Локальная структура поверхности меди и серебра в реакции хлорирования

• Автор: Андрюшечкин, Борис Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 153 с.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Введение
§1.1.1. Терминология и список сокращений
§1.1.2. Основные закономерности взаимодействия галогенов с металлами!^
1.2. Химические превращения галогенов на поверхности металлов
1.3. Структура хемосорбированного слоя галогена на поверхности Си и Ас
§1.3.1. Некоторые сведения из кристаллографии металлов
§1.3.2. Соразмерные и несоразмерные адсорбционные структуры
§1.3.3. Структура галогенов на поверхности монокристаллов меди и серебра
1.4. Структура галогенидов на поверхности меди и серебра
1.5. ВыводыкГЛАВЕ
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Экспериментальная установка
2.2. Подготовка образцов
2.3. Электронная оже-спектроскопия , :
§2.3.1. Основы ЭОС
§2.3.2 Факторный анализ для оже-спектров
2.4. Термодесорбционная спектроскопия
2.5. Сканирующая туннельная микроскопия
2.6. Протяженная тонкая структура в спектрах энергетических потерь электронов
§2.6.1. ЕХЛИЗ-формула
§2.6.2. Механизм ЕЕЬЕВ
§2.6.3. Анализ EET.ES данных
2.7. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция
2.8. Выводы к ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ХИМИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ И МОРФОЛОГИЯ АС(И1) В РЕАКЦИИ ХЛОРИРОВАНИЯ
3.1 Химическое состояние Ас(111) в реакции хлорирования
§3.1.1 Выбор температурных условий для проведения адсорбции хлора
§3.1.2. Адсорбция хлора
§3.1.3. Термодесорбция продуктовреакгрш хлорирования
£ 3.1.4. Модель химических превращений на поверхности серебра
£ 3.1.5. Влияние электронного пучка на хлорированную поверхность серебра
в процессе записи оже-спектров
3.2. Морфология хлорированной поверхности Ас(111)

§ 3.2.1 Морфология Ag(ll 1) в отсутствии электронного воздействия
^ 3.2.2 Изменение морфологии поверхности под действием электронного пучка
3.3. Выводы к ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ СЕРЕБРА В РЕАКЦИИ ХЛОРИРОВАНИЯ
4.1. Структура насыщенного монослоя хлора на поверхности Ag(1 11)
§ 4.1.1. Введение
§ 4.1.2. СТМ-измерения и Фуръе-анализ СТМ-изображений
§4.1.3. Структура монослоя хлора
4.2. Атомная структура островков AgCl на поверхности Ag(1 11)
§4.2.1. Зародышеобразование AgCl
§ 4.2.2. Атомная структура зародышей AgCl
§ 4.2.3. Избыток серебра в ТД-спектрах и структура хлорида серебра
4.3. Локальная структура двумерной пленки AgCl
§ 4.3.1. Протяженная тонкая структура в спектрах энергетических
потерь электронов в AgCl/Ag(l 11)
§ 4.3.2. Фотоэлектронная дифракция хлорированной поверхности Ag(100)
4.4. ВыводыкГЛАВЕ
ГЛАВА 5. ХИМИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ И СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ МЕДИ В РЕАКЦИИ ХЛОРИРОВАНИЯ
5.1. Химические превращения Си( 100) в реакции хлорирования
§ 5.1.1. Выбор температурных условий для адсорбции хлора
§ 5.1.2. Химические преврагцения поверхности при адсорбции хлора
§ 5.1.3. Десорбция продуктов реакции хлорирования
£ 5.1.4. Морфология хлорированной поверхности
5.2. Локальная структура CuCl на поверхности меди
§ 5.2.1. Фотоэлектронная дифракция хлорированной поверхности Си(ЮО)

§ 5.2.2. Протяженная тонкая структура в спектрах энергетических потерь электронов в СиС1(111)/Си(111)
5.3. Выводы к ГЛАВЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Благодарности
ЛИТЕРАТУРА

Введение
Известно, что присутствие активных газов на поверхности твердого тела кардинальным образом может менять ее свойства. При этом могут меняться как спектр поверхностных состояний, так и локальная структура поверхности, вследствие чего у поверхности появляются новые физические и химические свойства. В зависимости от конкретной ситуации такое явление может быть как полезно, так и вредно. Так, явление коррозии металлов - одна из глобальных проблем в технике - пример явного неконтролируемого воздействия газовой смеси кислорода, паров воды и пр. В то же время небольшая добавка галогенсодержащих молекул в реакции окисления этилена на серебряном катализаторе существенно улучшает селективность процесса в нужном направлении. Механизм полевой диффузии, предложенный Кабрерой и Моттом в 1948 году [1] для объяснения процесса окисления, до сих пор используется для объяснения скорости роста оксидных и галогенидных пленок. Однако детали самого процесса взаимодействия активных газов с поверхностью, т.е. то, что требует тонких экспериментальных исследований, до сих пор недостаточно изучены. Подобные исследования поверхности в контролируемых условиях сверхвысокого вакуума стали возможны, начиная с семидесятых годов, когда появились методы анализа, основанные на электронной спектроскопии и дифракции. В настоящее время экспериментальные возможности физики поверхности позволяют проводить наблюдения за отдельными атомами поверхности в реальном пространстве и определять их энергетический спектр и положение на поверхности с точностью до долей ангстрема.
Элементарными активными газами являются молекулы кислорода и галогенов. Вот почему именно реакциям окисления и галогенирования уделяется наибольшее внимание при исследовании воздействия активных газов на поверхность в модельных экспериментах в сверхвысоком вакууме. Но, если в случае кислорода получаются очень стойкие адсорбционные покрытия, то

1. Исследовать структуру насыщенного монослоя хлора и островков хлорида серебра на поверхности А§( 111) методом сканирующей туннельной микроскопии.
2. Исследовать локальную структуру пленок А§С1 и СиС1 на поверхности монокристаллов меди и серебра методами пороговой спектроскопии и фотоэлектронной дифракции.