Вторичное излучение микрокристаллов со структурой типа алмаза и сфалерита

• Автор: Пузов, Игорь Петрович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 118 с.

Оглавление
Введение
1. Методика эксперимента
1.1 Техника эксперимента
1.2 Характеристика исследуемых материалов
1.3 Резюме
2. Фотолюминесценция и светоиндуцированные изменения в оптических спектрах некоторых материалов с низкоразмерной структурой
2.1 Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в ультрадисперсных алмазах
2.1.1 Моделирование КР-спектра порошка ультрадисперсного
алмаза
2.2 Исследование гетероэпитаксиальных структур ЗС-8ІС/8І методом отражательной ИК-спектроскопии
2.3 Фотолюминесценция карбонизированного пористого кремния
2.3.1 Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния
2.4 Резюме
3. Двухфотонно возбуждаемая люминесценция сульфида цинка,
легированного медью

3.1 Особенности наблюдения
3.2 Результаты эксперимента
3.3 Резюме
4. Выводы
5. Литература
ВВЕДЕНИЕ
В последнее время можно отметить рост интереса исследователей к низкоразмерным системам: одномерным (квантовые проволоки) и нульмерным (квантовые точки). Прежде всего, это связано с тем, что характерные размеры данных материалов, лежащие в диапазоне от нескольких единиц до нескольких десятков нанометров, существенно сказываются на их термодинамических, механических и оптических свойствах.
Прогрессу в изучении особенностей физических свойств низкоразмерных твердотельных объектов, несомненно, способствует развитие методов получения подобных систем как в рамках традиционной для микроэлектроники технологии (метод тонко регулируемой конденсации из газовой фазы, золь-гельная технология), так и успех в создании новых технологических приемов (электрохимическое травление кремния, воздействие сдвиговых деформаций на пластины кремния и германия в условиях квази-гидростатического сжатия, метод детонационного синтеза взрывчатых веществ и другие).
Одним из методов исследования микрокристаллов является анализ их вторичного излучения (комбинационное рассеяние света (КР), однофотонно и двухфотонно возбуждаемая люминесценция). Кроме того, именно в оптических спектрах наиболее ярко проявляются структурные особенности микрокристаллических материалов.
Так, например, наблюдается сильная зависимость ширины запрещенной зоны, массы электрона и дырки от размера частиц, что сказывается на спектрах межзонного поглощения полупроводников. В работе [1] впервые проведены экспериментальные исследования спектров экситонного поглощения микрокристаллов СиС1, диспергированных в объеме прозрач-

+ яап)
ЗС-81С(111)

20 30 40 50

90 100 29,град
Рис. 1.6. Рентгеновская дифрактограмма гетероэпитаксиальных пленок ЗС-81С (Ьэ/С=2 мкм), полученных на 81(111) при ТП~1350°С [62].