферромагнитного Мп8 [174]. Вблизи температуры Нееля Тц наблюдается резкий рост ширины запрещенной зоны, обусловленный я, р-с1 обменным взаимодействием.
Рис.1.11. Температурная зависимость края поглощения кристалла Cde.27Mno.73Te. Пунктирная линия представляет аппроксимацию высокотемпературных данных законом Варшни [43].