Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы

Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы

Автор: Добрынин, Андрей Витальевич

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Докторская

Место защиты: Б. м. Б. г.

Количество страниц: 396 с. ил

Артикул: 336791

Автор: Добрынин, Андрей Витальевич

Стоимость: 250 руб.

Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы  Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы 

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. НИТРИД АЛЮМИНИЯ . ПРИМЕСИ В НИТРИДЕ АЛЮМИНИЯ. НЕКОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ. СИСТЕМА ,Ш. СИСТЕМА 1 . Л.2. КОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ . ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЛЕГИРОВАННОГО 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННОГО. НИТРИД ГАЛЛИЯ . Ш 1. СВОЙСТВА НИТРИДА ГАЛЛИЯ . ПРИМЕСИ В НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ . НЕКОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ. СИСТЕМА . СИСЕМА. СИСТЕМА . Шй 1 2. УЙ. У 1. З.З. УЙЙЙ1. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ . ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМАХ ,,V. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В . У 1. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИТЕМЕ . Г 1. У 1. ГАЛЛИЯ . ПРОЧИЕ ВАКУУМНЫЕ МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ . I Й 1. ПРИМЕНЕНИЕ НИТРИДОВ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ . Глава 2. ОСАЖДЕНИЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ НИТРИДОВ . СИСТЕМА . СИСТЕМА . СИСТЕМА 1п . СИСТЕМА I . СИСТЕМА 1п . СИСТЕМА I ,,. ОКСИДАМИ . ВЫВОДЫ . Глава 3. РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ. АСПЕКТЫ . Й . РАСЧЕТ ПАРАМЕТРА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ПАРАМЕТРА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ . Ш 3. РАСТВОРЕ1. ТЕМПЕРАТУРЫ ОСАЖДЕНИЯ НА РАСТВОРИМОСТЬ ПРИМЕСЕЙ.


Для этого поверхность нитрида алюминия пленки толщиной 0нм обрабатывали ионами водорода, затем покрывали тонким нм слоем бериллия для предотвращения обратной диффузии из полупроводника, далее имплантировали ионы бериллия при напряжении 0 кВ с плотностью до см2. V . I 4 . V V 3 4 1. Однако отжиг при С или удаление слоя бериллия с поверхности 1 приводили к тому, что материал переходил в исходное высокоомное состояние. Такое поведение полупроводника нельзя объяснить простым испарением бериллия из объема. Здесь возможно два варианта либо описанный в 9 эффект связан с другими примесями, например с водородом, который эффективно удаляется при температуре С, либо при этой бериллий очень быстро окисляется до изоэлсктронного оксида бериллия и теряет акцепторные свойства. В пользу последнего аргумента говорит тот факт, что при совместном легировании бериллием и кислородом 1 повышает сопротивление, понижает теплопроводность и сокращает параметр решетки 0. У Г При ионной имплантации углерода в керамику из 1
электропроводность росла на 3ь4 порядка, но после отжига К опять снижалась до исходной, что указывает на схожесть этих процессов с легированием бериллием. Однако низкоомную керамику из нитрида алюминия получить не удалось в силу того, что этому препятствовали границы зерен и другие дефеюгы. Примером удачного легирования нитрида алюминия является работа У Спенсера 3,1, где амфотерная примесь углерода занимала место в азотной подрешетке и служила акцептором. Слои 1 осаждались в МОСгидридной системе. За счет введения в парогазовую смесь пропана СзНз концентрация углерода в слоях повышаласьот 4 фоновых до СсЯ, в то время как концентрация примеси кислорода Со 3по данным Ожеанализа 0. ВИМС 3, т.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.358, запросов: 229