Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства кристаллов-релаксоров семейства SBN

• Автор: Узаков, Рустам Эрнстович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 165 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение
Глава 1. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым
ПЕРЕХОДОМ (РЕЛАКСОРЫ). ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
§1.1. Общие черты объектов с размытым фазовым переходом и некоторые модели, описывающие процессы релаксации диэлектрической поляризации в области размытого фазового перехода
1.1.1. Суперпараэлектрическая модель и модель дипольного стекла
1.1.2. Стекольный характер поведения поляризации
1.1.3. Доменное состояние, индуцированное случайным полем
§ 1.2. Характеристика БВЫ как объекта с размытым фазовым
переходом
1.2.1. Кристаллическая структура
1.2.2. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов
семейства БВЫ
1.2.3. Диэлектрические свойства кристаллов 8В1Ч
Выводы
Глава 2. Измерительная аппаратура, методика
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ
§2.1. Экспериментальные установки
§ 2.2. Методика диэлектрических измерений
2.2.1. Частотно-температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости 8*(у,Т)
2.2.2. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства 8В1Ч в области РФП

2.2.3. Временные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости е*
2.2.4. Измерения токов поляризации и деполяризации в исследуемых монокристаллах
2.2.5. Влияние постоянных электрических полей на диэлектрический отклик монокристаллов 8ВИ
2.2.6. Измерения реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости в*(Е=)
2.2.7. Измерение диэлектрических характеристик переключения в средних (промежуточных) и сильных гармонических электрических полях
§ 2.3. Подготовка образцов для диэлектрических измерений
Глава 3. Низко- и инфранизкочастотные диэлектрические СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ 8В1Ч-75 и 8В1Ч-61 В УЛЬТРАСЛАБЫХ
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПОЛЯХ
§3.1. Частотно-температурные зависимости
монокристаллов 8ВЫ
§ 3.2. Обсуждение результатов
§ 3.3. Дисперсия 8* в релаксорном сегнетоэлектрике БВХ
§ 3.4. Обсуждение результатов
§3.5. Влияние механического напряжения на диэлектрические
свойства БВИ в области РФП
§ 3.6. Обсуждение результатов
§ 3.7. Долговременные релаксационные явления
в монокристалле БВИ
3.7.1. Эффект термической памяти (ЭТИ) релаксоров БВИ
§ 3.8. Обсуждение результатов
§ 3.9. Сравнение поведения диэлектрических параметров с

поведением токов поляризации и деполяризации в
монокристалле SBN
§ 3.10. Обсуждение результатов
Выводы
Глава 4. Диэлектрические свойства системы SBN при
ВОЗДЕЙСТВИИ ПОСТОЯННОГО (СМЕЩАЮЩЕГО) И ПЕРЕМЕННОГО
ПОЛЕЙ РАЗЛИЧНЫХ напряженности и амплитуды
§4.1. Влияние постоянных электрических полей на
диэлектрический отклик монокристаллов SBN
§ 4.2. Обсуждение результатов
§ 4.3. Эффект полевой памяти в монокристалле SBN
§ 4.4. Обсуждение результатов
§ 4.5. Поляризационные и переполяризационные процессы в SBN
4.5.1. Влияние предыстории на характер поляризационных и
переполяризационных процессов монокристаллов SBN
§ 4.6. Обсуждение результатов
Выводы
Основные результаты и выводы
Литература

элементов приводит к смещению температуры Кюри в область более низких температур [104, 105].
Как отмечалось в [8], доменная структура системы 8ВЫ считается чрезвычайно лабильной и изменяется не только под влиянием внешних факторов, таких, как температура, механические напряжения, электрические поля, но также с течением времени без влияния внешних воздействий (процессы старения).
В работе [8] отмечено, что исследования доменной структуры кристаллов 8В14, представленные в работе [106], показали, что в этих материалах доменные границы не имеют формы концентрических окружностей и спиралей, повторяющих форму фронта кристаллизации, что характерно для полидоменных образцов ниобата лития и ниобата бария-натрия. Как правило, в реальных кристаллах БВК наблюдается небольшая униполярность, то есть домены с одной из возможных ориентаций спонтанной поляризации преобладают над другими.
Как отмечает автор [8], для твердых растворов 8В18Г с высоким содержанием стронция (х > 0,6) при комнатной температуре характерна неустойчивая доменная структура. Даже при незначительных колебаниях температуры это приводит к частичной деполяризации [11, 93]. В кристаллических элементах такая деполяризация увеличивает полуволновое напряжение при низкочастотных полях и изменяет фазовые соотношения в различных точках кристалла. Однако, следует отметить, что несмотря на то, что диэлектрические свойства системы 8ВК изучены достаточно подробно в широком диапазоне частот и измерительных полей [93, 102, 107], подобные данные практически отсутствуют при частотах ниже V = 50 Гц и в ультраслабых измерительных полях Е < 1 В/см, то есть в области, оптимальной для исследования взаимодействия доменных стенок и межфазных границ с кристал-