Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Фокина, Мария Ивановна
01.04.05
Кандидатская
2012
Санкт-Петербург
128 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Введение
Глава
Полимерные микроэлементы в технике
Фотополимеризация
Особенности фотополимеризации
Постановка задачи исследования
Глава II
Экспериментальные установки
Использованные материалы
Глава III
Направленная полимеризация с использованием фотошаблона
Контрастная литография
Полутоновая литография
Фотополимеризация на торце волокна
Формироваие микроэлемента в свободном объеме
Формирование микроэлемента в ограниченном объеме
Г лава IV
Обнаруженные закономерности и эффекты, обсуждение результатов и модель
процесса
Самофокусировка света в среде с положительным знаком изменения
показателя преломления при фотополимеризации
Эффект близости
Влияние ингибирующего действия кислорода на резкий край области
фотополимеризации
Возможность преодоления дифракционного предела в фотолитографии
Влияние усадки
Теоретические основы и методы эмпирического расчета формирования
оптической микроструктуры
Глава V
Анализ и возможные применения полученных микроструктур
Заключение
Список литературы:
Приложение Лазерная прочность полимеров
Введение
Современное развитие интегральной оптики, особенно аппаратуры телекоммуникации для гражданского применения, неразрывно связано с прогрессом в технике и технологии интегрально-оптических элементов и их удешевлением. Так, развитие сотовой и, особенно, оптоволоконной связи, низкие цены на передачу больших массивов информации, сравнимые с ценами обычной проводной телефонной связи, были бы невозможны без создания новых оптических технологий и материалов. Оптоволоконные системы передачи, волоконные эрбиевые усилители сигнала и гибридные оптикоэлектронные схемы выборки адреса и коммутации - элементы, низкая цена которых определяется применением новых материалов и технологий, и в первую очередь, полимеров и элементов на их основе.
Основное требование современной техники этой области - наилучшее соотношение цена - качество. Такие эффективные и в то же время дешевые интегрально-оптические элементы реализуются на базе планарных полимерных волноводов, поскольку аналогичные элементы на базе ниобата лития имеют себестоимость на два порядка выше. Современные полимеры обеспечивают сочетание трех основных параметров: низкая цена материала, высокая производительность (технологии штамповки) и высокие технические параметры. Отсутствие высокотемпературных процессов получения изделий, характерных для кристаллических интегрально-оптических элементов, также приводит к упрощению и удешевлению технологии. Другое важное следствие низкотемпературных технологических процессов - возможность прямой интеграции полимерной интегральной оптики с электронными кремниевыми микросхемами путем формирования планарной полимерной интегральнооптической структуры непосредственно на поверхности защитной пленки 8102 'кристалла электронной микросхемы. Пример такой интегрированной структуры - сверхбыстродействующего электрооптического модулятора -переключателя приведен на рисунке 1 [1].
Рис. 1. Иллюстрация интеграции электронной кремниевой микросхемы с полимерной интегрально-оптической структурой. В нижнем слое - кремниевая микросхема, на верхнюю поверхность которой нанесена планарная полимерная волноводная структура
В таблице 1 приведены основные полимерные материалы интегральной оптики и важнейшие их характеристики. [2]
Таблица 1. Полимерные материалы и волноводные характеристики
Метод формирования Материал Волноводные потери и другие свойства
Штамповка Золь-гель полимеры 633 нм 0,5-2 дБ/см
EGDMA 1300 нм 0,3 дБ/см
Центрифугирование (планарное) PBZT 834 нм 4,81 дБ/см
УФ - литография ПММА с красителем 632,8 нм 0,08 дБ/см
УФ - литография/ PPSQ 632,8 нм 0,16 дБ/см
Реактивное ионное Ап = 0
травление 0,19% двулучепреломление на 632,8 нм
PFCB 1330 нм 0,25 дБ/см 1550 нм 0,2 дБ/см Tg ~400 °С
ВСВ 1330 нм 0,5 дБ/см 1550 нм < 1.5 дБ/см Tg>350°C
d-ПММА 830 нм 0,02 дБ/см
Полисилоксан 1330 нм 0,17 дБ/см 1550 нм 0,43 дБ/см
*р = М(Яр/2)°'5
где М - концентрация функциональных групп, II - скорость инициирования, кр и к: коэффициенты роста и обрыва цепи.
При фотоинициировании скорость инициирования II пропорциональна доле поглощенного излучения и квантовому выходу инициатора. Фактически это означает, что концентрация инициатора должна обеспечивать максимальное поглощение падающего излучения. В этом случае максимальная скорость фотополимеризации будет наблюдаться на поверхности материала, где интенсивность света максимальна. С точки зрения равномерной скорости фотополимеризации в объеме желательно несколько уменьшить концентрацию фотоинициатора так, чтобы на толщине слоя композиции поглощалось 30 - 50 % падающего излучения и интенсивность излучения в слое была постоянна по толщине. Оптимальное соотношение скорости отверждения поверхности и массы может быть получено при использовании комбинации двух или более инициаторов.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Распространение света в одномерных периодических волноводных структурах со сложной топологией в кристаллах ниобата лития | Каншу, Андрей Владимирович | 2013 |
Формирование волновых пучков и явления дифракции в квазиоптических резонансных системах | Афонин, Дмитрий Гаврилович | 2000 |
Статистические модели сигналов и помех и эффективность оптических систем дистанционного зондирования | Астафуров, Владимир Глебович | 2003 |