Теоретическое исследование оптических и релаксационных свойств пленок YBa2 Cu3 O7-b , Au, Cu и Cu60

• Автор: Добряков, Александр Львович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Троицк
• Количество страниц: 139 с. : ил.

Введение
Оглавление.

Глава 1. Проявления энергетической щели в оптических
спектрах межзонных переходов сверхпроводников
1.1. Введение
1.2. Энергетическая щель в оптических спектрах сверхпроводников. Теория
1.3. 7 Возможные межзонные переходы в УВа2СтС>
1.4. Эксперимент
1.5. Основные результаты исследования проявления энергетической щели А в спектрах межзонных переходов
Глава 2. Линейный отклик нелокального сверхпроводника на переменное электромагнитное поле
2.1. Введение
2.2. Линейный отклик. Нелокальное ядро
2.3. Мнимая часть линейного отклика
2.4. Действительная часть линейного отклика
2.5. Глубина проникновения, поверхностный импеданс, коэффициент отражения
2.6. Основные результаты исследования линейного отклика сверхпроводника на переменное электромагнитное
поле

Глава 3. Фемтосекундная спектроскопия релаксационных процессов в высокотемпературных сверхпроводниках,
металлах и фуллеритах
З.І. Введение
3.2 Спектральная зависимость электрон-электронной
релаксации
3.3 Спектральная зависимость электрон-фононной
релаксации
3.4 Фемтосекундная спектроскопия пленок Си, Аи
3.5 . Фемтосекундная спектроскопия пленок УВагСизО?-*
3.6 Когерентные фононы в пленках УВагСизСАз.и Сбо
Заключение
Литература
Введение
Исследование динамики фотовозбужденного состояния конденсированных сред с ультракоротким временным, разрешением позволило непосредственно наблюдать протекание многих микроскопических процессов [1]. Подобно тому как микроскоп позволяет проникать в микромир за счет пространственного разрешения, ультракороткие импульсы позволяют увидеть детали сверхбыстрых процессов за счет временного разрешения [1-2]. Длительность импульса определяет временное разрешение методик, предназначенных для изучения многочисленных быстропротекающих процессов и явлений. Чем короче длительность, тем более быстрые процессы поддаются непосредственному измерению. Спектроскопия с использованием сверхкоротких лазерных импульсов [1-3] является единственным экспериментальным методом для прямого исследования процессов, протекающих в фемтосекундном (фемто — 10-15) интервале времени. Уникальные характеристики ультракоротких лазерных импульсов определили возможность их широчайшего применения в науке и технике [2]. Создание сверхбыстродействующих приборов и устройств не может быть осуществлено без понимания фундаментальных процессов, обеспечивающих требуемые времена отклика, и эффектов, ограничивающих быстродействие. В настоящее время существуют проекты по созданию оптического компьютера, быстродействие которого может быть на несколько порядков выше быстродействия электронного. Продемонстрированы
экспериментальные образцы оптических переключателей, основанных на когерентном взаимодействии сверхкоротких лазерных импульсов с полупроводником. Быстродействие этих переключателей на четыре порядка больше, чем у существующих в настоящее время, и нет

соответствующей переходам электронов из валентной зоны в окрестность уровня Ферми.
Поэтому представляет интерес проанализировать полученные выражения для Ле2(ш) для различных законов дисперсии в с- и V- зонах (т.е. для различных знаков и относительных величин эффективных масс тс и ту, см. вставки к Рис. 1.1-1.3).
Рассмотрим возможные проявления межзонных переходов на примере сверхпроводника УВагСизОт-з- Уровень Ферми в УВагСизСЬ-з пересекает ряд зон с различными значениями эффективных масс (см., например, [62-64]). В окрестности точки 8 двумерной зоны Бриллюэна (или линии 8К трехмерной зоны) возможны следующие оптические переходы:
1. Переходы из зон с тУ<0 (образованных Си2(3с1)-02(р)-03(р) орбиталями), лежащих ниже уровня Ферми, в состояния зоны проводимости с тс<0 и для которых |тс| < |п1у). Такие переходы соответствуют случаю -1<0, см. вставку на Рис. 1.1.
2. Переходы из нижележащих валентных зон в состояния зоны проводимости, образованной орбиталями Си 1 (с1гу)-01 (рг)-04(ру) и вершина которой расположена вблизи уровня Ферми. Для этих переходов хпс<0 и |тс[>|ту| (случай |§|>1 — см. вставки к Рис. 1.2а, Рис. 1.26).
3. Возможны также переходы в указанную выше зону проводимости из нижележащих валентных зон с |тс|~|ту| (случай ф|~1, см. вставку к Рис. 1.3).
Вблизи точки Г зоны Бриллюэна возможны оптические переходы как с |< 1, так и с |> 1.