Адгезия при лазерном напылении пленок

• Автор: Жованник, Евгений Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 139 с. : ил.

Оглавление
Введение
Глава 1. Исследования адгезии тонких пленок на различных подложках и изучение переходной области пленка-подложка (обзор литературы)
1.1. Методы измерения адгезии тонких пленок на различных подложках
1.2. Поверхность раздела между двумя контактирующими телами
1.3. Вид связи на границе раздела
1.4. Изучение факторов, влияющих на величину адгезии тонких пленок к подложкам
1.5. Технологии получения пленочных покрытий
1.6. Осаждение тонких пленок лазерным методом
Глава 2. Величина адгезии пленок (№, Си, А1, Рф 81,
1п8Ь, Та205), напыленных лазерным методом на различных подложках (Си, Ре, 31, ЗЮ2, Та205, углероде, стекле, ситалле, слюде, фторопласте)
2.1. Схема лазерного и термического метода напыления пленок
2.2. Схема измерения адгезионной прочности с использованием промежуточного слоя №
2.3. Величина адгезии для различных пар пленка-подложка
Глава 3. Сравнительное исследование структуры переходной области Рб-81(111) при лазерном и термическом напылении палладия

3.1. Результаты, полученные с помощью оже-электронной спектроскопии (ОЭС)
3.2. Использование резерфордовского обратного рассеяния (POP)
3.2.1. Режим скользящей геометрии
3.2.2. Режим каналирования
3.3. Результаты, полученные с помощью асимптотической брегговской дифракции (АБД)
3.4. Измерения адгезии методом "нормального отрыва" для пары Pd-Si(111)
3.5. Сравнительный анализ исследований проведенных POP, ОЭС и АБД для пары Pd-Si(111)
Глава 4. Анализ структуры переходной области Аи-Si(111) при изменении плотности потока лазерного излучения и температуры подложки
4.1.1. Анализ структуры переходной области Au-Si(111) при изменении плотности потока лазерного излучения
4.1.2. Зависимость величины адгезии от плотности потока лазерного излучения
4.2.1. Анализ структуры переходной области Au-Si(111) при изменении температуры подложки
4.2.2. Зависимость величины адгезии от температуры подложки
Глава 5. Структура переходной области Ni-ситалл, Ni-стекло, полученной с помощью резерфордовского обратного рассеяния и величина адгезии пленок
никеля

Глава 6. Обсуждение механизмов повышенной адгезии
при лазерном напылении пленок
Основные результаты и выводы
Благодарности
Список литературы
растворимое состояние, а затем смываются с поверхности подложки.
Очистка подложек нагревом. Эффект очистки нагревом объясняется с одной стороны термодесорбцией загрязнений, а, с другой, химическими реакциями с газами атмосферы, в результате которых образуются летучие соединения. При нагреве подложек в среде, содержащей кислород (часто это делается обжигом в пламени), важно так подобрать параметры очистки, чтобы предотвратить неполное сгорание загрязнения, которое приводит к образованию сажи на подложке.
Очистка стеклянных подложек производится обычно протиркой ватным тампоном с последующей обработкой в горячей воздушной струе [42]. Следует иметь в виду, что нагрев стеклянных подложек выше 200°С может вызвать возникновение микрошероховатости поверхности подложек [43].
Возможно применение очистки подложек нагревом в вакуумной камере, который производится непосредственно перед напылением [44]. Отметим, что температуру прогрева следует выбирать с особой тщательностью, так как при перегреве возможно загрязнение поверхности подложек вследствие диффузии веществ из их объема.
Ионно-плазменная обработка подложек. Очистка подложек падающими ионами, в том числе в плазме тлеющего и ВЧ разряда, считаются наиболее перспективным видом обработки, так как позволяет обрабатывать подложки в вакуумной камере непосредственно перед нанесением пленки