Исследование процессов образования центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах с примесями индия и никеля

• Автор: Седова, Юлия Геннадиевна
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 145 с. : ил.

Оглавление
Введение
1. Изучение спектральных характеристик центров люминесценции в чистых щелочно-галоидных кристаллах
1.1. Обзор литературы
1.2. Экспериментальная методика
1.3. Экспериментальные исследования чистых щелочно-галоидных кристаллов
1.4. Выводы
2. Исследование спектральных свойств щелочно-галоидных кристаллов с примесью никеля
2.1. Обзор литературы
2.2. Экспериментальная методика
2.3. Экспериментальные исследования оптических свойств примесных центров в кристаллах КаС1-№
2.4. Выводы
3. Влияние способа введения примеси индия в щелочно-галоидные кристаллы на их спектральные свойства
3.1. Экспериментальная методика
3.2. Спектральные исследования щелочно-галоидных кристаллов с примесью индия при различных методах ее введения
3.3. Выводы
4. Применение рентгеноспектральных методов для исследования центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
4.1. Теория методов ЕХАЕБ- и ХЕОЬ-спектроскопии
4.2. Экспериментальные методики
4.3. Экспериментальные данные

4.4. Выводы
Заключение
Библиографический список

Введение
Актуальность проблемы. Щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК) - представители класса ионных соединений - имеют достаточно простую кристаллическую и электронную структуру. Вследствие этого они являются удобными модельными системами для изучения различных кристаллических дефектов. Многие физические свойства ЩГК очень чувствительны к присутствию в данных кристаллах дефектов, в том числе обусловленных наличием в кристалле разнообразных примесей. Эффект внешних воздействий на кристалл, в частности, нагревания, экспонирования излучением различных диапазонов длин волн (от рентгеновского до инфракрасного), деформации, может существенно зависеть от типа и концентрации активаторных центров, присутствующих в решетке кристалла.
Интерес к исследованиям по физике щелочно-галоидных кристаллов связан также с расширением области их практического применения. Возможность использования данных кристаллов в качестве сред для записи и хранения информации, активных материалов оптических квантовых усилителей и генераторов, датчиков излучений различного типа делает актуальным исследование процессов, протекающих в них при различных воздействиях.
Так называемые “ртутеподобные” ионы, включающие индий, а также ионы группы железа, к которой относится никель, являются перспективными активаторами для создания чувствительных к ионизирующему излучению материалов на основе ЩГК.
В настоящее время наиболее перспективной областью применения радиофотолюминофоров на основе ЩГК является разработка но-

X, нм
Рис. 1.3. Спектры пропускания наборов светофильтров:
УФС-8,

1, нм
Рис. 1.4. Спектры пропускания наборов светофильтров:
БС-8+УФС-8,
_ . _ . БС-7+УФС-2,
БС-8+селективный фильтр на 436 нм